引理**近有朋友說關(guān)于加熱爐出現(xiàn)燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設(shè)計了一個加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設(shè)計連接方式為星形連接，其中一臺設(shè)備采用了三角形連接方式，結(jié)果晶閘管經(jīng)常被燒毀，問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個問題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個方面進(jìn)行分析。本文分析采用理論與實際相結(jié)合形式，讀者根據(jù)需求選擇部分章節(jié)進(jìn)行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導(dǎo)通控制電阻絲功率的調(diào)功器。調(diào)功器的控制方式：晶閘管零電壓開關(guān)，在時間周期T內(nèi)，晶閘管全導(dǎo)通周波數(shù)對應(yīng)的時間Tm，晶閘管關(guān)閉時間T-Tm，采用控制方式通常為PID控制，根據(jù)當(dāng)前溫度與目標(biāo)控制溫度差值，PID調(diào)節(jié)器輸出值決定導(dǎo)通周波數(shù)時間，在晶閘管導(dǎo)通時，負(fù)載電壓等于相電壓，在晶閘管關(guān)段時，負(fù)載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯(lián)星接每個控制周期T的平均電壓為：每個控制周期T的電阻加熱量為：可見電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大，加熱量越大。而電爐子的傳遞函數(shù)仍然可用《自動控制原理》一文中的公式進(jìn)行計算。正高電氣以發(fā)展求壯大，就一定會贏得更好的明天。濟(jì)南MTDC100晶閘管智能模塊品牌

晶閘管智能模塊工作原理

晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內(nèi)，通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度，然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環(huán)系統(tǒng)，來保持爐內(nèi)溫度恒定。

晶閘管智能模塊過壓保護(hù)：

晶閘管智能模塊工作時由導(dǎo)通到截止時或因雷擊及其他原因都會產(chǎn)生能量較大，持續(xù)時間較長的過電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會使晶閘管超過額定電壓而擊穿，為了保護(hù)晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 濟(jì)南MTDC100晶閘管智能模塊品牌正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來！

 某加熱爐控制柜，需要控制額定電壓為380V，比較大工作電流為150A的加熱爐，應(yīng)使用什么規(guī)格型號的模塊？

《使用說明書》中的選型計算公式：I>K×I負(fù)載×U比較大/U實際

K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=1點5，感性負(fù)載K=2

I負(fù)載：負(fù)載流過的比較大電流

U比較大：負(fù)載上的**小電壓

U實際：模塊能輸出的比較大電壓（三相整流模塊為輸入電壓的1點35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0點9倍，其余規(guī)格均為1點0倍）

I：需要選擇模塊的**小電流，模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。

    ⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路折疊正常使用條件⑴海拔高度不超過2000M。⑵環(huán)境溫度:-40℃-+50℃。⑶空氣比較大相對濕度不超過90%(在相當(dāng)于空氣溫度20±5℃)。⑷運行地點無導(dǎo)電塵埃，沒有腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。⑸無劇烈振動和沖擊。折疊工作原理本控制板是以工業(yè)級的單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)系統(tǒng)，它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。折疊技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓:≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源:單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號:三相同步,AC380V，50HZ，電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號:DC0∽10V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤10V，其他需定制(5)IF電流反饋信號:DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑹1F電流反饋信號:DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑺2F電流反饋信號:DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ。正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務(wù)。

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數(shù)量級。對于電動機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產(chǎn)生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產(chǎn)品的問世是當(dāng)今電力電子器件長足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發(fā)軟起動行業(yè)的一場**。晶閘管軟啟動器主要性能優(yōu)于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復(fù)性好，保護(hù)周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。我公司將以優(yōu)良的產(chǎn)品，周到的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)！濟(jì)南MTDC100晶閘管智能模塊品牌

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    晶閘管是晶體閘流管的簡稱，原名可控硅整流器（SCR），簡稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關(guān)斷晶閘管。晶閘管的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體器件從弱電領(lǐng)域進(jìn)入強(qiáng)電領(lǐng)域。主要應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓、開關(guān)等方面，應(yīng)用**多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的器件，引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉(zhuǎn)換條件：主要參數(shù)1）額定正向平均電流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2）維持電流。在規(guī)定環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下，保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小正向電流。3）門極觸發(fā)電壓。在規(guī)定環(huán)境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通，控制極所需的**小電壓，一般為1~5V。4）門極觸發(fā)電流。在規(guī)定環(huán)境溫度即一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通，控制極所需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。5）正向重復(fù)峰值電壓。在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，稱為正向重復(fù)峰值電壓。6）正向重復(fù)峰值電流。在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓。濟(jì)南MTDC100晶閘管智能模塊品牌

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