如果所裝的中頻電源不需要復(fù)位功能、報警功能、內(nèi)接頻率表的話,端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應(yīng)用舉例圖示為一臺KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖,可作為其它裝置原理設(shè)計的參考,由于控制電路已經(jīng)對開機,關(guān)機的邏輯進行了設(shè)計,因此,不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調(diào)試一臺20M示波器,若示波器的電源是三芯插頭時,注意“地線”千萬不能接,示波器外殼對地需絕緣,*使用一蹤探頭,示波器的X軸、Y軸均需較準(zhǔn),探頭需在測試信號下補償好。若無高壓示波器探頭,應(yīng)用電阻做一個分壓器,以適應(yīng)600V以上電壓的測量。一個≤500Ω、≥500W的電阻性負(fù)載。為了調(diào)試的安全,調(diào)試前,應(yīng)該使逆變橋不工作。例如:把平波電抗器的一端斷開,再在整流橋直流口接入一個≤500Ω、≥500W的電阻性負(fù)載。電路板上的IF微調(diào)電位器W1順時針旋至比較**(調(diào)試過程發(fā)生短路時,可以提供過流保護)。主控板上的DIP-1開關(guān)撥在ON位置;用示波器做好測量整流橋輸出直流電壓波形的準(zhǔn)備;把面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小。送上三相供電(可以不分相序),檢查是否有缺相報警報示,若有,可以檢查進線快速熔斷器是否損壞。把面板上的“給定”電位器順時針旋大。正高電氣擁有先進的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。濟南MTAC150晶閘管智能模塊配件
引理**近有朋友說關(guān)于加熱爐出現(xiàn)燒毀晶閘管的問題,事情起源為公司設(shè)計了一個加熱爐,加熱上限溫度100度,下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設(shè)計連接方式為星形連接,其中一臺設(shè)備采用了三角形連接方式,結(jié)果晶閘管經(jīng)常被燒毀,問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個問題,需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個方面進行分析。本文分析采用理論與實際相結(jié)合形式,讀者根據(jù)需求選擇部分章節(jié)進行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導(dǎo)通控制電阻絲功率的調(diào)功器。調(diào)功器的控制方式:晶閘管零電壓開關(guān),在時間周期T內(nèi),晶閘管全導(dǎo)通周波數(shù)對應(yīng)的時間Tm,晶閘管關(guān)閉時間T-Tm,采用控制方式通常為PID控制,根據(jù)當(dāng)前溫度與目標(biāo)控制溫度差值,PID調(diào)節(jié)器輸出值決定導(dǎo)通周波數(shù)時間,在晶閘管導(dǎo)通時,負(fù)載電壓等于相電壓,在晶閘管關(guān)段時,負(fù)載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯(lián)星接每個控制周期T的平均電壓為:每個控制周期T的電阻加熱量為:可見電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大,加熱量越大。而電爐子的傳遞函數(shù)仍然可用《自動控制原理》一文中的公式進行計算。濟南MTAC150晶閘管智能模塊配件正高電氣擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。
晶閘管是晶體閘流管的簡稱,原名可控硅整流器(SCR),簡稱可控硅,其派生器件有雙向晶閘管和可關(guān)斷晶閘管。晶閘管的出現(xiàn),使半導(dǎo)體器件從弱電領(lǐng)域進入強電領(lǐng)域。主要應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓、開關(guān)等方面,應(yīng)用**多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的器件,引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉(zhuǎn)換條件:主要參數(shù)1)額定正向平均電流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2)維持電流。在規(guī)定環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下,保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小正向電流。3)門極觸發(fā)電壓。在規(guī)定環(huán)境溫度及一定正向電壓條件下,使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通,控制極所需的**小電壓,一般為1~5V。4)門極觸發(fā)電流。在規(guī)定環(huán)境溫度即一定正向電壓條件下,使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通,控制極所需的**小電流,一般為幾十到幾百毫安。5)正向重復(fù)峰值電壓。在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,稱為正向重復(fù)峰值電壓。6)正向重復(fù)峰值電流。在控制極斷路時,可以重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓。
晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結(jié),這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管(可控硅)安全運行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。公司實力雄厚,產(chǎn)品質(zhì)量可靠。
是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為:單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”,圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有:額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時應(yīng)注意不能超過其極限參數(shù)指標(biāo),并留有一定余量,以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是:陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是:兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應(yīng)注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦?,即不但具有一般二極管單向?qū)щ姷恼髯饔茫铱梢詫?dǎo)通電流進行控制。單向晶閘管是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成三個PN結(jié),具有三個外電極A、K和G,可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復(fù)合管,見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后,管子并不導(dǎo)通。此時在控制極G加上正電壓時,VT1、VT2相繼迅速導(dǎo)通,此時即使去掉控制極電壓,管子仍維持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向晶閘管可以等效為兩個單向晶閘管反向并聯(lián),見圖14右邊,雙向晶閘管可以控制雙向?qū)?,因此除控制極G外的另兩個電極不再分陽極陰極。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。濟南MTAC150晶閘管智能模塊配件
公司生產(chǎn)工藝得到了長足的發(fā)展,優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品****各地。濟南MTAC150晶閘管智能模塊配件
晶閘管模塊常用的保護措施
① 過電流保護
過流保護一般都推薦外接快速熔斷器的方法,可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可,三相模塊三只,單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓,額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對于短路引起的過流保護效果很好,對于一般性的過流并不能起到很好的保護效果,因為兩倍于快速熔斷器額定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護效果,除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護功能的模塊或具有過流保護功能的控制板。
②過電壓保護
模塊的過壓保護,推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。
阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可,反并聯(lián)芯片可共用一組。 濟南MTAC150晶閘管智能模塊配件
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