MEMS繼電器與開關(guān)。其優(yōu)勢是體積?。芏雀?，采用微工藝批量制造從而降低成本），速度快，有望取代帶部分傳統(tǒng)電磁式繼電器，并且可以直接與集成電路IC集成，極大地提高產(chǎn)品可靠性。其尺寸微小，接近于固態(tài)開關(guān)，而電路通斷采用與機械接觸（也有部分產(chǎn)品采用其他通斷方式），其優(yōu)勢劣勢基本上介于固態(tài)開關(guān)與傳統(tǒng)機械開關(guān)之間。MEMS繼電器與開關(guān)一般含有一個可移動懸臂梁，主要采用靜電致動原理，當(dāng)提高觸點兩端電壓時，吸引力增加，引起懸臂梁向另一個觸電移動，當(dāng)移動至總行程的1/3時，開關(guān)將自動吸合（稱之為pullin現(xiàn)象）。pullin現(xiàn)象在宏觀世界同樣存在，但是通過計算可以得知所需的閾值電壓高得離譜，所以我們?nèi)粘Ｖ袔缀醪粫吹?。MEMS制作工藝柔性電子的常用材料是什么？廣西MEMS微納米加工設(shè)計

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

高深寬比：硅蝕刻工藝通常需要處理高深寬比的問題，如應(yīng)用在回轉(zhuǎn)儀(gyroscopes)及硬盤機的讀取頭等微機電組件即為此例。另外，此高深寬比的特性也是發(fā)展下一代晶圓級的高密度構(gòu)造連接上的解決方案?？紤]到有關(guān)高深寬比的主要問題，是等離子進出蝕刻反應(yīng)區(qū)的狀況：包括蝕刻劑進入蝕刻接口的困難程度(可借助離子擊穿高分子蔽覆層實現(xiàn))，以及反應(yīng)副產(chǎn)品受制于孔洞中無法脫離。在一般的等離子壓力條件下，離子的準(zhǔn)直性(loncollimation)運動本身就會將高深寬比限制在約50:1。另外，隨著具線寬深度特征離子的大量轉(zhuǎn)移，這些細(xì)微變化可能會改變蝕刻過程中的輪廓。一般說來，隨著蝕刻深度加深，蝕刻劑成分會減少。導(dǎo)致過多的高分子聚合反應(yīng)，和蝕刻出漸窄的線寬。針對上述問題，設(shè)備制造商已發(fā)展出隨著蝕刻深度加深，在工藝條件下逐漸加強的硬件及工藝，這樣即可補償蝕刻劑在大量離子遷徙的變化所造成的影響。 河南MEMS微納米加工市場MEMS微納米加工的未來發(fā)展是什么？

MEMS全稱Micro Electromechanical System，微機電系統(tǒng)。是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級，是一個單獨的智能系統(tǒng)。主要由傳感器、作動器（執(zhí)行器）和微能源三大部分組成。微機電系統(tǒng)涉及物理學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)、電子工程、化學(xué)、材料工程、機械工程、生物醫(yī)學(xué)、信息工程及生物工程等多種學(xué)科和工程技術(shù)，為智能系統(tǒng)、消費電子、可穿戴設(shè)備、智能家居、系統(tǒng)生物技術(shù)的合成生物學(xué)與微流控技術(shù)等領(lǐng)域開拓了廣闊的用途。常見的產(chǎn)品包括MEMS生物微流控芯片、MEMS壓電換能器、PMUT、CMUT、MEMS加速度計、MEMS麥克風(fēng)、微馬達、微泵、微振子、MEMS壓力傳感器、MEMS陀螺儀、MEMS濕度傳感器等以及它們的集成產(chǎn)品。

MEMS制作工藝柔性電子：

柔性電子（Flexible Electronics）是一種技術(shù)的通稱，是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性基板上的新興電子技術(shù)。相對于傳統(tǒng)電子，柔性電子具有更大的靈活性，能夠在一定程度上適應(yīng)不同的工作環(huán)境，滿足設(shè)備的形變要求。但是相應(yīng)的技術(shù)要求同樣制約了柔性電子的發(fā)展。首先，柔性電子在不損壞本身電子性能的基礎(chǔ)上的伸展性和彎曲性，對電路的制作材料提出了新的挑戰(zhàn)和要求；其次，柔性電子的制備條件以及組成電路的各種電子器件的性能相對于傳統(tǒng)的電子器件來說仍然不足，也是其發(fā)展的一大難題。 有哪些較為前沿的MEMS傳感器公司？

MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝：硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應(yīng)氣體生成反應(yīng)活性高的離子和電子，對硅片進行物理轟擊及化學(xué)反應(yīng)，以選擇性的去除我們需要去除的區(qū)域。被刻蝕的物質(zhì)變成揮發(fā)性的氣體，經(jīng)抽氣系統(tǒng)抽離，然后按照設(shè)計圖形要求刻蝕出我們需要實現(xiàn)的深度。干法刻蝕可以實現(xiàn)各向異性，垂直方向的刻蝕速率遠(yuǎn)大于側(cè)向的。其原理如圖所示，生成CF基的聚合物以進行側(cè)壁掩護，以實現(xiàn)各向異性刻蝕刻蝕過程一般來說包含物理濺射性刻蝕和化學(xué)反應(yīng)性刻蝕。對于物理濺射性刻蝕就是利用輝光放電，將氣體解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被蝕刻物的表面，而將被蝕刻物質(zhì)原子擊出(各向異性)。對于化學(xué)反應(yīng)性刻蝕則是產(chǎn)生化學(xué)活性極強的原(分)子團，此原(分)子團擴散至待刻蝕物質(zhì)的表面，并與待刻蝕物質(zhì)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性的反應(yīng)生成物(各向同性)，并被真空設(shè)備抽離反應(yīng)腔全球及中國mems芯片市場有哪些？新疆新型MEMS微納米加工

MEMS聲表面波（即SAW）器件是什么？廣西MEMS微納米加工設(shè)計

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

消費電子產(chǎn)品在MEMSDrive出現(xiàn)之前，手機攝像頭主要由音圈馬達移動鏡頭組的方式實現(xiàn)防抖(簡稱鏡頭防抖技術(shù))，受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防抖技術(shù)：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補償抖動，但由于這個技術(shù)體積龐大、耗電量超出手機載荷，一直無法在手機上應(yīng)用。憑著微機電在體積和功耗上的突破，新的技術(shù)MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達，帶動圖像傳感器在三個旋轉(zhuǎn)軸移動。MEMSDrive的防抖技術(shù)是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計算出馬達應(yīng)做的移動幅度并做出快速補償。這一系列動作都要在百分之一秒內(nèi)做完，你得到的圖像才不會因為抖動模糊掉。 廣西MEMS微納米加工設(shè)計