可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識(shí)中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來(lái)講解一下。
可控硅模塊的工作條件：
1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門級(jí)承受哪種電壓，可控硅模塊都會(huì)處于斷開(kāi)狀態(tài)。
2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽(yáng)極電壓時(shí)，可控硅*在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。
3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導(dǎo)通，如果可控硅導(dǎo)通后，門極將失去其功能。
4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí)，可控硅模塊關(guān)斷。 淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。河南可控硅模塊
斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。
想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低，或近于無(wú)窮大，說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路，此可控硅不能使用了。 河南可控硅模塊淄博正高電氣有限公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)力量。
正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽(yáng)極：一陽(yáng)極A1(T1)，二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。
只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來(lái)選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。
1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:
(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃；
(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；
(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；
(4)空氣相對(duì)濕度≤85%；
(5)空氣中無(wú)腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；
(6)氣壓86—106Kpa；
(7)無(wú)劇烈震動(dòng)或沖擊；
(8)若有特殊場(chǎng)合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用。 淄博正高電氣有限公司憑借多年的經(jīng)驗(yàn)，依托雄厚的科研實(shí)力。
可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下：
（1）采用進(jìn)口方形可控硅支撐板，降低了可控硅模塊的電壓，功耗低，效率高，節(jié)能效果好。
（2）采用進(jìn)口插入元件，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。
（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝，保證了晶閘管組件的焊接層無(wú)空腔，導(dǎo)熱性好。
（4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。
（5）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，導(dǎo)熱基板不帶電，介電強(qiáng)度≥2500V，保證安全。
（6）通過(guò)輸入0-10V直流控制信號(hào)，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。
（7）可采用手動(dòng)控制、儀表控制或微機(jī)控制。
（8）適用于電阻和電感負(fù)載。 淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展！河南可控硅模塊
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可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等?，F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：首層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。河南可控硅模塊
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