:觸發(fā)脈峰值電壓:≥22V觸發(fā)脈峰值電流:≥3A觸發(fā)脈沖前沿陡度:≥2A/μS(逆變的觸發(fā)脈沖變壓器是外接的)比較大外型尺寸:238×175×40mm。:控制板在檢測到故障信號時,輸出一組接點信號,該接點容量為AC:5A/220V:DC:10A/28V。6、電路原理整個控制電路除逆變末級觸發(fā)單元外,做成一塊印刷電路板結(jié)構(gòu)。功能上包括電源、整流觸發(fā)、調(diào)節(jié)器、逆變、啟動演算等,除調(diào)節(jié)器為模擬運算電路外,其余均為數(shù)字電路。組成該控制板的集成電路為IC6,型號為MPU-2,它是一塊**超大規(guī)模數(shù)字集成電路,有3路時鐘輸入口,31路輸入/輸出口,內(nèi)部功能包括整流移相觸發(fā)、相序自適應(yīng)、逆變觸發(fā)、逆變引前角鎖定、逆變重復(fù)起動、過流保護(hù)、過壓保護(hù)、缺相保護(hù)、水壓低保護(hù)、控制板欠壓保護(hù),另外還有三個。這部分電路包括三相同步、相序自適應(yīng)、壓控時鐘、數(shù)字觸發(fā)、末級驅(qū)動等電路。三相同步信號直接由晶閘管的門極引線K4、K6、K2從主回路的三相進(jìn)線上取得,由R3、C1、R7、C2、R11、C3進(jìn)行濾波,再經(jīng)6只光電耦合器進(jìn)行電位隔離,獲得6個相位互差60度的矩形波同步信號(低電平有效),輸入到IC6的5P-10P。在IC6的內(nèi)部有相序自適應(yīng)電路,確保了中頻電源的三相交流輸入可以不分相序。正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣,產(chǎn)品規(guī)格齊全,歡迎咨詢。聊城MTAC450晶閘管智能模塊組件
調(diào)節(jié)W2微調(diào)電位器可整定過壓電平。IC4D及周圍電路組成水壓過低延時保護(hù)電路,延時時間約3秒,輸入到IC6的27P,整流觸發(fā)脈沖;驅(qū)動“”LED指示燈亮和驅(qū)動報警繼電器。復(fù)位開關(guān)信號由CON2-6、CON2-7輸入,閉合狀態(tài)為復(fù)位/暫停。輸入到IC635P的時鐘信號CLOK1,其周期為20mS。7、控制板的接線端子與參數(shù)控制板共有32個M3接線端子,端子排列圖參見圖一,各端子功能表見表一。表一功能端子號參數(shù)故障輸出CON1-1CON1-2常開接點AC5A/220V,DC10A/28V常開接點的定觸頭,接電源N線電壓反饋信號CON2-1CON2-2VF中頻電壓12V電流反饋信號CON2-3CON2-4CON2-5IFAC,三相12V控制信號CON2-6CON2-7RST懸空為運行狀態(tài),接地為停止運行和故障復(fù)位GND控制信號接地端(與給定共用)給定CON2-7CON2-8CON2-9GND給定接地端Vg給定:DC,0—+15VDC,+15V,比較大輸出20Ma電源CON3-1CON3-217VAC17V/2A逆變脈沖輸出CON3-3CON3-4CON3-5+22V逆變輸出公共端E端OUT逆變輸出端,比較大輸出15VOUT逆變輸出端,比較大輸出15V外故障輸入CON3-6CON3-7WP接地為故障狀態(tài),OV燈亮,帶3秒延時。GND接地為故障地端頻率表CON3-8CON3-9頻率表正端F頻率表負(fù)端。聊城MTAC450晶閘管智能模塊組件選擇正高電氣,就是選擇質(zhì)量、真誠和未來。
晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結(jié),這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管(可控硅)安全運行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。
