MEMS具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn)，微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)。MEMS技術(shù)的目標(biāo)是通過(guò)系統(tǒng)的微型化、集成化來(lái)探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。 MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域，幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域，如電子技術(shù)、機(jī)械技術(shù)、物理學(xué)、化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)、能源科學(xué)等。MEMS是一個(gè)單獨(dú)的智能系統(tǒng)，可大批量生產(chǎn)，其系統(tǒng)尺寸在幾毫米乃至更小，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)。例如，常見(jiàn)的MEMS產(chǎn)品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm，甚至更小。微機(jī)電系統(tǒng)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和更高級(jí)別的系統(tǒng)方面將有著廣泛的應(yīng)用前景。主要民用領(lǐng)域是電子、醫(yī)學(xué)、工業(yè)、汽車(chē)和航空航天系統(tǒng)。多圖拼接測(cè)量技術(shù)通過(guò) SEM 圖像融合，實(shí)現(xiàn)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的亞微米級(jí)精度全景表征。四川MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹

MEMS制作工藝柔性電子出現(xiàn)的意義：

柔性電子技術(shù)有可能帶來(lái)一場(chǎng)電子技術(shù)進(jìn)步，引起全世界的很多的關(guān)注并得到了迅速發(fā)展。美國(guó)《科學(xué)》雜志將有機(jī)電子技術(shù)進(jìn)展列為2000年世界幾大科技成果之一，與人類(lèi)基因組草圖、生物克隆技術(shù)等重大發(fā)現(xiàn)并列。美國(guó)科學(xué)家艾倫黑格、艾倫·馬克迪爾米德和日本科學(xué)家白川英樹(shù)由于他們?cè)趯?dǎo)電聚合物領(lǐng)域的開(kāi)創(chuàng)性工作獲得2000年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)。

柔性電子技術(shù)是行業(yè)新興領(lǐng)域，它的出現(xiàn)不但整合電子電路、電子組件、材料、平面顯示、納米技術(shù)等領(lǐng)域技術(shù)外，同時(shí)橫跨半導(dǎo)體、封測(cè)、材料、化工、印刷電路板、顯示面板等產(chǎn)業(yè)，可協(xié)助傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，如塑料、印刷、化工、金屬材料等產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型。其在信息、能源、醫(yī)療、制造等各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用重要性日益凸顯，已成為世界多國(guó)和跨國(guó)企業(yè)競(jìng)相發(fā)展的前沿技術(shù)。美國(guó)、歐盟、英國(guó)、日本等相繼制定了柔性電子發(fā)展戰(zhàn)略并投入大量科研經(jīng)費(fèi)，旨在未來(lái)的柔性電子研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展中搶占先機(jī)。 重慶MEMS微納米加工方法128 像素視網(wǎng)膜假體芯片已批量交付，臨床前實(shí)驗(yàn)針對(duì)視網(wǎng)膜病變患者重建基本視力。

超薄石英玻璃雙面套刻加工技術(shù)解析：在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進(jìn)行雙面套刻加工，是實(shí)現(xiàn)高集成度微流控芯片與光學(xué)器件的關(guān)鍵技術(shù)。公司采用激光微加工與紫外光刻結(jié)合工藝，首先通過(guò)CO?激光切割實(shí)現(xiàn)玻璃基板的高精度成型（邊緣誤差＜±5μm），然后利用雙面光刻對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（精度±1μm）進(jìn)行微結(jié)構(gòu)加工。正面通過(guò)干法刻蝕制備5-50μm深度的微流道，背面采用離子束濺射沉積100nm厚度的金屬電極層，經(jīng)光刻剝離形成微米級(jí)電極陣列。針對(duì)玻璃材質(zhì)的脆性特點(diǎn)，開(kāi)發(fā)了低溫鍵合技術(shù)（150-200℃），使用硅基粘合劑實(shí)現(xiàn)雙面結(jié)構(gòu)的密封，鍵合強(qiáng)度＞3MPa，耐水壓＞50kPa。該技術(shù)應(yīng)用于光聲成像芯片時(shí)，正面微流道實(shí)現(xiàn)樣本輸送，背面電極陣列同步激發(fā)光聲信號(hào)，光-電信號(hào)延遲＜10ns，成像分辨率達(dá)50μm。此外，超薄玻璃的高透光性（＞95%@400-1000nm）與化學(xué)穩(wěn)定性，使其成為熒光檢測(cè)、拉曼光譜分析等**芯片的優(yōu)先基板，公司已實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓級(jí)批量加工，成品率＞90%，為光學(xué)微系統(tǒng)集成提供了可靠的制造平臺(tái)。

