硅光芯片耦合測試系統(tǒng)耦合掉電，是在耦合的過程中斷電致使設(shè)備連接不上的情況，如果電池電量不足或者使用程控電源時供電電壓過低、5V觸發(fā)電壓未接觸好、測試連接線不良等都會導(dǎo)致耦合掉電的現(xiàn)象。與此相似的耦合充電也是常見的故障之一，在硅光芯片耦合測試系統(tǒng)過程中，點擊HQ_CFS的“開始”按鈕進行測試時一定要等到“請稍后”出現(xiàn)后才能插上USB進行硅光芯片耦合測試系統(tǒng)，否則就會出現(xiàn)耦合充電，若測試失敗，可重新插拔電池再次進行測試，排除以上操作手法沒有問題后，還是出現(xiàn)充電現(xiàn)象，則是耦合驅(qū)動的問題了，若識別不到端口則是測試用的數(shù)據(jù)線損壞的緣故。硅光芯片主要由光源、調(diào)制器、有源芯片等組成，通常將光器件集成在同一硅基襯底上。江西單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是由激光器與硅光芯片集成結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)包括:激光器芯片,激光器芯片包括第1波導(dǎo);硅光芯片,硅光芯片包括第二波導(dǎo),第二波導(dǎo)及第1波導(dǎo)將激光器芯片發(fā)出的光耦合至硅光芯片內(nèi);第1波導(dǎo)包括依次一體連接的第1倒錐形波導(dǎo)部,矩形波導(dǎo)部及第二倒錐形波導(dǎo)部;第二波導(dǎo)包括第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片;其中,第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片均包括依次一體連接的第1倒錐形波導(dǎo)部,矩形波導(dǎo)部及第二倒錐形波導(dǎo)部。相比于現(xiàn)有技術(shù)中的端面耦合,本實用新型的耦合方式對倒裝焊過程中的對準精度要求更低,即使在對準有誤差的實際工藝條件下,仍然具有較高的耦合效率。江西單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：可以更好的保護設(shè)備。

在硅光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問題是硅光子芯片實用化過程中的關(guān)鍵問題，芯片性能的測試也是至關(guān)重要的一步驟，現(xiàn)有的硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)是將硅光芯片的輸入輸出端硅光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進行調(diào)硅光，并依靠對輸出硅光的硅光功率進行監(jiān)控，再反饋到微調(diào)架端進行調(diào)試。芯片測試則是將測試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起，形成一個測試站。具體的，所有的測試設(shè)備通過硅光纖，設(shè)備連接線等連接成一個測試站。例如將VOA硅光芯片的發(fā)射端通過硅光纖連接到硅光功率計，使用硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)就可以測試硅光芯片的發(fā)端硅光功率。將硅光芯片的發(fā)射端通過硅光線連接到硅光譜儀，就可以測試硅光芯片的硅光譜等。

實驗中我們經(jīng)常使用硅光芯片耦合測試系統(tǒng)獲得了超過50%的耦合效率測試以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側(cè)向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術(shù)實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結(jié)果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的優(yōu)勢：可視化杜瓦，可實現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測試根據(jù)測試。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要工作可以分為四個部分(1)從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對光調(diào)制器進行理論分析與介紹。(4)利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調(diào)制器進行耦合封裝并進行性能測試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對調(diào)制過程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問題,為后續(xù)研發(fā)提供改進方向。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：穩(wěn)定性好，精度高。江西單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)

將硅光芯片的發(fā)射端通過硅光線連接到硅光譜儀，就可以測試硅光芯片的硅光譜等。江西單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)

伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當前,我們把主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。江西單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)