選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。
1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:
(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s，風(fēng)溫≤40℃；
(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；
(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃；
(4)空氣相對(duì)濕度≤85%；
(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；
(6)氣壓86—106Kpa；
(7)無劇烈震動(dòng)或沖擊；
(8)若有特殊場(chǎng)合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn)，證明工作可靠方可使用。 淄博正高電氣有限公司傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。北京雙向可控硅模塊組件
可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道，它的應(yīng)用范圍是非常廣的，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。
在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。 泰安快恢復(fù)可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。
正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。
只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。
雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)：
1.靈敏度
雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。
2.可控硅過載的保護(hù)
可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：
（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；
（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來?。?
（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。
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可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司憑借多年的經(jīng)驗(yàn)，依托雄厚的科研實(shí)力。泰安快恢復(fù)可控硅模塊組件
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選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。
所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。
可控硅模塊的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會(huì)影響可控硅模塊的正常工作。
上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇，希望對(duì)您有所幫助。 北京雙向可控硅模塊組件
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