如-5，-6之類數(shù)字表示。工藝結(jié)構(gòu)----如通用數(shù)字IC有COMS和TL兩種，常用字母C，T來表示。是否**-----一般在型號的末尾會有一個字母來表示是否**，如z，R，+等。包裝-----顯示該物料是以何種包裝運輸?shù)?，如tube，T/R，r**l，tray等。版本號----顯示該產(chǎn)品修改的次數(shù)，一般以M為版本。IC命名、封裝常識與命名規(guī)則溫度范圍：C=0℃至60℃（商業(yè)級）；I=-20℃至85℃（工業(yè)級）；E=-40℃至85℃（擴展工業(yè)級）；A=-40℃至82℃（航空級）；M=-55℃至125℃（級）封裝類型：A—SSOP；BCERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP（300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—寬體小外型(300mil)﹔X—SC-60(**，5P，6P)﹔Y―窄體銅頂；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增強型塑封﹔/W-晶圓。管腳數(shù):A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圓形)﹔W—10(圓形)﹔X—36；Y—8(圓形)﹔Z—10。。交流工作電壓測量法適用于工作頻率較低的IC，如電視機的視頻放大級、場掃描電路等。CY2305SXI-1

    是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領域已經(jīng)營多年，資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)?；碾娮釉骷?jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術(shù)力量強大，可為客戶設計指導方案開發(fā)。這是**次從國外引進集成電路技術(shù)；成立電子計算機和大規(guī)模集成電路領導小組，制定了**IC發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對半導體工業(yè)進行技術(shù)改造。1985年，塊64KDRAM在無錫國營724廠試制成功。1988年，上無十四廠建成了我國條4英寸線。1989年，機電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；724廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了**華晶電子集團公司。[5]1990-2000年重點建設期1990年，決定實施“908”工程。1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國條5英寸線。1993年，塊256KDRAM在**華晶電子集團公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國條6英寸線。1995年，決定繼續(xù)實施集成電路專項工程（“909”工程），集中建設我國條8英寸生產(chǎn)線。1996年，英特爾公司投資在上海建設封測廠。1997年。TDA7491MV13TRIC芯片的DIP等插件的引腳不應有擦花的痕跡，即使有擦痕也應是整齊、同方向的且金屬暴露處光潔無氧化。

    本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統(tǒng)、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術(shù)：現(xiàn)代計算機系統(tǒng)產(chǎn)生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產(chǎn)生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲芯片的集成電路產(chǎn)生的。為了合適地運行，這些計算機系統(tǒng)必須被保持在一定溫度范圍之內(nèi)。因此，必須消散或以其他方式移除由這些處理器和存儲芯片產(chǎn)生的熱量。技術(shù)實現(xiàn)要素：在一個方面中，本公開的實施方式提供一種液體冷卻的集成電路系統(tǒng)，所述液體冷卻的集成電路系統(tǒng)包括：兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，平行地安裝在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，和多個冷卻管，每個所述冷卻管平行且鄰接于所述印刷電路板插座中的對應的一個印刷電路板插座地安裝在所述系統(tǒng)板上，所述冷卻管中的每個冷卻管具有在該冷卻管的與所述系統(tǒng)板相對的一側(cè)上粘附至所述冷卻管的熱接口材料層；以及多個集成電路模塊，每個所述集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側(cè)；安裝在所述印刷電路板上的一個或多個集成電路，第二熱接口材料層。

    三個電阻和一個電容器。根據(jù)一個芯片上集成的微電子器件的數(shù)量，集成電路可以分為以下幾類：小型集成電路（SSI英文全名為SmallScale**的集成電路是微處理器或多核處理器的，可以控制計算機到手機到數(shù)字微波爐的一切。雖然設計開發(fā)一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的產(chǎn)品上，每個集成電路的成本小化。集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開關(guān)速度應用。這些年來，集成電路持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展，使得每個芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見摩爾定律，集成電路中的晶體管數(shù)量，每?？傊?，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善了，單位成本和開關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設備的IC也存在問題，主要是泄漏電流。因此，對于終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領域已經(jīng)營多年，資源豐富。按用途分類：IC芯片按用途可分為電視機用IC芯片。

    盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發(fā)光二極管、激光、太陽能電池和高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時間。半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術(shù)制成導線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍?yōu)橹鳎┖豌~工藝（以電鍍?yōu)橹鲄⒁奃amascene）。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領域已經(jīng)營多年，資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)?；碾娮釉骷?jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術(shù)力量強大，可為客戶設計指導方案開發(fā)。主要的工藝技術(shù)可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。醫(yī)療領域：IC芯片在醫(yī)療領域中的應用也越來越多，如醫(yī)療設備、醫(yī)療監(jiān)測、醫(yī)療診斷等。MPC8245LZU300D

IC芯片原裝貨的引腳非常整齊且像一條直線，而翻新處理過的則有的腳不整齊且有些歪。CY2305SXI-1

    資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)?；碾娮釉骷?jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術(shù)力量強大，可為客戶設計指導方案開發(fā)。所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯(lián)；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。附圖說明參考下列附圖，根據(jù)一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實施例。圖是系統(tǒng)的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。圖a和圖b示出了根據(jù)一個實施例的雙列直插式存儲模塊(dimm)組件。圖示出了圖a和圖b的雙列直插式存儲模塊組件的一側(cè)的視圖。圖a示出了根據(jù)一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件。CY2305SXI-1