一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓。河北大功率可控硅模塊廠家

過電壓會(huì)對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會(huì)對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

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選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；

(4)空氣相對濕度≤85%；

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；

(6)氣壓86—106Kpa；

(7)無劇烈震動(dòng)或沖擊；

(8)若有特殊場合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用。

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務(wù)需要。

斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開路時(shí)，陽極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。

  想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡單，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！淄博反并聯(lián)可控硅模塊批發(fā)

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可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹：

可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。 河北大功率可控硅模塊廠家

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