熱敏電阻技術(shù)參數(shù)：
⑦額定工作電流IM：熱敏電阻器在工作狀態(tài)下規(guī)定的名義電流值。⑧測(cè)量功率Pc：在規(guī)定的環(huán)境溫度下，熱敏電阻體受測(cè)試電流加熱而引起的阻值變化不超過(guò)0.1%時(shí)所消耗的電功率。熱敏電阻⑨比較大電壓：對(duì)于NTC熱敏電阻器，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度下，不使熱敏電阻器引起熱失控所允許連續(xù)施加的比較大直流電壓；對(duì)于PTC熱敏電阻器，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和靜止空氣中，允許連續(xù)施加到熱敏電阻器上并保證熱敏電阻器正常工作在PTC特性部分的比較大直流電壓。 嘉定區(qū)恒溫加熱熱敏電阻規(guī)格尺寸。江蘇溫度控制熱敏電阻生產(chǎn)商
熱敏電阻技術(shù)參數(shù)：
⑤時(shí)間常數(shù)τ：熱敏電阻器是有熱慣性的，時(shí)間常數(shù)，就是一個(gè)描述熱敏電阻器熱慣性的參數(shù)。它的定義為，在無(wú)功耗的狀態(tài)下，當(dāng)環(huán)境溫度由一個(gè)特定溫度向另一個(gè)特定溫度突然改變時(shí)，熱敏電阻體的溫度變化了兩個(gè)特定溫度之差的63.2%所需的時(shí)間。τ越小，表明熱敏電阻器的熱慣性越小。⑥額定功率PM：在規(guī)定的技術(shù)條件下，熱敏電阻器長(zhǎng)期連續(xù)負(fù)載所允許的耗散功率。在實(shí)際使用時(shí)不得超過(guò)額定功率。若熱敏電阻器工作的環(huán)境溫度超過(guò) 25℃，則必須相應(yīng)降低其負(fù)載。 浙江暖風(fēng)加熱熱敏電阻哪家好上海子譽(yù)電子陶瓷有限公司主營(yíng)熱敏電阻，期待您的咨詢(xún)。
但如果在這些溫度值下增加 PGA 的增益，就可以將 PGA 的輸出信號(hào)控制在一定范圍內(nèi)，在此范圍內(nèi) ADC 能夠提供可靠地轉(zhuǎn)換，從而對(duì)熱敏電阻的溫度進(jìn)行識(shí)別。微控制器固件的溫度傳感算法可讀取 10 位精度的 ADC 數(shù)字值，并將其傳送到PGA 滯后軟件程序。PGA 滯后程序會(huì)校驗(yàn) PGA 增益設(shè)置，并將 ADC 數(shù)字值與圖1顯示的電壓節(jié)點(diǎn)的值進(jìn)行比較。如果 ADC 輸出超過(guò)了電壓節(jié)點(diǎn)的值，則微控制器會(huì)將 PGA 增益設(shè)置到下一個(gè)較高或較低的增益設(shè)定值上。如果有必要，微控制器會(huì)再次獲取一個(gè)新的 ADC 值。然后 PGA 增益和 ADC 值會(huì)被傳送到一個(gè)微控制器分段線(xiàn)性?xún)?nèi)插程序。
熱敏電阻的技術(shù)參數(shù)：⑩比較高工作溫度Tmax：在規(guī)定的技術(shù)條件下，熱敏電阻器長(zhǎng)期連續(xù)工作所允許的比較高溫度。⑾開(kāi)關(guān)溫度tb:PTC熱敏電阻器的電阻值開(kāi)始發(fā)生躍增時(shí)的溫度。⑿耗散系數(shù)H：溫度增加1℃時(shí)，熱敏電阻器所耗散的功率，單位為mW/℃。
熱敏電阻的主要缺點(diǎn)：熱敏電阻①阻值與溫度的關(guān)系非線(xiàn)性嚴(yán)重；②元件的一致性差，互換性差；③元件易老化，穩(wěn)定性較差；④除特殊高溫?zé)崦綦娮柰?，絕大多數(shù)熱敏電阻*適合0～150℃范圍，使用時(shí)必須注意。 熱敏電阻的分類(lèi)：PTC、NTC、CTR。
檢測(cè)時(shí)，用萬(wàn)用表歐姆檔（視標(biāo)稱(chēng)電阻值確定檔位，一般為R×1擋），具體可分兩步操作：首先常溫檢測(cè)（室內(nèi)溫度接近25℃），用鱷魚(yú)夾代替表筆分別夾住PTC熱敏電阻的兩引腳測(cè)出其實(shí)際阻值，并與標(biāo)稱(chēng)阻值相對(duì)比，二者相差在±2Ω內(nèi)即為正常。實(shí)際阻值若與標(biāo)稱(chēng)阻值相差過(guò)大，則說(shuō)明其性能不良或已損壞。其次加溫檢測(cè)，在常溫測(cè)試正常的基礎(chǔ)上，即可進(jìn)行第二步測(cè)試—加溫檢測(cè)，將一熱源（例如電烙鐵）靠近熱敏電阻對(duì)其加熱，觀(guān)察萬(wàn)用表示數(shù)。熱敏電阻通常為一款高阻抗、電阻性器件，因該器件可以簡(jiǎn)化其中的一個(gè)接口問(wèn)題。福建水加熱熱敏電阻生產(chǎn)商
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鈦酸鋇半導(dǎo)瓷的PTC效應(yīng)起因于粒界（晶粒間界）．對(duì)于導(dǎo)電電子來(lái)說(shuō)，晶粒間界面相當(dāng)于一個(gè)勢(shì)壘．當(dāng)溫度低時(shí)，由于鈦酸鋇內(nèi)電場(chǎng)的作用，導(dǎo)致電子極容易越過(guò)勢(shì)壘，則電阻值較小．當(dāng)溫度升高到居里點(diǎn)溫度（即臨界溫度）附近時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)受到破壞，它不能幫助導(dǎo)電電子越過(guò)勢(shì)壘．這相當(dāng)于勢(shì)壘升高，電阻值突然增大，產(chǎn)生PTC效應(yīng)．鈦酸鋇半導(dǎo)瓷的PTC效應(yīng)的物理模型有海望表面勢(shì)壘模型、丹尼爾斯等人的鋇缺位模型和疊加勢(shì)壘模型，它們分別從不同方面對(duì)PTC效應(yīng)作出了合理解釋?zhuān)K溫度控制熱敏電阻生產(chǎn)商
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