可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場(chǎng)合，如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等，根據(jù)此也可通過(guò)模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動(dòng)。并可結(jié)束過(guò)流、過(guò)電壓、過(guò)溫、缺乏平衡維護(hù)功能。

可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái)，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門**的學(xué)科。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度。濱州大功率可控硅模塊配件

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽(yáng)極：一陽(yáng)極A1(T1)，二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。

  只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。 濱州大功率可控硅模塊配件歡迎各界朋友蒞臨參觀。

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等，依據(jù)還可經(jīng)過(guò)模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接，結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功用，并可結(jié)束過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺持平維護(hù)功用。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過(guò)輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號(hào)，經(jīng)過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤(rùn)調(diào)度，結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。

電壓或電流信號(hào)可取自各種操控外表、核算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號(hào)選用0～5V，0～10V，4～20mA三種對(duì)比常用的操控辦法。

可控硅模塊特點(diǎn)：

1 對(duì)耐壓級(jí)別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對(duì)電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對(duì)維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。

5 對(duì)電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司真誠(chéng)希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。

可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等?，F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：首層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。不斷開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品，并建立了完善的服務(wù)體系。濱州大功率可控硅模塊配件

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可控硅模塊的使用注意事項(xiàng)

1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí)，應(yīng)注意的是，除考慮通過(guò)元件的平均電流外，還必須注意正常運(yùn)行過(guò)程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素，同時(shí)，管殼的溫度不得超過(guò)相應(yīng)電流的允許值。

2.使用可控硅模塊時(shí)，使用萬(wàn)用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài)，如有短路或斷路，應(yīng)立即更換。

3.嚴(yán)禁使用兆歐表來(lái)檢查部件的絕緣情況。

4.率大于5A的可控硅模塊，應(yīng)安裝散熱器，并保證規(guī)定的冷卻條件。同時(shí)，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂，以利于更好的散熱。

5.根據(jù)規(guī)定，主電路中的可控硅模塊采用過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)裝置。

6.防止控制極正向過(guò)載和反向擊穿。 濱州大功率可控硅模塊配件

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