選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應根據(jù)應用電路的具體要求而定。

  所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。

  可控硅模塊的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應符合應用電路（指門極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇，希望對您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司品牌價值不斷提升。東營大功率可控硅模塊價格

實際上，可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量，因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結溫，而相當高殼溫Tc是限定的，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置）。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路，分別控制風機的開啟或主回路的通斷（停機），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。

  需要指出的是，溫控開關測量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環(huán)境、空氣對流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實際控制溫度應低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實際情況和經(jīng)驗決定控制的溫度。 東營大功率可控硅模塊價格淄博正高電氣有限公司在行業(yè)的影響力逐年提升。

可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構成的。

可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：

可控硅模塊應用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。

可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管，利用其可控功能，實現(xiàn)了弱電流對強電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結構簡單、功能強、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點。晶閘管可用于下列過程：

1、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電；

3、變頻：將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓；

6、無觸點通斷：用無觸點開關代替交流接觸器實現(xiàn)開關控制。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本，以質(zhì)量服務求生存。

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數(shù)，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司團隊從用戶需求出發(fā)。東營大功率可控硅模塊價格

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雙向可控硅晶閘管使用中，應特別注意以下事項：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來??；

（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當在交流側(cè)時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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