超聲影像芯片的全集成MEMS設(shè)計(jì)與性能突破：針對(duì)超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發(fā)需求，公司開發(fā)了**SoC超聲收發(fā)芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實(shí)現(xiàn)發(fā)射與開關(guān)復(fù)用，大幅節(jié)省芯片面積的同時(shí)提升性能。在發(fā)射端，通過MEMS高壓驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)±100V峰值輸出電壓與1A持續(xù)輸出電流，較TI同類產(chǎn)品提升30%，滿足深部組織成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采樣率可達(dá)100Msps，信噪比（SNR）達(dá)73.5dB，有效提升弱信號(hào)檢測(cè)能力。芯片采用多層金屬布線與硅通孔（TSV）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)3D堆疊集成，封裝尺寸較傳統(tǒng)方案縮小40%。在二次諧波抑制方面，通過優(yōu)化版圖布局與寄生參數(shù)補(bǔ)償，將5MHz信號(hào)的二次諧波降至-40dBc，優(yōu)于行業(yè)基準(zhǔn)-45dBc，***提升圖像分辨率。目前TX芯片已完成流片，與掌上超聲企業(yè)合作開發(fā)便攜式超聲設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)腹部、心血管等部位的實(shí)時(shí)成像，探頭尺寸*30mm×20mm，重量＜50g，推動(dòng)超聲診斷設(shè)備向小型化、智能化邁進(jìn)，助力基層醫(yī)療場(chǎng)景普及。MEMS的繼電器與開關(guān)是什么？高科技MEMS微納米加工的微流控芯片

MEMS超表面對(duì)特性的調(diào)控：

1.超表面meta-surface對(duì)偏振的調(diào)控：在偏振方面，超表面可實(shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換、旋光、矢量光束產(chǎn)生等功能。

2.超表面meta-surface對(duì)振幅的調(diào)控。超表面可以實(shí)現(xiàn)光的非對(duì)稱透過、消反射、增透射、磁鏡、類EIT效應(yīng)等。

3.超表面meta-surface對(duì)頻率的調(diào)控。超表面的微結(jié)構(gòu)在共振情況下可實(shí)現(xiàn)較強(qiáng)的局域場(chǎng)增強(qiáng)，利用這些局域場(chǎng)增大效應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)非線性信號(hào)或熒光信號(hào)的增強(qiáng)。在可見光波段，不同頻率的光對(duì)應(yīng)不同的顏色，超表面的頻率選擇特性可以用于實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)色。

我們?cè)谧匀唤缰锌吹降念伾珡漠a(chǎn)生原理上可以分為兩大類，一類是由材料的反射、吸收、散射等特性決定的顏色，比如常見的顏料、塑料袋的顏色等；另一類是由物質(zhì)的結(jié)構(gòu)，而不是其所用材料來(lái)決定的顏色，即所謂的結(jié)構(gòu)色，比如蝴蝶的顏色、某些魚類的顏色等。人們利用超表面，可以通過改變其結(jié)構(gòu)單元的尺寸、形狀等幾何參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)超表面的顏色的自由調(diào)控，可用于高像素成像、可視化生物傳感Bio-sensor等領(lǐng)域。 海南MEMS微納米加工銷售廠家跨尺度加工技術(shù)結(jié)合 EBL 與紫外光刻，在單一基板構(gòu)建納米至毫米級(jí)復(fù)合微納結(jié)構(gòu)。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn)：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長(zhǎng)，它們各自比相應(yīng)的電磁波的傳播速度的波長(zhǎng)小十萬(wàn)倍。在VHF和UHF波段內(nèi)，電磁波器件的尺寸是與波長(zhǎng)相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學(xué)模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號(hào)的聲波波長(zhǎng)相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應(yīng)電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面?zhèn)鞑ィ由蟼鞑ニ俣葮O慢，這使得時(shí)變信號(hào)在給定瞬時(shí)可以完全呈現(xiàn)在晶體基片表面上。于是當(dāng)信號(hào)在器件的輸入和輸出端之間行進(jìn)時(shí)，就容易對(duì)信號(hào)進(jìn)行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡(jiǎn)單的方式去。完成其它技術(shù)難以完成或完成起來(lái)過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。

在腦科學(xué)與精細(xì)醫(yī)療領(lǐng)域，公司開發(fā)的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導(dǎo)電性，可定制化設(shè)計(jì)“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機(jī)接口的手術(shù)創(chuàng)傷，同時(shí)提升神經(jīng)信號(hào)采集的信噪比。針對(duì)藥物遞送與檢測(cè)需求，通過干濕結(jié)合刻蝕技術(shù)制備的微針器件，既可實(shí)現(xiàn)組織間液的無(wú)痛提取，又能集成電化學(xué)傳感功能，為糖尿病動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)、透皮給藥系統(tǒng)提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉(zhuǎn)印工藝，可將光刻硅片模板快速轉(zhuǎn)化為PMMA、COC等硬質(zhì)塑料芯片，支持10個(gè)工作日內(nèi)完成從設(shè)計(jì)圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產(chǎn)品的研發(fā)驗(yàn)證周期。磁傳感器和MEMS磁傳感器有什么區(qū)別？

微納結(jié)構(gòu)的多圖拼接測(cè)量技術(shù)：針對(duì)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的完整表征，公司開發(fā)了多圖拼接測(cè)量技術(shù)，結(jié)合SEM與圖像算法實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度的全景成像。首先通過自動(dòng)平移臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行網(wǎng)格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點(diǎn)匹配算法（如SIFT/SURF）進(jìn)行圖像配準(zhǔn)，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區(qū)域。該技術(shù)應(yīng)用于微流控芯片的流道檢測(cè)時(shí)，可快速識(shí)別全長(zhǎng)10cm流道內(nèi)的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測(cè)效率較單圖測(cè)量提升10倍。在納米壓印模具檢測(cè)中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)一致性，特征尺寸偏差＜±1%。公司自主開發(fā)的拼接軟件支持實(shí)時(shí)預(yù)覽與缺陷標(biāo)記，輸出包含尺寸標(biāo)注、粗糙度分析的檢測(cè)報(bào)告，為微納加工的質(zhì)量控制提供了高效工具，尤其適用于復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)與大面積陣列的計(jì)量需求。MEMS具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn)？上海MEMS微納米加工廠家直銷

金屬流道 PDMS 芯片與 PET 基板鍵合，實(shí)現(xiàn)柔性微流控芯片與剛性電路的高效集成。高科技MEMS微納米加工的微流控芯片

MEMS制作工藝壓電器件的常用材料：

氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導(dǎo)體材料（室溫下3.4eV，晶體），它有很多應(yīng)用，如透明導(dǎo)體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測(cè)器。并因?yàn)榭赡軕?yīng)用于薄膜晶體管方面正受到相當(dāng)?shù)年P(guān)注。同時(shí)氧化鋅還具有相當(dāng)良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介紹了基于氧化鋅的新型薄膜晶體管所帶來(lái)的主要優(yōu)勢(shì)，這些薄膜晶體管在下一代柔性電子器件中非常有前途。除此之外，還有眾多的二維材料被應(yīng)用于柔性電子領(lǐng)域，包括石墨烯、半導(dǎo)體氧化物，納米金等。2014年發(fā)表在chemicalreview和naturenanotechnology上的兩篇經(jīng)典綜述詳盡闡述了二維材料在柔性電子的應(yīng)用。 高科技MEMS微納米加工的微流控芯片