雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。
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可控硅模塊特點:
1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。
3 對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結溫有關,結溫越高,則IH越小。
5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 云南大功率可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司一切從實際出發(fā)、注重實質內容。
只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。
這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。
可控硅模塊的使用注意事項
1.在選擇可控硅模塊的額定電流時,應注意的是,除考慮通過元件的平均電流外,還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素,同時,管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。
2.使用可控硅模塊時,使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài),如有短路或斷路,應立即更換。
3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。
4.率大于5A的可控硅模塊,應安裝散熱器,并保證規(guī)定的冷卻條件。同時,為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好,應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂,以利于更好的散熱。
5.根據規(guī)定,主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。
6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴!
可控硅模塊在應用電路中的作用體現(xiàn)在:
可控整流器:如二極管整流器,交流整流器整流為直流,在交流電壓不變的情況下,可有效控制直流輸出電壓,實現(xiàn)交流/直流的轉換。
無觸點電源靜態(tài)開關(固態(tài)開關):晶閘管模塊作為電源開關元件,可在開關頻率較高的場合替代接觸器和繼電器。
因此,可控硅模塊普遍應用于各種電子設備和電子產品中,如可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。晶閘管模塊廣泛應用于家用電器的工業(yè)控制領域,如調光燈、調速風扇、空調、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、語音控制電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、玩具裝置等。電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等領域都大量的使用了可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本,以質量服務求生存。四川快恢復可控硅模塊
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單向可控硅的檢測
萬用表選用電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳,此時黑筆接的引腳為控制極G,紅筆接的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,此時萬用表指針應向右偏轉,阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。 云南大功率可控硅模塊哪家好
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