整流、開關二極管主要參數(shù)：1）導通壓降VFVF為二極管正向導通時二極管兩端的壓降，當通過二極管的電流越大，VF越大；當二極管溫度越高時，VF越小。（2）反向飽和漏電流IR（Reversecurrent）指在二極管兩端加入反向電壓時，流過二極管的電流，該電流與半導體材料和溫度有關。少子的漂移運動導致的，盡量選擇該值小的二極管。（3）額定整流電流IF（Averageforwardcurrent）指二極管長期運行時，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。這個是選取二極管電流的主要參數(shù)（4）**平均整流電流IO（RectifiedCurrent(Average),）在半波整流電路中，流過負載電阻的平均整流電流的**值。這個是整流電路比較看重的值。（5）**浪涌電流IFSM（PeakForwardSurgeCurren）允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個值相當大。（6）**反向峰值電壓VRM（Non-RepetitivePeakReverseVoltage）避免擊穿所能加的**反向電壓，這個電壓是不重復的，是一個瞬態(tài)值。除了這個值外還有一個重復的反向峰值電壓VRRM，這個值是等于直流下的**反向電壓VR的。 選擇合適的二極管對于電路的穩(wěn)定性和效率至關重要。上海SP720ABG二極管橋式整流器

    二極管特性參數(shù)：反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和*高反向電壓作用*，*過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不*失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流*為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。[4]動態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。[4]電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。[4]*高工作頻率*高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。所以**工作頻率的值主要取決于PN結結電容的大小。若是超過此值。則單向導電性將受影響。[4]*大整流電流*大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的*大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱。 T4F39AHM3/H二極管作為電子元件的基石，在電路中發(fā)揮著整流和開關的關鍵作用。

    如何快速判斷二極管好壞？1.示波器測試法：使用示波器測試二極管時，給二極管正向施加電壓，觀察示波器顯示的波形。正常的二極管會導通并顯示一個較小的正向導通電壓（正向滯后），而壞的二極管會出現(xiàn)打火、無明顯的波形或沒有反應。這種方法需要有示波器和一定的電路測試知識。2.萬用表測試法：使用萬用表進行二極管測試是一種簡單快速的方法。將萬用表調整到二極管測試檔位（通常是二極管符號），然后將二極管的正極和負極分別連接到萬用表的測試引腳上。正常的二極管在正向導通時，萬用表會顯示一個較低的電壓值（通常是幾百毫伏），而在反向關斷時，萬用表會顯示一個較高的電阻值（通常是無窮大）。3.二極管燈泡測試法：準備一個電池、一個燈泡和一根導線。將導線插入燈泡的兩個端口中，然后將一端連接到電池的正極，另一端用于測試二極管。將二極管的正負極分別接觸到導線的兩端，如果燈泡亮起則說明二極管是好的，如果燈泡不亮則說明二極管可能損壞。4.口試法：這是一種簡單粗暴的方法，適用于二極管外觀沒有明顯損壞的情況。用手指觸摸二極管的金屬端子，如果感覺到有熱或輕微震動，則說明二極管可能是好的。當然，這種方法只能初步判斷，不能完全準確。

    整流、開關二極管主要參數(shù)：（7）結電容Cj（Capacitancebetweenterminals）PN結之間形成的寄生電容，該電容影響著工作頻率和反向恢復時間，越小越好。（8）**工作頻率fM由于PN結的結電容存在，當工作頻率超過某一值時，它的單向導電性將變差。（9）正向恢復時間tfrtfr為二極管正向導通電流所需的通斷時間，如下圖所示。當一個快速上升的脈沖作用于二極管時，由于載流子積累，它不會立即進入導電狀態(tài)。在tfr期間，二極管即使在正向也表現(xiàn)出高電阻。換句話說，tfr是電流向二極管陰極端擴散所需的時間。tfr定義為在規(guī)定的正向電流(IF)下，正向電壓達到峰值并下降到VF的110%所需的時間，不同廠商定義不一樣。（10）反向恢復時間trr（Reverserecoverytime）開關二極管從導通狀態(tài)到完全關閉狀態(tài)所經(jīng)過的時間，一般取IR最大值的25%或10%那個時間點，不同廠商定義不一樣。一般關斷后電子不能瞬間停止，有一定量的反向電流流過。其漏電流越大損耗也越大。二極管阻斷反向電流之前需要首先釋放結電容存儲的電荷，所以這個放電過程就帶來了反向恢復時間。 二極管通過控制電流的通斷，實現(xiàn)了電子設備中的信號處理和邏輯運算。

    要理解二極管的工作原理，必須從二極管的結構說起。晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。檢波二極管可從高頻信號中檢出有用信號，功能強大。BUT11AF

在未來的電子設備中，二極管將繼續(xù)發(fā)揮重要作用，推動電子技術的不斷進步。上海SP720ABG二極管橋式整流器

    二極管PN結形成原理：P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 上海SP720ABG二極管橋式整流器