500Vdc)比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅動電路在邏輯電路驅動時應盡可能采用低電平輸出進行驅動,以保證有足夠的帶負載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅動的電路圖(一般適合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用。A3型(90-430Vac)為交流控制交流型,在90-430Vac極寬的范圍內均能可靠觸發(fā)繼電器導通,且輸入與輸出沒有相位要求:㈧LSR過壓的保護:除LSR內部本身有RC吸收回路保護外,還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻(MOV),MOV面積大小決定吸收功率,MOV的厚度決定保護電壓值。一般220V系列LSR可選取500V-600V的壓敏電阻,380V系列SSR可選取800V-900V的壓敏電阻,480V系列SSR可選取1000V-1100V的壓敏電阻。㈨LSR的功率擴展:本公司生產(chǎn)的2A、8A無RC吸收回路的LSR可用于任何大電流等級的可控硅觸發(fā),功率擴展后仍具有過零特性或隨機特性。功率擴展LSR的型號為:LSR-3P02E(D3/D2/D1/A3),LSR-3P08E(D3/D2/D1/A3)?!百|量優(yōu)先,用戶至上,以質量求發(fā)展,與用戶共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經(jīng)營觀。連云港晶閘管智能模塊廠家
硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關,溫度越低耐壓越高;另外是硒堆具有自恢復特性,能多次使用,當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結構為兩個電極,電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結晶,結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),只有很小的漏電流,其值小于100μA。當加上電壓時,引起了電子雪崩,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,泄漏了能量,了過電壓,從而使晶閘管得到保護。浪涌過后,粒界層又恢復為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓:指壓敏電阻流過1mA直流電流時,其兩端的電壓值。通流容量:是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,每隔5分鐘沖擊1次,共沖擊10次,標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內的比較大沖擊電流值來表示。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù),標稱電壓值不僅會隨著放電次數(shù)增多而下降,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,當大到某一電流時,標稱電壓下降到0,壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,甚至炸裂;因此必須限定通流容量。行車晶閘管智能模塊配件正高電氣與廣大客戶攜手并進,共創(chuàng)輝煌!
特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司,廠家直銷,質量,價格有保證!如果您需要相關型號資料,電壓電流,封裝尺寸大小,可以隨時給您發(fā)送該產(chǎn)品的PDF文檔,供您參考!如果您訂購量大,并且有長期合作意向,可**先給您發(fā)樣品!三天內發(fā)貨!如果產(chǎn)品裝機配型不適用,可退換貨!博飛宏大,給您滿意貼心的服務,是我們一貫的宗旨!公司主頁:歡迎您到廠參觀!北京博飛宏大電子科技有限公司,有10多年功率半導體元器件制造經(jīng)驗,是專業(yè)從事功率半導體器件的研發(fā)、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****,多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產(chǎn)化工作。我公司的電力半導體器件有:全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。
晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管,也被稱為可控硅模塊:它是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長、體積小等優(yōu)點。它是弱電控制與受控強電之間的橋梁。從節(jié)能的角度看,電力電子技術被稱為新的電氣技術。我國能源利用率相對較低。按國民生產(chǎn)單位產(chǎn)值能耗計算。因此,所以晶閘管為**的電控裝置是我國有效節(jié)能的重要措施。
晶閘管模塊是過去市場上常用的一種集成模塊。根據(jù)不同的電流規(guī)格,它可以形成各種形式和電流規(guī)格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據(jù)芯片電流規(guī)格,它可以形成三個不同功率的(單)交(整)流電路。 正高電氣有著質量的服務質量和極高的信用等級。
晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復峰值電壓VDRM斷態(tài)重復峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標準散熱條件下,晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結溫下,晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時,允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣始終堅持以人為本,恪守質量為金,同建雄績偉業(yè)。連云港晶閘管智能模塊廠家
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淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經(jīng)濟發(fā)達、文化底蘊深厚的淄博市臨淄區(qū),是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品、及其相關產(chǎn)品的開發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務為一體的高科技企業(yè)。主要生產(chǎn)各類規(guī)格型號的晶閘管智能模塊、晶閘管模塊、可控硅模塊、電力調整器、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品,并可根據(jù)用戶需求進行產(chǎn)品設計加工。近年來,本公司堅持以人為本,始終立足于科技的前沿,狠抓產(chǎn)品質量,產(chǎn)品銷往全國各地,深受用戶的好評。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步,在社會各界及客戶的大力支持下,生機勃發(fā),春意盎然。面向未來,前程似錦,豪情滿懷。今后,我們將進一步優(yōu)化產(chǎn)品品質,堅持科技創(chuàng)新,一切為用戶著想,以前列的服務為社會奉獻高、精、尖的產(chǎn)品,不斷改進、不斷提高是我們不變的追求,用戶滿意是我們追求的方向。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來我公司參觀指導,恰談業(yè)務!