熱敏柔性電極的PI三明治結(jié)構(gòu)加工技術(shù)：熱敏柔性電極采用PI（聚酰亞胺）三明治結(jié)構(gòu)，底層PI作為柔性基板，中間層為金屬電極，上層PI實(shí)現(xiàn)絕緣保護(hù)，開(kāi)窗漏出Pad引線位置，兼具柔韌性與電學(xué)性能。加工過(guò)程中，首先在25μm厚度的PI基板上通過(guò)濺射沉積5μm厚度的銅/金電極層，利用光刻膠作為掩膜進(jìn)行濕法刻蝕，形成10-50μm寬度的電極圖案，線條邊緣粗糙度＜1μm；然后涂覆10μm厚度的PI絕緣層，通過(guò)激光切割開(kāi)設(shè)引線窗口，窗口定位精度±5μm；***經(jīng)300℃高溫亞胺化處理，提升層間結(jié)合力（剝離強(qiáng)度＞10N/cm）。該電極的彎曲半徑可達(dá)5mm，耐彎折次數(shù)＞10萬(wàn)次，表面電阻＜5Ω/□，適用于可穿戴體溫監(jiān)測(cè)、心率傳感器等設(shè)備。在醫(yī)療領(lǐng)域，用于術(shù)后傷口熱敷的柔性加熱電極，可通過(guò)調(diào)節(jié)輸入電壓實(shí)現(xiàn)37-42℃精細(xì)控溫，溫度均勻性誤差＜±0.5℃，避免局部過(guò)熱損傷組織。公司支持電極圖案的個(gè)性化設(shè)計(jì)，可集成熱電偶、NTC熱敏電阻等傳感器，實(shí)現(xiàn)“感知-驅(qū)動(dòng)”一體化，推動(dòng)柔性電子技術(shù)在醫(yī)療健康與智能設(shè)備中的廣泛應(yīng)用。PDMS 金屬流道加工技術(shù)可在柔性流道內(nèi)沉積金屬鍍層，實(shí)現(xiàn)電化學(xué)檢測(cè)與流體控制一體化。

PDMS金屬流道芯片的復(fù)合加工工藝：PDMS金屬流道芯片通過(guò)在柔性PDMS流道內(nèi)集成金屬鍍層，實(shí)現(xiàn)流體控制與電信號(hào)檢測(cè)的一體化設(shè)計(jì)。加工流程包括：首先利用軟光刻技術(shù)在硅模上制備50-200μm寬度的流道結(jié)構(gòu)，澆筑PDMS預(yù)聚體并固化成型；然后通過(guò)氧等離子體處理流道表面，使其親水化以促進(jìn)金屬前驅(qū)體吸附；采用磁控濺射技術(shù)沉積50-200nm厚度的金/鉑金屬層，經(jīng)化學(xué)鍍?cè)龊裰?-5μm，形成連續(xù)導(dǎo)電流道；***與PET基板通過(guò)等離子體鍵合密封，確保流體無(wú)泄漏。金屬流道的表面粗糙度＜50nm，電阻＜10Ω/cm，適用于電化學(xué)檢測(cè)、電滲泵驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。典型應(yīng)用如微流控電化學(xué)傳感器，在10μL/min流速下，對(duì)葡萄糖的檢測(cè)靈敏度達(dá)50μA?mM?1?cm?2，線性范圍0.1-20mM，檢測(cè)下限＜50μM。公司開(kāi)發(fā)的自動(dòng)化生產(chǎn)線可實(shí)現(xiàn)流道尺寸的精細(xì)控制（誤差＜±2%），并支持金屬層圖案化設(shè)計(jì)，如叉指電極、螺旋流道等，滿(mǎn)足不同傳感器的定制需求，為生物檢測(cè)與環(huán)境監(jiān)測(cè)領(lǐng)域提供了柔性化、集成化的解決方案。MEMS 微納米加工技術(shù)是現(xiàn)代制造業(yè)中的關(guān)鍵領(lǐng)域，它能夠在微觀尺度上制造出高精度的器件。陜西MEMS微納米加工平臺(tái)

全球及中國(guó)mems芯片市場(chǎng)有哪些？四川MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進(jìn)的微機(jī)電組件包含精細(xì)的可移動(dòng)性零組件，例如應(yīng)用于加速計(jì)、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門(mén)、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項(xiàng)特點(diǎn)是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對(duì)非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實(shí)現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 四川MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