⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路折疊正常使用條件⑴海拔高度不超過2000M。⑵環(huán)境溫度:-40℃-+50℃。⑶空氣比較大相對濕度不超過90%(在相當于空氣溫度20±5℃)。⑷運行地點無導電塵埃，沒有腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。⑸無劇烈振動和沖擊。折疊工作原理本控制板是以工業(yè)級的單片機為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)系統(tǒng)，它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設定及LED指示電路等部分組成。折疊技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓:≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源:單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號:三相同步,AC380V，50HZ，電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號:DC0∽10V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤10V，其他需定制(5)IF電流反饋信號:DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑹1F電流反饋信號:DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其他需定制。⑺2F電流反饋信號:DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。濟南MTDC1000晶閘管智能模塊品牌

晶閘管智能模塊導通角與模塊輸出電流的關系

晶閘管模塊的導通角與模塊能輸出的較大電流有直接關系，模塊的標稱電流是較大導通角時能輸出的較大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應選擇在極較大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。 濟南MTDC1000晶閘管智能模塊品牌正高電氣不懈追求產(chǎn)品質(zhì)量，精益求精不斷升級。

    以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值。

    由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。選擇正高電氣，就是選擇質(zhì)量、真誠和未來。

晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控功能。 晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，模塊壓降小、功耗低，效率高,節(jié)電效果好。晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。 晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板，經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞，導熱性能好。熱循環(huán)負載次數(shù)高于國家標準近10倍。 5 (5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。 晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電．絕緣強度≥2500V (RMS)，保證人身安全。晶閘管智能調(diào)壓器又稱之為可控硅整流元件，它是由三個P內(nèi)結(jié)構(gòu)組合而成的一種大功率半導體器件。從性能上來說，晶閘管智能調(diào)壓器具有單向?qū)щ娦院涂煽匦詢煞N優(yōu)勢，但它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣，產(chǎn)品規(guī)格齊全，歡迎咨詢。青島MTAC450晶閘管智能模塊配件

正高電氣從國內(nèi)外引進了一大批先進的設備，實現(xiàn)了工程設備的現(xiàn)代化。濟南MTDC1000晶閘管智能模塊品牌

    水冷裝置在作此項調(diào)試時，必須通水冷卻。當調(diào)試場地的電源供不出裝置的額定電流時，額定電流的整定，可放在現(xiàn)場滿負荷運行時進行。但是，應先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器，使頻率表的讀數(shù)與示波器測得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測得比較高它激頻率，另一方面是價格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級線連接是否正確，逆變未級上的LED亮度是否正常，不亮則說明逆變末級的E和C接線端子接反了；再把主控板上CON3-5對外的連線解掉，看熄滅的LED逆變末級是否處在逆變橋的對角線位置。把主控板上的DIP開關均撥在OFF位置，把面板上的“給定”電位器逆時針旋到底，調(diào)節(jié)控制板上的W6微調(diào)電位器，使比較高它激頻率高于槽路諧振頻率的，W3、W4微調(diào)電位器旋在中間位置。把面板上的“給定”電位器順時針稍微旋大，這時它激頻率開始從高往底掃描（從頻率表中可以看出）。濟南MTDC1000晶閘管智能模塊品牌

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