太赫茲柔性電極的雙面結(jié)構(gòu)設(shè)計與加工:太赫茲柔性電極以PI為基底,采用雙面結(jié)構(gòu)設(shè)計,上層實現(xiàn)太赫茲波發(fā)射/接收,下層集成信號處理電路,解決了傳統(tǒng)剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括:首先在雙面拋光的PI基板上,利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列(如蝴蝶結(jié)、螺旋結(jié)構(gòu)),特征尺寸達500nm,周期1-2μm,實現(xiàn)對0.1-1THz頻段的高效耦合;背面通過薄膜沉積技術(shù)制備氮化硅絕緣層,濺射銅箔形成共面波導(dǎo)傳輸線,線寬控制精度±10nm,特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度<50μm,彎曲狀態(tài)下信號衰減<3dB,適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水分含量,分辨率達0.1%,檢測時間<1秒,較傳統(tǒng)電阻法精度提升5倍。公司開發(fā)的納米壓印技術(shù)實現(xiàn)了天線陣列的低成本復(fù)制,單晶圓(4英寸)產(chǎn)能達1000片以上,良率>85%,推動太赫茲技術(shù)從實驗室走向便攜式設(shè)備,為無損檢測與生物傳感提供了全新維度的解決方案。超聲影像 SoC 芯片采用 0.18mm 高壓 SOI 工藝,發(fā)射與開關(guān)復(fù)用設(shè)計節(jié)省面積并提升性能。寧夏MEMS微納米加工出廠價格
MEMS制作工藝-太赫茲傳感器:
超材料(Metamaterial)是一種由周期性亞波長金屬諧振的單元陣列組成的人工復(fù)合型電磁材料,通過合理的設(shè)計單元結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)特殊的電磁特性,主要包括隱身、完美吸和負(fù)折射等特性。目前,隨著太赫茲技術(shù)的快速發(fā)展,太赫茲超材料器件已成為當(dāng)前科研的研究熱點,在濾波器、吸收器、偏振器、太赫茲成像、光譜和生物傳感器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。
這項研究提出了一種全光學(xué)、端到端的衍射傳感器,用于快速探測隱藏結(jié)構(gòu)。這種衍射太赫茲傳感器具有獨特的架構(gòu),由一對編碼器和解碼器構(gòu)成的衍射網(wǎng)絡(luò)組成,每個網(wǎng)絡(luò)都承擔(dān)著結(jié)構(gòu)化照明和空間光譜編碼的獨特職責(zé),這種設(shè)計較為新穎。基于這種獨特的架構(gòu),研究人員展示了概念驗證的隱藏缺陷探測傳感器。實驗結(jié)果和分析成功證實了該單像素衍射太赫茲傳感器的可行性,該傳感器使用脈沖照明來識別測試樣品內(nèi)各種未知形狀和位置的隱藏缺陷,具有誤報率極低、無需圖像形成和采集以及數(shù)字處理步驟等特點。 中國臺灣MEMS微納米加工的微流控芯片隨著科技的不斷進步,MEMS 微納米加工的精度正在持續(xù)提高,趨近于原子級別的操控。
微納結(jié)構(gòu)的臺階儀與SEM測量技術(shù):臺階儀與掃描電子顯微鏡(SEM)是微納加工中關(guān)鍵的計量手段,確保結(jié)構(gòu)尺寸與表面形貌符合設(shè)計要求。臺階儀采用觸針式或光學(xué)式測量,可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內(nèi)的輪廓信息,分辨率達0.1nm,適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如,在深硅刻蝕工藝中,通過臺階儀監(jiān)測刻蝕深度(精度±1%),確保流道深度均勻性<2%。SEM則用于納米級結(jié)構(gòu)觀測,配備二次電子探測器,可實現(xiàn)5nm分辨率的表面形貌成像,用于微流道側(cè)壁粗糙度(Ra<50nm)、微孔孔徑(誤差<±5nm)的檢測。在PDMS模具復(fù)制過程中,SEM檢測模具結(jié)構(gòu)的完整性,避免因缺陷導(dǎo)致的芯片流道堵塞。公司建立了標(biāo)準(zhǔn)化測量流程,針對不同材料與結(jié)構(gòu)選擇合適的測量方法,如柔性PDMS芯片采用光學(xué)臺階儀非接觸測量,硬質(zhì)芯片結(jié)合SEM與臺階儀進行三維尺寸分析。通過大數(shù)據(jù)統(tǒng)計過程控制(SPC),將關(guān)鍵尺寸的CPK值提升至1.67以上,確保加工精度滿足需求,為客戶提供可追溯的質(zhì)量保障。
MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
運動追蹤在運動員的日常訓(xùn)練中,MEMS傳感器可以用來進行3D人體運動測量,通過基于聲學(xué)TOF,或者基于光學(xué)的TOF技術(shù),對每一個動作進行記錄,教練們對結(jié)果分析,反復(fù)比較,以便提高運動員的成績。隨著MEMS技術(shù)的進一步發(fā)展,MEMS傳感器的價格也會隨著降低,這在大眾健身房中也可以廣泛應(yīng)用。在滑雪方面,3D運動追蹤中的壓力傳感器、加速度傳感器、陀螺儀以及GPS可以讓使用者獲得極精確的觀察能力,除了可提供滑雪板的移動數(shù)據(jù)外,還可以記錄使用者的位置和距離。在沖浪方面也是如此,安裝在沖浪板上的3D運動追蹤,可以記錄海浪高度、速度、沖浪時間、漿板距離、水溫以及消耗的熱量等信息。 MEMS的芯片制造過程是怎么樣的?
智能手機迎5G換機潮,傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面,5G加速滲透,拉動智能手機市場恢復(fù)增長:今年10月份國內(nèi)5G手機出貨量占比已達64%;智能手機整體出貨量方面,在5G的帶動下,根據(jù)IDC今年的預(yù)測,2021年智能手機出貨量相比2020年將增長11.6%,2020-2024年CAGR達5.2%。另一方面,單機傳感器和RFMEMS用量不斷提升,以iPhone為例,2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12,手機智能化程度不斷升,功能不斷豐富,指紋識別、3Dtouch、ToF、麥克風(fēng)組合、深度感知(LiDAR)等功能的加入,使得傳感器數(shù)量(包含非MEMS傳感器)由當(dāng)初的5個增加為原來的4倍至20個以上;5G升級帶來的頻段增加也有望明顯提升單機RF MEMS價值量。全球及中國mems芯片市場有哪些?西藏MEMS微納米加工原料
PVD磁控濺射、PECVD氣相沉積、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕是構(gòu)成MEMS技術(shù)的必備工藝。寧夏MEMS微納米加工出廠價格
高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應(yīng)用創(chuàng)新:高壓SOI(絕緣體上硅)工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術(shù),公司在0.18μm節(jié)點實現(xiàn)了發(fā)射與開關(guān)電路的集成創(chuàng)新。通過SOI襯底的埋氧層(厚度1μm)隔離高壓器件與低壓控制電路,耐壓能力達200V以上,漏電流<1nA,適用于神經(jīng)電刺激、超聲驅(qū)動等高壓場景。在神經(jīng)電子芯片中,高壓SOI工藝實現(xiàn)了128通道**驅(qū)動,每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調(diào),幅度0-100V可控,脈沖邊沿抖動<5ns,確保精細(xì)的神經(jīng)信號調(diào)制。與傳統(tǒng)體硅工藝相比,SOI芯片的寄生電容降低40%,功耗節(jié)省30%,芯片面積縮小50%。公司優(yōu)化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝,將襯底厚度控制在100μm以下,支持芯片的柔性化封裝。該技術(shù)突破了高壓器件與低壓電路的集成瓶頸,推動MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向發(fā)展,在植入式醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制傳感器等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。寧夏MEMS微納米加工出廠價格