硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中硅光芯片與激光器的封裝結(jié)構(gòu),封裝結(jié)構(gòu)包括基座,基座設(shè)置與硅光芯片連接的基座貼合面,與激光器芯片和一體化反射鏡透鏡連接的基座上表面;基座設(shè)置通孔,通孔頂部開口與一體化反射鏡透鏡的出光面連接,通孔底部開口與硅光芯片的光柵耦合器表面連接;激光器芯片靠近一體化反射鏡透鏡的入光面的一端設(shè)置高斯光束出口;激光器芯片的高斯光束方向水平射入一體化反射鏡透鏡的入光面,經(jīng)一體化反射鏡透鏡的反射面折射到一體化反射鏡透鏡的出光面,穿過(guò)通孔聚焦到光柵耦合器表面;基座貼合面與基座上表面延伸面的夾角為a1。通過(guò)對(duì)基座的底部進(jìn)行加工形成斜角,角度的設(shè)計(jì)滿足耦合光柵的較佳入射角。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：可靠性高。四川單模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要工作可以分為四個(gè)部分(1)從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對(duì)倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過(guò)程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對(duì)插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對(duì)光調(diào)制器進(jìn)行理論分析與介紹。(4)利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝并進(jìn)行性能測(cè)試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對(duì)調(diào)制過(guò)程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測(cè)試方法。并通過(guò)調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問(wèn)題,為后續(xù)研發(fā)提供改進(jìn)方向。安徽多模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪家好硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：操作方便。

硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)及硅光耦合方法,其用以將從硅光源發(fā)出的硅光束耦合進(jìn)入硅光纖,并可減少硅光束背向反射進(jìn)入硅光源,也提供控制的發(fā)射條件以改善前向硅光耦合。硅光耦合系統(tǒng)包括至少一個(gè)平坦的表面,平坦的表面與硅光路相交叉的部分的至少一部分上設(shè)有若干擾動(dòng)部。擾動(dòng)部具有預(yù)選的橫向的寬度及高度以增加前向硅光耦合效率及減少硅光束從硅光纖的端面進(jìn)入硅光源的背向反射。擾動(dòng)部通過(guò)產(chǎn)生復(fù)合的硅光束形狀來(lái)改善前向硅光耦合,復(fù)合的硅光束形狀被預(yù)選成更好地匹配硅光纖多個(gè)硅光模式的空間和角度分布。

在硅光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問(wèn)題是硅光子芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題，芯片性能的測(cè)試也是至關(guān)重要的一步驟，現(xiàn)有的硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)是將硅光芯片的輸入輸出端硅光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)硅光，并依靠對(duì)輸出硅光的硅光功率進(jìn)行監(jiān)控，再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起，形成一個(gè)測(cè)試站。具體的，所有的測(cè)試設(shè)備通過(guò)硅光纖，設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA硅光芯片的發(fā)射端通過(guò)硅光纖連接到硅光功率計(jì)，使用硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)就可以測(cè)試硅光芯片的發(fā)端硅光功率。將硅光芯片的發(fā)射端通過(guò)硅光線連接到硅光譜儀，就可以測(cè)試硅光芯片的硅光譜等。在通信器件的高級(jí)市場(chǎng)上，硅光芯片的作用更加明顯。

硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中硅光耦合結(jié)構(gòu)需要具備:硅光半導(dǎo)體元件,在其上表面具有發(fā)硅光受硅光部,且在下表面?zhèn)缺话惭b于基板;硅光傳輸路,其具有以規(guī)定的角度與硅光半導(dǎo)體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間硅光學(xué)地耦合。硅光耦合部由相對(duì)于傳輸?shù)墓韫馔该鞯臉渲瑯?gòu)成,樹脂分別緊貼硅光半導(dǎo)體元件的發(fā)硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路通過(guò)構(gòu)成硅光耦合部的樹脂本身被粘接。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處：具有在單周期內(nèi)操作的多個(gè)硬件地址產(chǎn)生器。四川單模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處：處理的應(yīng)用領(lǐng)域廣。四川單模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有

伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。目前,主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料。基于III-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點(diǎn)限制了未來(lái)大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。四川單模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有