難以實現(xiàn)起動方式的多樣化。三是液阻軟起動需要維護(hù),液箱中水需要定期補(bǔ)充。電極板長期浸泡于電解液中,表面會有一定的銹蝕,需要作表面處理(大概2-3年一次)。四是液阻軟起動裝置不適合置放在易結(jié)水或顛簸的現(xiàn)場。近年有所謂的熱變液阻軟啟動裝置,通過液阻本身在軟起動過程中的溫升,借助電解液電導(dǎo)率與溫度的正相關(guān)性實現(xiàn)無極板伺服機(jī)構(gòu)的軟啟動。但是,其可行性大受質(zhì)疑;它的限流器件不具備限流能力易控性,裝置對使用環(huán)境溫度要求高,軟起動重復(fù)性差。二、磁控軟起動器磁控軟起動在起動開始時限流作用較強(qiáng),在軟起動過程中逐漸減弱。電抗器在起動完成后被旁路。限流作用的強(qiáng)弱變化是通過控制直流勵磁電流、改變鐵心的飽和度實現(xiàn)的,所以叫做磁控軟起動。因為磁飽和電抗器的輸出功率比控制功率大幾十倍,它也可稱為“磁放大器”。由于它不具有零輸入對應(yīng)零輸出的特點,所以,不建議采用“磁放大器”這一詞。磁飽和電抗器有三對交流繞組(每相一對)和三相共有的一個直流勵磁繞組。在交流繞組里流過的是電動機(jī)定子電流,它必然會在直流勵磁繞組上感應(yīng)出電勢;后者會影響勵磁回路的運行。不是用一個,二是用一對交流繞組的主要原因就是為了抵消這種影響。顯然。正高電氣受行業(yè)客戶的好評,值得信賴。
中頻電壓互感器過來的中頻電壓信號由CON2-1和CON2-2輸入后,分為兩路,一路由IC1A進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換后送到IC6的30P,另一路經(jīng)D7-D10整流后,又分為兩路,一路送到電壓/電流調(diào)節(jié)器,另一路送到過電壓保護(hù)。由主回路交流互感器取得的電流信號,先在外部轉(zhuǎn)換成電壓信號,從CON2-3、CON2-4、CON2-5輸入,經(jīng)二極管D11-D16整流后,再分為兩路,一路作為過流保護(hù)信號,另一路作為電壓/電流調(diào)節(jié)器的反饋信號。本電路逆變觸發(fā)部分,采用的是掃頻式零壓軟起動,只需取一路中頻電壓反饋信號,無需槽路中頻電容器上的電流信號,其本質(zhì)上相當(dāng)于它激轉(zhuǎn)自激電路,屬于平均值反饋電路。由于主回路上無需附加任何起動電路,不需要預(yù)充磁或預(yù)充電的起動過程,因此,主回路得以簡化,調(diào)試過程簡單。起動過程大致是這樣的,在逆變電路起動前,先以一個高于槽路諧振頻率的它激信號去觸發(fā)逆變晶閘管,當(dāng)電路檢測到主回路開始有直流電流時,便控制它激信號的頻率從高向低掃描,同時加大主回路的直流電流,當(dāng)它激信號頻率下降到接近槽路諧振頻率時,中頻電壓便建立起來,并反饋到自動調(diào)頻電路。自動調(diào)頻電路一旦投入工作,便停止它激信號的頻率往低掃描動作,轉(zhuǎn)由自動調(diào)頻電路控制逆變動引前角。正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。聊城MTAC450晶閘管智能模塊組件
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晶閘管智能模塊的選擇
晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件,整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系,選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V,選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊,其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇,必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值,如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開機(jī)時溫度很低,額定電流會很大或加熱到比較高溫度時,額定電流會很大或加熱到比較高溫度時,額定電流會很大),必須考慮加熱絲整個工作狀態(tài)的比較大電流值,作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規(guī)格大小。 聊城MTAC450晶閘管智能模塊組件
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