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企業(yè)商機
剝離液基本參數(shù)
  • 品牌
  • 博洋化學
  • 純度級別
  • 超純/高純
  • 類型
  • 醇,醚
  • 產(chǎn)品性狀
  • 液態(tài)
剝離液企業(yè)商機

    高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固體物料潤濕,剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此,本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中,酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種,酰胺是用于溶解光刻膠;n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種,醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的;二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環(huán)胺與鏈胺,用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力;鏈胺:分子量的大小決定瞬間溶解力,分子量過大瞬間溶解力小,光刻膠未被完全溶解;分子量過小,對金屬的腐蝕性增強,影響產(chǎn)品質(zhì)量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種;環(huán)胺:溶解光刻膠中環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹脂,包括氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種;上述鏈胺與環(huán)胺的比例在4∶1-1∶4之間。緩蝕劑,用于降低對金屬的腐蝕速度,緩蝕劑為三唑類物質(zhì),具體為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。潤濕劑。剝離液的成分分類有哪幾種;揚州京東方用的蝕刻液剝離液批量定制

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    避免接觸皮膚、眼睛和衣服;存儲:密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風:良好的通風措施,保持良好通風人員保護設(shè)備:橡膠手套、防護目鏡,避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓;9.物理和化學性能物理測試:液體顏色:微黃氣味:類氨熔點:-24~-23℃沸點:165~204℃閃點:110℃蒸汽壓mmHg@20℃蒸汽壓密度(空氣=1):密度(水=1):粘度:10~200cps水中溶解性:任意比例混溶其它溶劑:溶于部分有機溶劑PH值:10.穩(wěn)定性與活性穩(wěn)定性:穩(wěn)定危險反應(yīng):有機和無機酸、強氧化劑、堿金屬、強酸混溶性:強氧化劑和酸不能混溶,在高溫氣壓下可與二硫化碳反應(yīng)避免條件:熱、火、火源及混溶11.毒性N-Methyl-2-pyrrolidone實際毒性LD50/口服:3600mg/kgLD50/皮膚接觸(兔):8000mg/kgLC50/吸入(鼠):>mg/1/4hN,N-DIMETHYLACETAMIDELD50/口服/鼠:>2000mg/kgLD50/皮膚接觸/兔:>。中芯國際用剝離液推薦貨源如何挑選一款適合自己公司的剝離液?

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    該方法包括:步驟110、將多級腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液;步驟120、將來自于當前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當前級腔室相應(yīng)的存儲箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;步驟130、使用當前級腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室;步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān);步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個并列排布的子過濾器,則可以關(guān)閉被阻塞的子過濾器的閥門,因此,步驟140還可以包括:若所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器,則關(guān)閉連接被阻塞的所述子過濾器的管道上的閥門開關(guān)。在上述實施例中,對各個實施例的描述都各有側(cè)重,某個實施例中沒有詳述的部分,可以參見其他實施例的相關(guān)描述。以上對本申請實施例進行了詳細介紹,本文中應(yīng)用了具體個例對本申請的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本申請的技術(shù)方案及其思想;本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改,或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。

    所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器,所述道包括多個子管道,每一所述子管道與一子過濾器連通,且所述多個子管道與當前級腔室對應(yīng)的存儲箱連通。在一些實施例中,所述第二管道包括公共子管道及多個第二子管道,每一所述第二子管道與一子過濾器連通,每一所述第二子管道與所述公共子管道連通,所述公共子管道與所述下一級腔室連通。在一些實施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述子管道上。在一些實施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些實施例中,所述第二管道包括多個第三子管道,每一所述第三子管道與一子過濾器連通,且每一所述第三子管道與所述下一級腔室連通。在一些實施例中,所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第三子管道上。本申請實施例還提供一種剝離液機臺的工作方法,包括:將多級腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液;將來自于當前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當前級腔室相應(yīng)的存儲箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;使用當前級腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室。博洋剝離液供應(yīng)廠商-提供微電子領(lǐng)域個性化解決方案!

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    本發(fā)明涉及剝離液技術(shù)領(lǐng)域:,更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術(shù)::電子行業(yè)飛速發(fā)展,光刻膠應(yīng)用也越來越。在半導體元器件制造過程中,經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程,在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后,必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材,才能再進行下道工序。因此,光刻膠的剝離質(zhì)量也有直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻,但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),傳統(tǒng)剝離液親水性不夠,水置換能力較差,容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:本申請公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液,包括以下質(zhì)量組分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;環(huán)胺與鏈胺:3-7%;緩蝕劑:%%;潤濕劑:%%。的技術(shù)方案中,所述的酰胺為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種。的技術(shù)方案中,所述的醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種。的技術(shù)方案中。維信諾用的哪家的剝離液?杭州京東方用的蝕刻液剝離液溶劑

哪家公司的剝離液是比較劃算的?揚州京東方用的蝕刻液剝離液批量定制

    隨著電子元器件制作要求的提高,相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對濕電子化學品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢,并規(guī)范世界超凈高純試劑的標準,國際半導體設(shè)備與材料組織(SEMI)將濕電子化學品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個數(shù)和應(yīng)用范圍等指標制定國際等級分類標準。濕電子化學品在各應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品標準有所不同,光伏太陽能電池領(lǐng)域一般只需要G1級水平;平板顯示和LED領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W品的等級要求為G2、G3水平;半導體領(lǐng)域中,集成電路用濕電子化學品的純度要求較高,基本集中在G3、G4水平,分立器件對濕電子化學品純度的要求低于集成電路,基本集中在G2級水平。一般認為,產(chǎn)生集成電路斷絲、短路等物理性故障的雜質(zhì)分子大小為**小線寬的1/10。因此隨著集成電路電線寬的尺寸減少,對工藝中所需的濕電子化學品純度的要求也不斷提高。從技術(shù)趨勢上看,滿足納米級集成電路加工需求是超凈高純試劑今后發(fā)展方向之一。 揚州京東方用的蝕刻液剝離液批量定制

剝離液產(chǎn)品展示
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與剝離液相關(guān)的**
與剝離液相關(guān)的標簽
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