氮化鋁粉體的成型工藝有多種，傳統(tǒng)的成型工藝諸如模壓，熱壓，等靜壓等均適用。由于氮化鋁粉體的親水性強(qiáng)，為了減少氮化鋁的氧化，成型過(guò)程中應(yīng)盡量避免與水接觸。另外，據(jù)中國(guó)粉體網(wǎng)編輯了解，熱壓、等靜壓雖然適用于制備高性能的塊體氮化鋁瓷材料，但成本高、生產(chǎn)效率低，無(wú)法滿足電子工業(yè)對(duì)氮化鋁陶瓷基片用量日益增加的需求。為了解決這一問(wèn)題，近年來(lái)人們研究采用流延法成型氮化鋁陶瓷基片。流延法目前已成為電子工業(yè)用氮化鋁陶瓷的主要成型工藝。流延成型制備多層氮化鋁陶瓷的主要工藝是：將氮化鋁粉料、燒結(jié)助劑、粘結(jié)劑、溶劑混合均勻制成漿料，通過(guò)流延制成坯片，采用組合模沖成標(biāo)準(zhǔn)片，然后用程控沖床沖成通孔，用絲網(wǎng)印刷印制金屬圖形，將每一個(gè)具有功能圖形的生坯片疊加，層壓成多層陶瓷生坯片，在氮?dú)庵屑s700℃排除粘結(jié)劑，然后在1800℃氮?dú)庵羞M(jìn)行共燒，電鍍后即形成多層氮化鋁陶瓷。氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵因素。溫州導(dǎo)熱氧化鋁銷售公司

氮化鋁陶瓷室溫比較強(qiáng)度高，且不易受溫度變化影響，同時(shí)具有比較高的熱導(dǎo)系數(shù)和比較低的熱膨脹系數(shù)，是一種優(yōu)良的耐熱沖材料及熱交換材料，作為熱交換材料，可望應(yīng)用于燃?xì)廨啓C(jī)的熱交換器上。由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤(rùn)濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護(hù)管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護(hù)管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000℃的熔池中可以連續(xù)使用大約3000個(gè)小時(shí)以上并且不會(huì)被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對(duì)熔鹽砷化鎵等材料性能穩(wěn)定，那么將坩堝替代玻璃進(jìn)行砷化鎵半導(dǎo)體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。溫州導(dǎo)熱氧化鋁銷售公司良好的粘結(jié)劑可起到形狀維持的作用，且有效減少坯體變形和脫脂缺陷的產(chǎn)生。

氮化鋁材料有陶瓷型和薄膜型兩種。氮化鋁熱導(dǎo)率高、絕緣性能好電阻率高達(dá)4x lUfs7,"cm.,熱膨脹系數(shù)小(2.55一3.8U; x i0一“K一‘，化學(xué)性能穩(wěn)定，在innU℃時(shí)才與空氣發(fā)生氧化。在真空中可穩(wěn)定到ISUU}}。致密型氮化鋁是抗水的，幾乎不與濃無(wú)機(jī)酸發(fā)生反應(yīng)。密度為3.26gIcm3,熔點(diǎn)24UU C'彈性模量為3U( -- 31 f7C}Pa,抗彎強(qiáng)度為2sa一350MPa ,莫氏硬度為g.A1N陶瓷用粉末冶金法制得』氮化鋁薄膜用反應(yīng)濺射法制得。AlU陶瓷片川于大功率半導(dǎo)體集成電路和大功率的厚模電路,AIN薄膜用于薄膜器件的介質(zhì)和耐磨、耐熱、散熱好的鍍層。

AIN氮化鋁陶瓷作為一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，因其氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，可靠的電絕緣性，低的介電常數(shù)和介電損耗，無(wú)毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性，被認(rèn)為是新一代高集成度半導(dǎo)體基片和電子器件封裝的理想材料。氮化鋁陶瓷可做成氮化鋁陶瓷基板，被較廣應(yīng)用到散熱需求較高的領(lǐng)域，比如大功率LED模組，半導(dǎo)體等領(lǐng)域。高性能氮化鋁粉體是制備高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷基片的關(guān)鍵，目前國(guó)外氮化鋁粉制造工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟，商品化程度也很高。但掌握高性能氮化鋁粉生產(chǎn)技術(shù)的廠家并不多，主要分布在日本、德國(guó)和美國(guó)。氮化鋁粉末作為制備陶瓷成品的原料，其純度、粒度、氧含量以及其它雜質(zhì)的含量都對(duì)后續(xù)成品的熱導(dǎo)性能、后續(xù)燒結(jié)，成型工藝有重要影響，是很終成品性能優(yōu)異與否的基石。氮化鋁是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。

由于氮化鋁陶瓷基片的特殊技術(shù)要求，加上設(shè)備投資大、制造工藝復(fù)雜，氮化鋁陶瓷基片重點(diǎn)制造技術(shù)被日本等國(guó)家的幾個(gè)大公司掌控。氮化鋁陶瓷基片制備、燒結(jié)及后期加工等特殊要求較高，尤其是在產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)Ξa(chǎn)品性能、穩(wěn)定性等要求更高，再加上設(shè)備投資大、制造工藝復(fù)雜。目前，我國(guó)氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)企業(yè)缺乏重點(diǎn)技術(shù)，再加上我國(guó)大多數(shù)氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)企業(yè)規(guī)模較小，研發(fā)投入資金有限，技術(shù)人員較少且經(jīng)驗(yàn)不足，導(dǎo)致我國(guó)氮化鋁陶瓷基片整體技術(shù)水平較低，產(chǎn)品缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，主要集中在中低端產(chǎn)品。近幾年，中國(guó)氮化鋁基板生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量增長(zhǎng)趨勢(shì)很快，原有企業(yè)也積極擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。氮化鋁產(chǎn)量不斷增長(zhǎng)，增長(zhǎng)速度有加快趨勢(shì)，但是國(guó)內(nèi)氮化鋁產(chǎn)量仍然不足，不能滿足國(guó)內(nèi)需求，還需要從國(guó)外大量進(jìn)口。氮化鋁是一種以共價(jià)鍵相連的物質(zhì)，它有六角晶體結(jié)構(gòu)，與硫化鋅、纖維鋅礦同形。溫州導(dǎo)熱氧化鋁銷售公司

氮化鋁很高可穩(wěn)定到2200℃，室溫強(qiáng)度高，且強(qiáng)度隨溫度的升高下降較慢。溫州導(dǎo)熱氧化鋁銷售公司

氮化鋁基板材料熱膨脹系數(shù)（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數(shù)（4.5×10-6/K）相近，導(dǎo)熱率系數(shù)大（170-230W/m?K），絕緣性能優(yōu)異，可以適應(yīng)SiC的應(yīng)用要求，是搭載SiC半導(dǎo)體的理想基板材料。以往，氮化鋁基板主要通過(guò)如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑、粘合劑、增塑劑、分散介質(zhì)、脫模機(jī)等添加劑，通過(guò)擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂），在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時(shí)的（煅燒）。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過(guò)上述工藝制備出來(lái)的氮化鋁基板材料，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的高絕緣性，但在400℃的高溫下則降低到10kV/mm左右。在高溫下具備優(yōu)異絕緣特性的氮化鋁基板的制備方法。通過(guò)該法可制備出耐高溫氮化鋁基板材料具有如下特點(diǎn)：氮化鋁晶粒平均大小為2-5μm；熱導(dǎo)率為170W/m?K以上；不含枝狀晶界相；在400℃下的擊穿電壓為30kV/mm以上。溫州導(dǎo)熱氧化鋁銷售公司

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