智能手機迎5G換機潮，傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速滲透，拉動智能手機市場恢復(fù)增長：今年10月份國內(nèi)5G手機出貨量占比已達64%；智能手機整體出貨量方面，在5G的帶動下，根據(jù)IDC今年的預(yù)測，2021年智能手機出貨量相比2020年將增長11.6%，2020-2024年CAGR達5.2%。另一方面，單機傳感器和RFMEMS用量不斷提升，以iPhone為例，2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12，手機智能化程度不斷升，功能不斷豐富，指紋識別、3Dtouch、ToF、麥克風(fēng)組合、深度感知（LiDAR）等功能的加入，使得傳感器數(shù)量（包含非MEMS傳感器）由當(dāng)初的5個增加為原來的4倍至20個以上；5G升級帶來的頻段增加也有望明顯提升單機RF MEMS價值量。硅片、LN 等基板金屬電極加工工藝，通過濺射沉積與剝離技術(shù)實現(xiàn)微米級電極圖案化。個性化MEMS微納米加工組成

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應(yīng)用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 本地MEMS微納米加工哪里有自研超聲收發(fā)芯片輸出電壓達 ±100V、電流 1A，部分性能指標超越國際品牌 TI。

MEMS技術(shù)的主要分類：光學(xué)方面相關(guān)的資料與技術(shù)。光學(xué)隨著信息技術(shù)、光通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，MEMS發(fā)展的又一領(lǐng)域是與光學(xué)相結(jié)合，即綜合微電子、微機械、光電子技術(shù)等基礎(chǔ)技術(shù)，開發(fā)新型光器件，稱為微光機電系統(tǒng)(MOEMS)。微光機電系統(tǒng)(MOEMS)能把各種MEMS結(jié)構(gòu)件與微光學(xué)器件、光波導(dǎo)器件、半導(dǎo)體激光器件、光電檢測器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統(tǒng)。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產(chǎn)、可精確驅(qū)動和控制等特點。

PDMS金屬流道芯片的復(fù)合加工工藝：PDMS金屬流道芯片通過在柔性PDMS流道內(nèi)集成金屬鍍層，實現(xiàn)流體控制與電信號檢測的一體化設(shè)計。加工流程包括：首先利用軟光刻技術(shù)在硅模上制備50-200μm寬度的流道結(jié)構(gòu)，澆筑PDMS預(yù)聚體并固化成型；然后通過氧等離子體處理流道表面，使其親水化以促進金屬前驅(qū)體吸附；采用磁控濺射技術(shù)沉積50-200nm厚度的金/鉑金屬層，經(jīng)化學(xué)鍍增厚至1-5μm，形成連續(xù)導(dǎo)電流道；***與PET基板通過等離子體鍵合密封，確保流體無泄漏。金屬流道的表面粗糙度＜50nm，電阻＜10Ω/cm，適用于電化學(xué)檢測、電滲泵驅(qū)動等場景。典型應(yīng)用如微流控電化學(xué)傳感器，在10μL/min流速下，對葡萄糖的檢測靈敏度達50μA?mM?1?cm?2，線性范圍0.1-20mM，檢測下限＜50μM。公司開發(fā)的自動化生產(chǎn)線可實現(xiàn)流道尺寸的精細控制（誤差＜±2%），并支持金屬層圖案化設(shè)計，如叉指電極、螺旋流道等，滿足不同傳感器的定制需求，為生物檢測與環(huán)境監(jiān)測領(lǐng)域提供了柔性化、集成化的解決方案。MEMS微納米加工的未來發(fā)展是什么？

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導(dǎo)體平面工藝制作的，所以它具有很好的一致性和重復(fù)性，易于大量生產(chǎn)，而且當(dāng)使用某些單晶材料或復(fù)合材料時，聲表面波器件具有極高的溫度穩(wěn)定性。

2.聲表面波器件的抗輻射能力強，動態(tài)范圍很大，可達100dB。這是因為它利用的是晶體表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程此外，在很多情況下，聲表面波器件的性能還遠遠超過了很好的電磁波器件所能達到的水平。比如用聲表面波可以作成時間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器，在UHF頻段內(nèi)可以作成Q值超過五萬的諧振腔，以及可以作成帶外抑制達70dB、頻率達1低Hz的帶通濾波器 128 像素視網(wǎng)膜假體芯片已批量交付，臨床前實驗針對視網(wǎng)膜病變患者重建基本視力。青海MEMS微納米加工之超表面制作

微流控與金屬片電極鑲嵌工藝，解決流道與電極集成的接觸電阻問題并提升檢測穩(wěn)定性。個性化MEMS微納米加工組成

熱敏柔性電極的PI三明治結(jié)構(gòu)加工技術(shù)：熱敏柔性電極采用PI（聚酰亞胺）三明治結(jié)構(gòu)，底層PI作為柔性基板，中間層為金屬電極，上層PI實現(xiàn)絕緣保護，開窗漏出Pad引線位置，兼具柔韌性與電學(xué)性能。加工過程中，首先在25μm厚度的PI基板上通過濺射沉積5μm厚度的銅/金電極層，利用光刻膠作為掩膜進行濕法刻蝕，形成10-50μm寬度的電極圖案，線條邊緣粗糙度＜1μm；然后涂覆10μm厚度的PI絕緣層，通過激光切割開設(shè)引線窗口，窗口定位精度±5μm；***經(jīng)300℃高溫亞胺化處理，提升層間結(jié)合力（剝離強度＞10N/cm）。該電極的彎曲半徑可達5mm，耐彎折次數(shù)＞10萬次，表面電阻＜5Ω/□，適用于可穿戴體溫監(jiān)測、心率傳感器等設(shè)備。在醫(yī)療領(lǐng)域，用于術(shù)后傷口熱敷的柔性加熱電極，可通過調(diào)節(jié)輸入電壓實現(xiàn)37-42℃精細控溫，溫度均勻性誤差＜±0.5℃，避免局部過熱損傷組織。公司支持電極圖案的個性化設(shè)計，可集成熱電偶、NTC熱敏電阻等傳感器，實現(xiàn)“感知-驅(qū)動”一體化，推動柔性電子技術(shù)在醫(yī)療健康與智能設(shè)備中的廣泛應(yīng)用。個性化MEMS微納米加工組成