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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進(jìn)行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節(jié)點(diǎn)要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進(jìn)行蝕刻時(shí)，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點(diǎn)的厚度測量時(shí)，檢測點(diǎn)之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實(shí)現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

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    此處所描述的具體實(shí)施例用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。參照圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)包括：電解槽1、射流器2、再生液調(diào)配缸3、液體泵4，其中，電解槽1具有一出液口和出氣口，且電解槽1中內(nèi)置有酸性蝕刻液，電解槽1對該酸性蝕刻液進(jìn)行電解提銅，產(chǎn)生氯氣，得到電解后液，并且，產(chǎn)生的氯氣通過位于上方的出氣口排出，電解后液通過位于下方的出液口排出。射流器2包括混氣室21和擴(kuò)散管22，混氣室21和擴(kuò)散管22之間為喉管，混氣室21具有進(jìn)氣口2a、進(jìn)液口2b、出液口2c，擴(kuò)散管22連接至出液口2c，進(jìn)氣口2a通過導(dǎo)氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣，擴(kuò)散管22深入到再生液調(diào)配缸3中。再生液調(diào)配缸3具有進(jìn)液口和循環(huán)出液口，進(jìn)液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調(diào)配缸3的循環(huán)出液口，另一端通過管道b連接射流器2的進(jìn)液口2b，用于將再生液調(diào)配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進(jìn)液口2b。電解槽1電解提銅后，陽極產(chǎn)生的氯氣通過導(dǎo)氣管a進(jìn)入到射流裝置2的混氣室21內(nèi)，電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21，在混氣室21形成真空，在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合。蘇州博洋化學(xué)股份有限公司提供專業(yè)蝕刻液。江西什么是BOE蝕刻液銷售電話

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