任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:
1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時進(jìn)行。
2 可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。
3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機(jī)的承載能力及傳動效率測定同時進(jìn)行,也可單獨(dú)進(jìn)行,被測減速機(jī)在符合規(guī)定時,讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度
淄博正高電氣有限公司重信譽(yù)、守合同,嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān),熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察,洽談業(yè)務(wù)!濱州反并聯(lián)可控硅模塊廠家選擇可控硅模塊時不能只看表面,應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇,選用可控硅模塊的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。
1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:
(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷:風(fēng)速≥6m/s,風(fēng)溫≤40℃;
(2)水冷:流量≥4L/mm,壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;
(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃;
(4)空氣相對濕度≤85%;
(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃;
(6)氣壓86—106Kpa;
(7)無劇烈震動或沖擊;
(8)若有特殊場合,應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗,證明工作可靠方可使用。 濱州反并聯(lián)可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓。
過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。
可控硅模塊對過電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。
可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)
(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個螺釘要順次固定,用力要均勻,重復(fù)幾回,直至強(qiáng)健,使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。
(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后,筆直固定于機(jī)箱合適方位。
(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,并堅持超卓的平面壓力觸摸,阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。
(4)為延伸商品運(yùn)用壽數(shù),主張每隔3-4個月維護(hù)一次,替換一次導(dǎo)熱硅脂,鏟除外表塵土,緊固各壓線螺釘。 淄博正高電氣有限公司創(chuàng)新發(fā)展,努力拼搏。
可控硅元件控制大電感負(fù)載時會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時,其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個高電壓,這個電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端,然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。日照快恢復(fù)可控硅模塊供應(yīng)商
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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。 濱州反并聯(lián)可控硅模塊廠家
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