MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機(jī)電組件制造過(guò)程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過(guò)蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上?；贐osch工藝的一項(xiàng)特點(diǎn)，當(dāng)要維持一個(gè)近乎于垂直且平滑的側(cè)壁輪廓時(shí)，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達(dá)到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產(chǎn)生具有輕微傾斜角度的側(cè)壁輪廓。不過(guò)當(dāng)采用這類塊體蝕刻時(shí)，工藝中很少需要垂直的側(cè)壁。

2.準(zhǔn)確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門(mén)為體積較小、垂直度和側(cè)壁輪廓平滑性上升為關(guān)鍵因素的組件而設(shè)計(jì)的。就微機(jī)電組件而言，需要該方法的組件包括微光機(jī)電系統(tǒng)及浮雕印模等。一般說(shuō)來(lái)，此類特性要求，蝕刻率的均勻度控制是遠(yuǎn)比蝕刻率重要得多。由于蝕刻劑在蝕刻反應(yīng)區(qū)附近消耗率高，引發(fā)蝕刻劑密度相對(duì)降低，而在晶圓邊緣蝕刻率會(huì)相應(yīng)地增加，整片晶圓上的均勻度問(wèn)題應(yīng)運(yùn)而生。上述問(wèn)題可憑借對(duì)等離子或離子轟擊的分布圖予以校正，從而達(dá)到均鐘刻的目的。 MEMS歷史悠久，技術(shù)集成程度較高。云南本地MEMS微納米加工

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

3.絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進(jìn)的微機(jī)電組件包含精細(xì)的可移動(dòng)性零組件，例如應(yīng)用于加速計(jì)、陀螺儀、偏斜透鏡(tilting mirrors).共振器(resonators)、閥門(mén)、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項(xiàng)特點(diǎn)是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對(duì)非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實(shí)現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 云南本地MEMS微納米加工超透鏡的電子束直寫(xiě)和刻蝕工藝其實(shí)并不復(fù)雜。

MEMS超表面對(duì)光電特性的調(diào)控：

1.超表面meta-surface對(duì)相位的調(diào)控：相位是電磁波的一個(gè)重要屬性，等相位面決定了電磁波的傳播方向，一副圖像的相位則包含了其立體信息。通過(guò)控制電磁波的相位，可以實(shí)現(xiàn)光束偏轉(zhuǎn)、超透鏡、超全息、渦旋光產(chǎn)生、編碼、隱身、幻像等功能。

2.超表面meta-surface對(duì)電磁波多個(gè)自由度的聯(lián)合調(diào)控：超表面可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波相位、振幅、偏振等自由度的同時(shí)調(diào)控。比如，通過(guò)對(duì)電磁波的相位和振幅的聯(lián)合調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)立體超全息，通過(guò)對(duì)電磁波的相位和偏振的聯(lián)合調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)矢量渦旋光；通過(guò)對(duì)電磁波的相位和頻率的聯(lián)合調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)非線性超透鏡等功能。

3.超表面meta-surface對(duì)波導(dǎo)模式的調(diào)控：可將“超構(gòu)光學(xué)”的概念與各類光波導(dǎo)平臺(tái)相結(jié)合，將超構(gòu)表面或超構(gòu)材料集成在各類光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上，則可以在亞波長(zhǎng)尺度下對(duì)波導(dǎo)中的光信號(hào)進(jìn)行靈活自由的調(diào)控。利用上表面集成了超構(gòu)表面的介質(zhì)光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)多功能的光耦合、光探測(cè)、偏振/波長(zhǎng)解復(fù)用、結(jié)構(gòu)光激發(fā)、波導(dǎo)模式轉(zhuǎn)化、片上光信號(hào)變換、光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、光路由等應(yīng)用 。

MEMS繼電器與開(kāi)關(guān)。其優(yōu)勢(shì)是體積?。芏雀?，采用微工藝批量制造從而降低成本），速度快，有望取代帶部分傳統(tǒng)電磁式繼電器，并且可以直接與集成電路IC集成，極大地提高產(chǎn)品可靠性。其尺寸微小，接近于固態(tài)開(kāi)關(guān)，而電路通斷采用與機(jī)械接觸（也有部分產(chǎn)品采用其他通斷方式），其優(yōu)勢(shì)劣勢(shì)基本上介于固態(tài)開(kāi)關(guān)與傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)之間。MEMS繼電器與開(kāi)關(guān)一般含有一個(gè)可移動(dòng)懸臂梁，主要采用靜電致動(dòng)原理，當(dāng)提高觸點(diǎn)兩端電壓時(shí)，吸引力增加，引起懸臂梁向另一個(gè)觸電移動(dòng)，當(dāng)移動(dòng)至總行程的1/3時(shí)，開(kāi)關(guān)將自動(dòng)吸合（稱之為pullin現(xiàn)象）。pullin現(xiàn)象在宏觀世界同樣存在，但是通過(guò)計(jì)算可以得知所需的閾值電壓高得離譜，所以我們?nèi)粘Ｖ袔缀醪粫?huì)看到。EBL設(shè)備制備納米級(jí)超表面器件的原理是什么？

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW：

  聲表面波是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆?，它能夠在兼作傳聲介質(zhì)和電聲換能材料的壓電基底材料表面進(jìn)行傳播。它是聲學(xué)和電子學(xué)相結(jié)合的一門(mén)邊緣學(xué)科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬(wàn)倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣和進(jìn)行處理。因此，用聲表面波去模擬電子學(xué)的各種功能，能使電子器件實(shí)現(xiàn)超小型化和多功能化。隨著微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步，聲表面波研究向諸多領(lǐng)域進(jìn)行延伸研究。上世紀(jì)90年代，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了利用聲表面波驅(qū)動(dòng)固體。進(jìn)入二十一世紀(jì)，聲表面波SAW在微流體應(yīng)用研究取得了巨大的發(fā)展。應(yīng)用聲表面波器件可以實(shí)現(xiàn)固體驅(qū)動(dòng)、液滴驅(qū)動(dòng)、微加熱、微粒集聚\混合、霧化。 基于柔性PI材料的MEMS太赫茲超表面器件在military project領(lǐng)域和生物科技上應(yīng)用非常有前景。江西標(biāo)準(zhǔn)MEMS微納米加工

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？云南本地MEMS微納米加工

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

運(yùn)動(dòng)追蹤在運(yùn)動(dòng)員的日常訓(xùn)練中，MEMS傳感器可以用來(lái)進(jìn)行3D人體運(yùn)動(dòng)測(cè)量，通過(guò)基于聲學(xué)TOF，或者基于光學(xué)的TOF技術(shù)，對(duì)每一個(gè)動(dòng)作進(jìn)行記錄，教練們對(duì)結(jié)果分析，反復(fù)比較，以便提高運(yùn)動(dòng)員的成績(jī)。隨著MEMS技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，MEMS傳感器的價(jià)格也會(huì)隨著降低，這在大眾健身房中也可以廣泛應(yīng)用。在滑雪方面，3D運(yùn)動(dòng)追蹤中的壓力傳感器、加速度傳感器、陀螺儀以及GPS可以讓使用者獲得極精確的觀察能力，除了可提供滑雪板的移動(dòng)數(shù)據(jù)外，還可以記錄使用者的位置和距離。在沖浪方面也是如此，安裝在沖浪板上的3D運(yùn)動(dòng)追蹤，可以記錄海浪高度、速度、沖浪時(shí)間、漿板距離、水溫以及消耗的熱量等信息。 云南本地MEMS微納米加工