調(diào)試告結(jié)束。13、注意事項(xiàng)，請(qǐng)取下控制板，否則可能造成控制板長(zhǎng)久性損壞。，恕不另行通知。，本公司概不負(fù)責(zé)。MPU器件是一種CMOS器件，使用時(shí)應(yīng)注意，器件的兩個(gè)引腳之間嚴(yán)禁短路，否則將損壞芯片，為保護(hù)器件的安全，因此忌用萬用表直接測(cè)量器件的引腳。，控制板上有高壓電，請(qǐng)注意，以免觸電。14.問題討論控制電路上已經(jīng)把過壓保護(hù)電平固定在額定輸出電壓的，當(dāng)進(jìn)行定額電壓整定時(shí)，過壓保護(hù)就自動(dòng)整定好了。若覺得，可改變控制板上的R28電阻值，減小R28，過壓保護(hù)電平增高；反之減小?？刂齐娐飞弦呀?jīng)把過流保護(hù)電平固定在額定直流電流的，當(dāng)進(jìn)行額定電流的整定時(shí)，過流保護(hù)就自動(dòng)設(shè)定好。若覺得，增大R27，過流保護(hù)電平增高，反之減小。當(dāng)，可在系統(tǒng)運(yùn)行于重負(fù)荷下，逆時(shí)針調(diào)節(jié)控制板上的W1電流反饋微調(diào)電位器，使直流表達(dá)到額定值。這與一般的中頻電源的電源整定是一樣的。一定要使它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率，否則，系統(tǒng)由于它激頻率的“拽著”而不能正常運(yùn)行。它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率。對(duì)熔煉負(fù)載來說，恒功率輸出是很重要的，要想使恒功率的范圍大，就要使逆變引前角從**小變到比較大的范圍盡可能的大，同時(shí)負(fù)載阻抗的匹配也很重要。正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項(xiàng)對(duì)制造、檢測(cè)、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。青島MTAC100晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

晶閘管智能模塊過流保護(hù)：

加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升，會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會(huì)使電流增大，電流過大后會(huì)超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護(hù)措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護(hù)作用。 山東MTDC150晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)正高電氣擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。

    水冷裝置在作此項(xiàng)調(diào)試時(shí)，必須通水冷卻。當(dāng)調(diào)試場(chǎng)地的電源供不出裝置的額定電流時(shí)，額定電流的整定，可放在現(xiàn)場(chǎng)滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)進(jìn)行。但是，應(yīng)先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測(cè)逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器，使頻率表的讀數(shù)與示波器測(cè)得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測(cè)得比較高它激頻率，另一方面是價(jià)格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級(jí)線連接是否正確，逆變未級(jí)上的LED亮度是否正常，不亮則說明逆變末級(jí)的E和C接線端子接反了；再把主控板上CON3-5對(duì)外的連線解掉，看熄滅的LED逆變末級(jí)是否處在逆變橋的對(duì)角線位置。把主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置，把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋到底，調(diào)節(jié)控制板上的W6微調(diào)電位器，使比較高它激頻率高于槽路諧振頻率的，W3、W4微調(diào)電位器旋在中間位置。把面板上的“給定”電位器順時(shí)針稍微旋大，這時(shí)它激頻率開始從高往底掃描（從頻率表中可以看出）。

    ：觸發(fā)脈峰值電壓：≥22V觸發(fā)脈峰值電流：≥3A觸發(fā)脈沖前沿陡度：≥2A/μS（逆變的觸發(fā)脈沖變壓器是外接的）比較大外型尺寸：238×175×40mm。：控制板在檢測(cè)到故障信號(hào)時(shí)，輸出一組接點(diǎn)信號(hào)，該接點(diǎn)容量為AC：5A/220V：DC：10A/28V。6、電路原理整個(gè)控制電路除逆變末級(jí)觸發(fā)單元外，做成一塊印刷電路板結(jié)構(gòu)。功能上包括電源、整流觸發(fā)、調(diào)節(jié)器、逆變、啟動(dòng)演算等，除調(diào)節(jié)器為模擬運(yùn)算電路外，其余均為數(shù)字電路。組成該控制板的集成電路為IC6，型號(hào)為MPU-2，它是一塊**超大規(guī)模數(shù)字集成電路，有3路時(shí)鐘輸入口，31路輸入/輸出口，內(nèi)部功能包括整流移相觸發(fā)、相序自適應(yīng)、逆變觸發(fā)、逆變引前角鎖定、逆變重復(fù)起動(dòng)、過流保護(hù)、過壓保護(hù)、缺相保護(hù)、水壓低保護(hù)、控制板欠壓保護(hù)，另外還有三個(gè)。這部分電路包括三相同步、相序自適應(yīng)、壓控時(shí)鐘、數(shù)字觸發(fā)、末級(jí)驅(qū)動(dòng)等電路。三相同步信號(hào)直接由晶閘管的門極引線K4、K6、K2從主回路的三相進(jìn)線上取得，由R3、C1、R7、C2、R11、C3進(jìn)行濾波，再經(jīng)6只光電耦合器進(jìn)行電位隔離，獲得6個(gè)相位互差60度的矩形波同步信號(hào)（低電平有效），輸入到IC6的5P-10P。在IC6的內(nèi)部有相序自適應(yīng)電路，確保了中頻電源的三相交流輸入可以不分相序。正高電氣交通便利，地理位置優(yōu)越。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。正高電氣是多層次的模式與管理模式。MTAC220晶閘管智能模塊供應(yīng)商

正高電氣以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！青島MTAC100晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。青島MTAC100晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

淄博正高電氣有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在山東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績(jī)讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無限潛力，淄博正高電氣供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈的市場(chǎng)氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！