檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數(shù)，即以e（）為底的對數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。濟(jì)南MTAC40晶閘管智能模塊

    調(diào)試告結(jié)束。13、注意事項，請取下控制板，否則可能造成控制板長久性損壞。，恕不另行通知。，本公司概不負(fù)責(zé)。MPU器件是一種CMOS器件，使用時應(yīng)注意，器件的兩個引腳之間嚴(yán)禁短路，否則將損壞芯片，為保護(hù)器件的安全，因此忌用萬用表直接測量器件的引腳。，控制板上有高壓電，請注意，以免觸電。14.問題討論控制電路上已經(jīng)把過壓保護(hù)電平固定在額定輸出電壓的，當(dāng)進(jìn)行定額電壓整定時，過壓保護(hù)就自動整定好了。若覺得，可改變控制板上的R28電阻值，減小R28，過壓保護(hù)電平增高；反之減小?？刂齐娐飞弦呀?jīng)把過流保護(hù)電平固定在額定直流電流的，當(dāng)進(jìn)行額定電流的整定時，過流保護(hù)就自動設(shè)定好。若覺得，增大R27，過流保護(hù)電平增高，反之減小。當(dāng)，可在系統(tǒng)運行于重負(fù)荷下，逆時針調(diào)節(jié)控制板上的W1電流反饋微調(diào)電位器，使直流表達(dá)到額定值。這與一般的中頻電源的電源整定是一樣的。一定要使它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率，否則，系統(tǒng)由于它激頻率的“拽著”而不能正常運行。它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率。對熔煉負(fù)載來說，恒功率輸出是很重要的，要想使恒功率的范圍大，就要使逆變引前角從**小變到比較大的范圍盡可能的大，同時負(fù)載阻抗的匹配也很重要。濟(jì)南MTAC40晶閘管智能模塊正高電氣銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。

    則要求比較大逆變換相引前角在42°左右，此時，中頻輸出電壓與直流電壓的比為。一般期望它盡可能的大些，這在系統(tǒng)輸入電壓偏低時，仍可保證中頻輸出電壓到額定值，當(dāng)系統(tǒng)輸入電壓偏高時，由于有電壓調(diào)節(jié)器的作用，中頻輸出仍然不會出現(xiàn)過電壓。此項調(diào)試工作應(yīng)在50%額定中頻輸出電壓下進(jìn)行。注意，必須先調(diào)，再調(diào)，否則順序反了，會出現(xiàn)互相牽扯的問題。有時由于電壓表不準(zhǔn)，給調(diào)試帶來錯誤的結(jié)論，所以應(yīng)以示波器測得的引前角為準(zhǔn)。調(diào)試中若出現(xiàn)逆變引前角過大的現(xiàn)象，應(yīng)檢查槽路諧振頻率是否過低。（W2）在輕負(fù)荷的情況下整定額定輸出電壓，把主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置、W2微調(diào)電位器順時針旋至比較大，把面板上的“給定”電位器順針旋大，逆變橋工作。繼續(xù)把面板上的“給定”電位器順時針旋至比較大，此時輸出的中頻電壓接近額定值，逆時針調(diào)節(jié)W2微調(diào)電位器，使輸出的中頻電壓達(dá)到額定值。在這項調(diào)試中，可見到這樣的現(xiàn)象，即直流電壓升到比較大值后，中頻輸出電壓卻還能繼續(xù)隨“給定”電位器的旋大而上升。在整定額定輸出電壓時，應(yīng)在直流電流低于額定電流的條件下進(jìn)行，否則會由于電流限幅的作用，使中頻輸出電壓調(diào)不上去。至此，6只微調(diào)電位器全部調(diào)完。

    按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%]，反之如果改為采用水冷時，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機，我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態(tài)下，環(huán)境溫度為40℃時所需的散熱器長度、風(fēng)機規(guī)格、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等，請參考表11～12。另外，我們在表內(nèi)出具了每個型號的模塊在峰值壓降、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時做參考。在實際應(yīng)用中，應(yīng)注意以下幾點：（1）軸流風(fēng)機風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。（2）若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作，可酌減散熱器長度。（3）在設(shè)備開機前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固，若有松動，應(yīng)擰緊螺釘，以使模塊底板與散熱器表面以及模塊電極與接線端子之間都能夠緊密接觸，達(dá)到比較好散熱效果。（4）采用自然冷卻形式時，必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對流。（5）因水冷散熱效果好，有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱形式。正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù)，全過程滿足客戶的***需求。

    難以實現(xiàn)起動方式的多樣化。三是液阻軟起動需要維護(hù)，液箱中水需要定期補充。電極板長期浸泡于電解液中，表面會有一定的銹蝕，需要作表面處理（大概2-3年一次）。四是液阻軟起動裝置不適合置放在易結(jié)水或顛簸的現(xiàn)場。近年有所謂的熱變液阻軟啟動裝置，通過液阻本身在軟起動過程中的溫升，借助電解液電導(dǎo)率與溫度的正相關(guān)性實現(xiàn)無極板伺服機構(gòu)的軟啟動。但是，其可行性大受質(zhì)疑；它的限流器件不具備限流能力易控性，裝置對使用環(huán)境溫度要求高，軟起動重復(fù)性差。二、磁控軟起動器磁控軟起動在起動開始時限流作用較強，在軟起動過程中逐漸減弱。電抗器在起動完成后被旁路。限流作用的強弱變化是通過控制直流勵磁電流、改變鐵心的飽和度實現(xiàn)的，所以叫做磁控軟起動。因為磁飽和電抗器的輸出功率比控制功率大幾十倍，它也可稱為“磁放大器”。由于它不具有零輸入對應(yīng)零輸出的特點，所以，不建議采用“磁放大器”這一詞。磁飽和電抗器有三對交流繞組（每相一對）和三相共有的一個直流勵磁繞組。在交流繞組里流過的是電動機定子電流，它必然會在直流勵磁繞組上感應(yīng)出電勢；后者會影響勵磁回路的運行。不是用一個，二是用一對交流繞組的主要原因就是為了抵消這種影響。顯然。正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務(wù)。濟(jì)南MTAC40晶閘管智能模塊

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    構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導(dǎo)銅，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)。濟(jì)南MTAC40晶閘管智能模塊

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