MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕：在半導(dǎo)體制程中，單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優(yōu)劣，各有特點(diǎn)。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達(dá)到刻蝕的目的。因?yàn)闈穹涛g是利用化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜的去除，而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性，因此濕法刻蝕過程為等向性。濕法刻蝕過程可分為三個(gè)步驟:1)化學(xué)刻蝕液擴(kuò)散至待刻蝕材料之表面;2)刻蝕液與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng);3)反應(yīng)后之產(chǎn)物從刻蝕材料之表面擴(kuò)散至溶液中，并隨溶液排出。

濕法刻蝕之所以在微電子制作過程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的刻蝕選擇比等優(yōu)點(diǎn)。但相對(duì)于干法刻蝕，除了無(wú)法定義較細(xì)的線寬外，濕法刻蝕仍有以下的缺點(diǎn):1) 需花費(fèi)較高成本的反應(yīng)溶液及去離子水:2) 化學(xué)藥品處理時(shí)人員所遭遇的安全問題:3) 光刻膠掩膜附著性問題;4) 氣泡形成及化學(xué)腐蝕液無(wú)法完全與晶片表面接觸所造成的不完全及不均勻的刻蝕 汽車上的MEMS傳感器有哪些？天津MEMS微納米加工組成

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理：

  聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個(gè)聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實(shí)現(xiàn)聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能器(輸入換能器)通過逆壓電效應(yīng)將愉入的電信號(hào)轉(zhuǎn)變成聲信號(hào)，此聲信號(hào)沿基片表面?zhèn)鞑ィ?span>然后由基片右邊的換能器(輸出換能器)將聲信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出。整個(gè)聲表面波器件的功能是通過對(duì)在壓電基片上傳播的聲信號(hào)進(jìn)行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來完成的。 江西MEMS微納米加工廠家電話MEMS常見的產(chǎn)品-陀螺儀傳感器。

主要由傳感器、作動(dòng)器（執(zhí)行器）和微能源三大部分組成，但現(xiàn)在其主要都是傳感器比較多。

特點(diǎn)：1.和半導(dǎo)體電路相同，使用刻蝕，光刻等微納米MEMS制造工藝，不需要組裝，調(diào)整；2.進(jìn)一步的將機(jī)械可動(dòng)部，電子線路，傳感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方，可以在一般的機(jī)器人到不了的狹窄場(chǎng)所或條件惡劣的地方使用4.由于工作部件的質(zhì)量小，高速動(dòng)作可能；5.由于它的尺寸很小，熱膨脹等的影響?。?.它產(chǎn)生的力和積蓄的能量很小，本質(zhì)上比較安全。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn)：

3.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導(dǎo)體平面工藝制作的，所以它具有很好的一致性和重復(fù)性，易于大量生產(chǎn)，而且當(dāng)使用某些單晶材料或復(fù)合材料時(shí)，聲表面波器件具有極高的溫度穩(wěn)定性。

4.聲表面波器件的抗輻射能力強(qiáng)，動(dòng)態(tài)范圍很大，可達(dá)100dB。這是因?yàn)樗玫氖蔷w表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程

此外，在很多情況下，聲表面波器件的性能還遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了很好的電磁波器件所能達(dá)到的水平。比如用聲表面波可以作成時(shí)間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器，在UHF頻段內(nèi)可以作成Q 值超過五萬(wàn)的諧振腔，以及可以作成帶外抑制達(dá)70dB 、頻率達(dá)1 低Hz 的帶通濾波器 MEMS傳感器基本構(gòu)成是什么？

MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測(cè)：

光電導(dǎo)取樣光電導(dǎo)取樣是基于光導(dǎo)天線(photoconductiveantenna,PCA)發(fā)射機(jī)理的逆過程發(fā)展起來的一種探測(cè)THz脈沖信號(hào)的探測(cè)技術(shù)。如要對(duì)THz脈沖信號(hào)進(jìn)行探測(cè)，首先，需將一個(gè)未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中，以便于一個(gè)光學(xué)門控脈沖(探測(cè)脈沖)對(duì)其門控。其中，這個(gè)探測(cè)脈沖和泵浦脈沖有可調(diào)節(jié)的時(shí)間延遲關(guān)系，而這個(gè)關(guān)系可利用一個(gè)延遲線來加以實(shí)現(xiàn)，爾后，用一束探測(cè)脈沖打到光電導(dǎo)介質(zhì)上，這時(shí)在介質(zhì)中能夠產(chǎn)生出電子-空穴對(duì)(自由載流子)，而此時(shí)同步到達(dá)的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場(chǎng)，以此來驅(qū)動(dòng)那些載流子運(yùn)動(dòng)，從而在PCA中形成光電流。用一個(gè)與PCA相連的電流表來探測(cè)這個(gè)電流即可， MEMS歷史悠久，技術(shù)集成程度較高。陜西MEMS微納米加工產(chǎn)業(yè)化

MEMS超表面對(duì)光電場(chǎng)特性的調(diào)控是怎樣的？天津MEMS微納米加工組成

MEMS制作工藝柔性電子的研究發(fā)展：

  在近的10年間，康奈爾大學(xué)、普林斯頓大學(xué)、哈佛大學(xué)、西北大學(xué)、劍橋大學(xué)等國(guó)際有名的大學(xué)都先后建立了柔性電子技術(shù)專門研究機(jī)構(gòu)，對(duì)柔性電子的材料、器件與工藝技術(shù)進(jìn)行了大量研究。柔性電子技術(shù)同樣引起了我國(guó)研究人員的高度關(guān)注與重視，在柔性電子有機(jī)材料制備、有機(jī)電子器件設(shè)計(jì)與應(yīng)用等方面開展了大量的基礎(chǔ)研究工作，并取得了一定進(jìn)展。中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)研究所、中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、華南理工大學(xué)、清華大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、天津大學(xué)、浙江大學(xué)、武漢大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、南京郵電大學(xué)、上海大學(xué)等單位在有機(jī)光電（高）分子材料和器件、發(fā)光與顯示、太陽(yáng)能電池、場(chǎng)效應(yīng)管、場(chǎng)發(fā)射、柔性電子表征和制備、平板顯示技術(shù)、半導(dǎo)體器件和微圖案加工等方面進(jìn)行了頗有成效的研究。近年來，華中科技大學(xué)在RFID封裝和卷到卷制造、廈門大學(xué)在靜電紡絲等方面取得了研究進(jìn)展。

但是在產(chǎn)業(yè)化和定制加工方面，基于柔性PI的器件研究開發(fā)，深圳的民營(yíng)科技走在前列。例如基于柔性PI襯底的太赫茲器件、柔性電生理電極、腦機(jī)接口柔性電極、電刺激/記錄電極、柔性PI超表面器件等等 天津MEMS微納米加工組成