可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域
該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等,依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用,并可結(jié)束過流、過壓、過溫、缺持平維護(hù)功用。
可控硅模塊的操控辦法
經(jīng)過輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號,經(jīng)過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤調(diào)度,結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。
電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對比常用的操控辦法。
淄博正高電氣有限公司一切從實(shí)際出發(fā)、注重實(shí)質(zhì)內(nèi)容。山東高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時(shí),萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說明該單向可控硅已擊穿損壞。 山東高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)淄博正高電氣有限公司銳意進(jìn)取,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅模塊的操控端口與操控線
可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法,別離對應(yīng)于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號的商品只用**腳端口,其他為空腳,選用電流信號的9腳為信號輸入,操控線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時(shí)注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊。
可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號,請一一對應(yīng),不要接反。以上六個(gè)端口為模塊根柢端口,其它端口為分外端口,只在具有多功用商品中運(yùn)用,一般調(diào)壓商品其他腳為空腳。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命,傾力為客戶創(chuàng)造更大利益!
可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。 淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品**國內(nèi)。山東高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)
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可控硅模塊的使用注意事項(xiàng)
1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí),應(yīng)注意的是,除考慮通過元件的平均電流外,還必須注意正常運(yùn)行過程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素,同時(shí),管殼的溫度不得超過相應(yīng)電流的允許值。
2.使用可控硅模塊時(shí),使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài),如有短路或斷路,應(yīng)立即更換。
3.嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。
4.率大于5A的可控硅模塊,應(yīng)安裝散熱器,并保證規(guī)定的冷卻條件。同時(shí),為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好,應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂,以利于更好的散熱。
5.根據(jù)規(guī)定,主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護(hù)裝置。
6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 山東高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)
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