太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現(xiàn)太赫茲波發(fā)射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統(tǒng)剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現(xiàn)對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態(tài)下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫(yī)學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水分含量，分辨率達0.1%，檢測時間＜1秒，較傳統(tǒng)電阻法精度提升5倍。公司開發(fā)的納米壓印技術實現(xiàn)了天線陣列的低成本復制，單晶圓（4英寸）產(chǎn)能達1000片以上，良率＞85%，推動太赫茲技術從實驗室走向便攜式設備，為無損檢測與生物傳感提供了全新維度的解決方案。MEMS制作工藝中，以PI為特色的柔性電子出現(xiàn)填補了不少空白。重慶MEMS微納米加工之超表面制作

超薄石英玻璃雙面套刻加工技術解析：在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進行雙面套刻加工，是實現(xiàn)高集成度微流控芯片與光學器件的關鍵技術。公司采用激光微加工與紫外光刻結合工藝，首先通過CO?激光切割實現(xiàn)玻璃基板的高精度成型（邊緣誤差＜±5μm），然后利用雙面光刻對準系統(tǒng)（精度±1μm）進行微結構加工。正面通過干法刻蝕制備5-50μm深度的微流道，背面采用離子束濺射沉積100nm厚度的金屬電極層，經(jīng)光刻剝離形成微米級電極陣列。針對玻璃材質(zhì)的脆性特點，開發(fā)了低溫鍵合技術（150-200℃），使用硅基粘合劑實現(xiàn)雙面結構的密封，鍵合強度＞3MPa，耐水壓＞50kPa。該技術應用于光聲成像芯片時，正面微流道實現(xiàn)樣本輸送，背面電極陣列同步激發(fā)光聲信號，光-電信號延遲＜10ns，成像分辨率達50μm。此外，超薄玻璃的高透光性（＞95%@400-1000nm）與化學穩(wěn)定性，使其成為熒光檢測、拉曼光譜分析等**芯片的優(yōu)先基板，公司已實現(xiàn)4英寸晶圓級批量加工，成品率＞90%，為光學微系統(tǒng)集成提供了可靠的制造平臺。中國臺灣MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹可降解聚合物加工工藝儲備，為體內(nèi)短期植入檢測芯片提供生物相容性材料解決方案。

MEA柔性電極的MEMS制造工藝：公司開發(fā)的腦機接口用MEA（微電極陣列）柔性電極，采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底，通過光刻、金屬蒸鍍與電化學沉積工藝，構建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮至20微米，間距50微米，表面修飾PEDOT:PSS導電聚合物，電荷注入容量（CIC）達2mC/cm2，信噪比（SNR）提升至25dB以上。制造過程中，通過激光切割與等離子體鍵合技術，實現(xiàn)電極與柔性電路的可靠封裝。該工藝支持定制化設計，例如針對癲癇監(jiān)測的16通道電極，植入后機械應力降低70%，使用壽命延長至3年。此外，電極陣列可集成于類***培養(yǎng)芯片，實時監(jiān)測神經(jīng)元放電頻率與網(wǎng)絡同步性，為神經(jīng)退行性疾病研究提供動態(tài)數(shù)據(jù)支持。

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優(yōu)化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝光顯影，形成電極圖案；再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層，***通過**剝離得到完整電極結構。電極線條寬度可控制在10-500μm，邊緣粗糙度＜5μm，接觸電阻＜1Ω?cm2。針對植入式醫(yī)療器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂層處理，通過硅烷偶聯(lián)劑共價鍵合，涂層厚度5-10nm，可將蛋白吸附量降低90%以上，炎癥反應發(fā)生率下降60%。該技術應用于神經(jīng)電極時，16通道電極陣列的信號噪聲比＞20dB，可穩(wěn)定記錄單個神經(jīng)元放電信號達3個月以上。在傳感器領域，硅基金電極對葡萄糖的檢測靈敏度達100μA?mM?1?cm?2，線性范圍0.01-10mM，適用于血糖監(jiān)測芯片。公司支持多種金屬材料（如鈦、鉑、銥）與基板的組合加工，滿足不同應用場景對電極導電性、耐腐蝕性的需求。超聲芯片封裝采用三維堆疊技術，縮小尺寸 40% 并提升信噪比至 73.5dB，優(yōu)化成像質(zhì)量。

柔性電極的生物相容性表面改性技術：柔性電極的長期植入性能依賴于表面生物相容性改性，公司采用多層涂層工藝解決蛋白吸附與炎癥反應問題。以PI基柔性電極為基底，首先通過等離子體處理引入羥基基團，然后接枝硅烷偶聯(lián)劑（如APTES）形成活性界面，再通過層層自組裝技術沉積PEG（聚乙二醇）與殼聚糖復合層，**終涂層厚度5-15nm。該涂層可使水接觸角從85°降至50°，蛋白吸附量從100ng/cm2降至＜10ng/cm2，中性粒細胞黏附率下降80%。在動物植入實驗中，改性后的電極在體內(nèi)留置3個月，周圍組織纖維化程度較未處理組減輕60%，信號衰減＜15%，而對照組衰減達40%。該技術適用于神經(jīng)電極、心臟起搏電極等植入器件，結合MEMS加工的超薄化設計（電極厚度＜10μm），降低手術創(chuàng)傷與長期植入風險。公司支持定制化涂層配方，可根據(jù)應用場景調(diào)整親疏水性、電荷性質(zhì)及生物活性分子（如生長因子）接枝，為植入式醫(yī)療設備提供個性化表面改性解決方案。深反應離子刻蝕是 MEMS 微納米加工中常用的刻蝕工藝，可用于制造高深寬比的微結構。海南MEMS微納米加工圖片

MEMS微納米加工的未來發(fā)展是什么？重慶MEMS微納米加工之超表面制作

金屬流道PDMS芯片與PET基板的鍵合工藝：金屬流道PDMS芯片通過與帶有金屬結構的PET基板鍵合，實現(xiàn)柔性微流控芯片與剛性電路的集成，兼具流體處理與電信號控制功能。鍵合前，PDMS流道采用氧等離子體活化處理（功率100W，時間30秒），使表面羥基化；PET基板通過電暈處理提升表面能，濺射1μm厚度的銅層并蝕刻形成電極圖案。鍵合過程在真空環(huán)境下進行，施加0.5MPa壓力并保持30分鐘，形成化學共價鍵，剝離強度＞5N/cm。金屬流道內(nèi)的電解液與外部電路通過鍵合區(qū)的Pad連接，接觸電阻＜100mΩ，確保信號穩(wěn)定傳輸。該技術應用于微流控電化學檢測芯片時，可在10μL的反應體系內(nèi)實現(xiàn)多參數(shù)同步檢測，如pH、離子濃度與氧化還原電位，檢測精度均優(yōu)于±1%。公司優(yōu)化了鍵合設備的溫度與壓力控制算法，將鍵合缺陷率（如氣泡、邊緣溢膠）降至0.5%以下，支持大規(guī)模量產(chǎn)。此外，PET基板的可裁剪性與低成本特性，使得該芯片適用于一次性檢測試劑盒，單芯片成本較玻璃/硅基方案降低60%，為POCT設備廠商提供了高性價比的集成方案。重慶MEMS微納米加工之超表面制作