應變計浮柵或密封層脫起，造成應變計零點漂移。應變計浮柵。主要表現(xiàn)為側光觀察應變計時，發(fā)現(xiàn)應變計表面有針狀亮點或用顯微鏡觀察時敏感柵有扭曲現(xiàn)象。造成這一問題可能是環(huán)境溫度過大或清洗溶劑含水量過大，造成應變計受潮所致。密封層脫起。主要表現(xiàn)為密封層有部份或全部脫起，造成這一問題的主要原因是密封層與敏感柵的粘結力不夠所造成，引起敏感柵散熱不均勻。表貼式應變計為振弦式彈性梁結構，適用于焊接到各種鋼結構的場合，如：鋼管、坑道的支撐、樁和橋梁等。也可用螺絲安裝固定在各種結構的表面，長期監(jiān)測其表面應力和應變。并可同步測定埋設點的溫度。表面應變計安裝時應根據(jù)設計要求調整測量范圍（調整初始值），方法是：在各應變計的前端座上有一個螺紋孔，可用專業(yè)拉桿進行拉、壓調整。調整時先將有電纜一端的夾緊螺釘擰緊，連接讀數(shù)儀監(jiān)測儀器，利用調整拉桿進行拉或壓調整，調整合適后將夾具另一端的擰緊螺釘擰緊，并卸下調整拉桿。金屬絲式應變計的敏感柵一般是用直徑0.01~0.05毫米的銅鎳合金或鎳鉻合金的金屬絲制成。長春振弦式埋入式應變計線性度

絲式應變計，這種應變計的敏感柵較常用的有絲繞式和短接線式兩種。①絲繞式的敏感柵是用直徑0.015～0.05毫米的金屬絲連續(xù)繞制而成，端部呈半圓形。如果安裝應變計的構件表面存在兩個方向的應變，此圓弧端除了感受縱向應變外，還能感受橫向應變，后者稱為橫向效應。若對測量精度的要求較高，應考慮橫向效應的影響并進行修正。②短接線式的敏感柵采用較粗的橫絲，將平行排列的一組直徑為0.015～0.05毫米的金屬縱絲交錯連接而成，端部是平直的。它的橫向效應很小，但耐疲勞性能不如絲繞式的。箔式應變計，這種應變計的敏感柵用厚度0.002～0.005毫米的金屬箔刻蝕成形。用此法易于制成各種形狀的應變計。箔柵有如下優(yōu)點，①橫向部分可以做成比較寬的柵條，使橫向效應較小；②箔柵很薄，能較好地反映構件表面的變形，因而測量精度較高；③便于大量生產；④能制成柵長很短的應變計。因此，箔式應變計得到普遍應用。濟南多向應變計線性度張絲式應變計的原理還可制成扭矩傳感器和加速度計。

埋入式振弦應變計除非另有說明，出廠時應變計的張力調整在中間量程。一半量程用來測量拉伸應變，另一半量程用來測量壓縮應變。應變計被埋入到細骨料混凝土中，用來測量應力變化引起的應變。如果已知被測材料的彈性模量，則可以計算應力的大小(除了加載引起的應力)。就混凝土而言，必須知道溫度、蠕變和自生反應的影響。主要特點：1、長期可靠性。2、高分辨率和高精度。3、外殼堅固，耐沖擊和耐腐蝕。4、易于安裝和使用。5、無需維護。6、輸出的頻率信號易于處理，并適合長距離傳輸。7、集成有溫度傳感器。8、標準耐水壓至1500kPa。9、在持續(xù)和阻尼模式下測量頻率。應用：1、大壩。2、核電站。3、橋梁和高架橋。4、大型建筑。5、隧道襯砌。

薄膜應變計，薄膜應變計的“薄膜”不是指用機械壓延法所得到的薄膜，而是用諸如真空蒸發(fā)、濺射、等離子化學氣相淀積等薄膜技術得到的薄膜。它是通過物理方法或化學/電化學反應，以原子，分子或離子顆粒形式受控地凝結于一個固態(tài)支撐物(即基底)上所形成的薄膜固體材料。其厚度約在數(shù)十埃至數(shù)微米之間。薄膜若按其厚度可分為非連續(xù)金屬膜、半連續(xù)膜和連續(xù)膜。薄膜應變計的制造主要是成膜工藝，如濺射、蒸發(fā)、光刻、腐蝕等。其工藝環(huán)節(jié)少，工藝周期較短，成品率高，因而獲得普遍的應用。振弦式應變計主要由左右端安裝支座、鋼弦和線圈組成。

表面應變計的埋設與安裝，首先將配好對的夾具裝上安裝試棒，裝配好后的兩夾具緊定螺釘孔距應為100mm。用裝有安裝棒的夾具在需要測量的部位畫點，在畫點的部位打上膨脹螺栓的孔，用于固定膨脹螺栓。將裝有安裝試棒的夾具固定在膨脹螺栓上，擰緊螺母，安裝好后的兩夾具膨脹螺釘標距也應為100mm。用于臨時測量的應變計一般是用膠粘貼，首先將需要粘貼的部位去毛打平，將裝有安裝試棒的夾具底部中間涂上快速環(huán)氧膠，四周點上少許502膠水，之后粘貼在測量部位上，加壓力3分鐘左右即可松手，10分鐘左右即可粘貼牢固。拆下安裝試棒，將應變計(已接長電纜)從夾具一端放入，直到應變計沒有電纜的一端與夾具外邊沿平齊為止。應變計安裝時應根據(jù)設計要求調整測量范圍，在儀器的后端座上(沒有電纜的一端)有一個M6的螺孔，可用M6螺桿進行拉、壓調整。調整時先將有電纜一端的夾具擰緊，松開夾具另一端，進行拉、壓調整。調整完成后將夾具擰緊并擰下螺桿，安裝保護罩，同時將電纜按設計走向固定好。半導體應變計就是以這種壓阻效應作為理論基礎的。青島光纖光柵應變計直銷

半導體應變計，將半導體應變計安裝在被測構件上，在構件承受載荷而產生應變時，其電阻將發(fā)生變化。長春振弦式埋入式應變計線性度

半導體應變計，將半導體應變計安裝在被測構件上，在構件承受載荷而產生應變時，其電阻將發(fā)生變化。半導體應變計就是以這種壓阻效應作為理論基礎的，其敏感柵由鍺或硅等半導體材料制成。這種應變計可分為體型和擴散型兩種。前者的敏感柵由單晶硅或鍺等半導體經(jīng)切片和腐蝕等方法制成，后者的敏感柵則是將雜質擴散在半導體材料中制成的。半導體應變計的優(yōu)點是靈敏系數(shù)大，機械滯后和蠕變小，頻率響應高;缺點是電阻溫度系數(shù)大，靈敏系數(shù)隨溫度而有名變化，應變和電阻之間的線性關系范圍小。正確選擇半導體材料和改進生產工藝，這些缺點可望得到克服。半導體應變計多用于測量小的應變（10-1微應變到數(shù)百微應變），已普遍用于應變測量和制造各種類型的傳感器（見電阻應變計式傳感器）。長春振弦式埋入式應變計線性度