硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中硅光耦合結(jié)構(gòu)需要具備:硅光半導(dǎo)體元件,在其上表面具有發(fā)硅光受硅光部,且在下表面?zhèn)缺话惭b于基板;硅光傳輸路,其具有以規(guī)定的角度與硅光半導(dǎo)體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間硅光學(xué)地耦合。硅光耦合部由相對(duì)于傳輸?shù)墓韫馔该鞯臉渲瑯?gòu)成,樹脂分別緊貼硅光半導(dǎo)體元件的發(fā)硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路通過構(gòu)成硅光耦合部的樹脂本身被粘接。光通信的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)是實(shí)現(xiàn)集成化,類似于集成電路,將光通信系統(tǒng)集成在單一光電子芯片。云南單模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有
硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)及硅光耦合方法,其用以將從硅光源發(fā)出的硅光束耦合進(jìn)入硅光纖,并可減少硅光束背向反射進(jìn)入硅光源,也提供控制的發(fā)射條件以改善前向硅光耦合。硅光耦合系統(tǒng)包括至少一個(gè)平坦的表面,平坦的表面與硅光路相交叉的部分的至少一部分上設(shè)有若干擾動(dòng)部。擾動(dòng)部具有預(yù)選的橫向的寬度及高度以增加前向硅光耦合效率及減少硅光束從硅光纖的端面進(jìn)入硅光源的背向反射。擾動(dòng)部通過產(chǎn)生復(fù)合的硅光束形狀來改善前向硅光耦合,復(fù)合的硅光束形狀被預(yù)選成更好地匹配硅光纖多個(gè)硅光模式的空間和角度分布。云南震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪家好在通信器件的高級(jí)市場(chǎng)上,硅光芯片的作用更加明顯。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)組件裝夾完成后,通過校正X,Y和Z方向的偏差來進(jìn)行的初始光功率耦合,圖像處理軟件能自動(dòng)測(cè)量出各項(xiàng)偏差,然后軟件驅(qū)動(dòng)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)和運(yùn)動(dòng)平臺(tái)來補(bǔ)償偏差,以及給出提示,繼續(xù)手動(dòng)調(diào)整角度滑臺(tái)。當(dāng)三個(gè)器件完成初始定位,同時(shí)確認(rèn)其在Z軸方向的相對(duì)位置關(guān)系后,這時(shí)需要確認(rèn)輸入光纖陣列和波導(dǎo)器件之間光的耦合對(duì)準(zhǔn)。點(diǎn)擊找初始光軟件會(huì)將物鏡聚焦到波導(dǎo)器件的輸出端面。通過物鏡及初始光CCD照相機(jī),可以將波導(dǎo)輸出端各通道的近場(chǎng)圖像投射出來,進(jìn)行適當(dāng)耦合后,圖像會(huì)被投射到顯示器上。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的,我們的客戶非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性,硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”,“易掉話”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,“不能接聽”等不良機(jī)流向市場(chǎng)。一般模擬用戶環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號(hào)類”返修量一直占有較大的比例??梢姡韫庑酒詈蠝y(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)年P(guān)鍵崗位,在利用金機(jī)調(diào)好衰減(即線損)之后,功率無法通過的,必須進(jìn)行維修,而不能隨意的更改線損使其通過測(cè)試,因?yàn)楸容^可能此類機(jī)型在開機(jī)界面顯示滿格信號(hào)而在使用過程中出現(xiàn)“掉話”的現(xiàn)象,給設(shè)備質(zhì)量和信譽(yù)帶來負(fù)面影響。以上是整機(jī)耦合的原理和測(cè)試存在的意義,也就是設(shè)備主板在FT測(cè)試之后,還要進(jìn)行組裝硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的原因。下面再說一說硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)過程中常見的異常問題和處理思路。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):操作方便。
說到功率飄忽不定,耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要因素,功率飄通常與耦合板的位置有關(guān),因此在耦合時(shí)一定要固定好相應(yīng)的位置,不可隨便移動(dòng),此外部分機(jī)型需要使用專屬版本,又或者說耦合RF線材損壞也會(huì)對(duì)功率的穩(wěn)定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測(cè)儀和機(jī)頭本身了。結(jié)尾說一說耦合不過站的故障,為防止耦合漏作業(yè)的現(xiàn)象,在耦合的過程中會(huì)通過網(wǎng)線自動(dòng)上傳耦合數(shù)據(jù)進(jìn)行過站,若MES系統(tǒng)的外觀工位攔截到耦合不過站的機(jī)頭,則比較可能是CB一鍵藕合工具未開啟或者損壞,需要卸載后重新安裝,排除耦合4.0的故障和電腦系統(tǒng)本身的故障之后,則可能是MES系統(tǒng)本身的問題導(dǎo)致耦合數(shù)據(jù)無法上傳而導(dǎo)致不過站的現(xiàn)象的。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì):可視化杜瓦,可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測(cè)試根據(jù)測(cè)試。遼寧震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:在一個(gè)指令周期內(nèi)可完成一次乘法和一次加法。云南單模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有
伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。目前,主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料。基于III-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點(diǎn)限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。云南單模硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪里有
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