MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進(jìn)的微機(jī)電組件包含精細(xì)的可移動性零組件，例如應(yīng)用于加速計(jì)、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項(xiàng)特點(diǎn)是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實(shí)現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 多圖拼接測量技術(shù)通過 SEM 圖像融合，實(shí)現(xiàn)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的亞微米級精度全景表征。MEMSMEMS微納米加工之SAW器件

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

消費(fèi)電子產(chǎn)品在MEMSDrive出現(xiàn)之前，手機(jī)攝像頭主要由音圈馬達(dá)移動鏡頭組的方式實(shí)現(xiàn)防抖(簡稱鏡頭防抖技術(shù))，受到很大的局限。而另一個(gè)在市場上較好的防抖技術(shù)：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補(bǔ)償抖動，但由于這個(gè)技術(shù)體積龐大、耗電量超出手機(jī)載荷，一直無法在手機(jī)上應(yīng)用。憑著微機(jī)電在體積和功耗上的突破，新的技術(shù)MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達(dá)，帶動圖像傳感器在三個(gè)旋轉(zhuǎn)軸移動。MEMSDrive的防抖技術(shù)是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計(jì)算出馬達(dá)應(yīng)做的移動幅度并做出快速補(bǔ)償。這一系列動作都要在百分之一秒內(nèi)做完，你得到的圖像才不會因?yàn)槎秳幽：簟?廣西MEMS微納米加工電話超聲影像 SoC 芯片采用 0.18mm 高壓 SOI 工藝，發(fā)射與開關(guān)復(fù)用設(shè)計(jì)節(jié)省面積并提升性能。

加速度傳感器是很早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS，作為一個(gè)機(jī)械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù)，可以通過設(shè)計(jì)使一個(gè)部件(圖中橙色部件)相對底座substrate產(chǎn)生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個(gè)部件稱為質(zhì)量塊（proofmass）。質(zhì)量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當(dāng)感應(yīng)到加速度時(shí)，質(zhì)量塊相對底座產(chǎn)生位移。通過一些換能技術(shù)可以將位移轉(zhuǎn)換為電能，如果采用電容式傳感結(jié)構(gòu)（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產(chǎn)生電流信號供其信號處理單元采樣。通過梳齒結(jié)構(gòu)可以極大地?cái)U(kuò)大傳感面積，提高測量精度，降低信號處理難度。加速度計(jì)還可以通過壓阻式、力平衡式和諧振式等方式實(shí)現(xiàn)。

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應(yīng)用前景：

在通信系統(tǒng)、雷達(dá)屏蔽、空間勘測等領(lǐng)域都有著重要的應(yīng)用前景，近年來受到學(xué)術(shù)界的關(guān)注?；谖⒚准{米技術(shù)設(shè)計(jì)的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現(xiàn)出優(yōu)異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設(shè)計(jì)，獲得更優(yōu)的頻譜調(diào)制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成，通過理論研究、軟件仿真、流片測試實(shí)現(xiàn)了石墨烯太赫茲調(diào)制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器，通過測試驗(yàn)證了理論和仿真的正確性，將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調(diào)制器可對太赫茲波進(jìn)行調(diào)制。 微納加工產(chǎn)業(yè)化能力覆蓋設(shè)計(jì)、工藝、量產(chǎn)全鏈條，月產(chǎn)能達(dá) 50,000 片并持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新。

MEMS技術(shù)的主要分類：光學(xué)方面相關(guān)的資料與技術(shù)。光學(xué)隨著信息技術(shù)、光通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，MEMS發(fā)展的又一領(lǐng)域是與光學(xué)相結(jié)合，即綜合微電子、微機(jī)械、光電子技術(shù)等基礎(chǔ)技術(shù)，開發(fā)新型光器件，稱為微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)。微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)能把各種MEMS結(jié)構(gòu)件與微光學(xué)器件、光波導(dǎo)器件、半導(dǎo)體激光器件、光電檢測器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統(tǒng)。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產(chǎn)、可精確驅(qū)動和控制等特點(diǎn)。MEMS的深硅刻蝕是什么？甘肅MEMS微納米加工常見問題

隨著科技的不斷進(jìn)步，MEMS 微納米加工的精度正在持續(xù)提高，趨近于原子級別的操控。MEMSMEMS微納米加工之SAW器件

MEMS制作工藝-太赫茲特性：

1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動的電偶極子振蕩產(chǎn)生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術(shù)能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數(shù)等。

2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠(yuǎn)小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質(zhì)，適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。

3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質(zhì)，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強(qiáng)的穿透能力，在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用

4.吸收性:大多數(shù)極性分子對THz有強(qiáng)烈的吸收作用，可以用來進(jìn)行醫(yī)療診斷與產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控

5.瞬態(tài)性:相比于傳統(tǒng)電磁波與光波，THz典型脈寬在皮秒量級，通過光電取樣測量技術(shù)，能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾，在小于3THz時(shí)信噪比達(dá)10人4:1。

6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個(gè)周期的電磁振蕩，!單個(gè)脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍，便于在大的范圍內(nèi)分析物質(zhì)的光譜信息。 MEMSMEMS微納米加工之SAW器件