紅外熱像儀QWIP的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)是多量子阱結(jié)構(gòu),雖然該結(jié)構(gòu)可以被許多Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料所實(shí)現(xiàn),但基于GaAs/鋁鎵砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是應(yīng)用***?技術(shù)成熟?性能優(yōu)異的QWIP?對(duì)于通過改變GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相應(yīng)的QWIP連續(xù)覆蓋MIR?LWIR甚至VLWIR波段?GaAs/AlGaAs材料體系在Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料團(tuán)體里能一枝獨(dú)秀的**主要原因是,它與GaAs襯底在所有的A1組分條件下都能實(shí)現(xiàn)非常完美的晶格匹配,這一優(yōu)勢(shì)使該材料體系的生長(zhǎng)技術(shù)既成熟又低廉,極大地推動(dòng)了GaAs/AlGaAs QWIP的發(fā)展?一般而言,大家所謂的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP?紅外熱像儀與普通相機(jī)有何不同？低溫紅外熱像儀廠家現(xiàn)貨

測(cè)量表面溫度一般采用非接觸紅外高溫計(jì)，必須注意在測(cè)量時(shí)需要調(diào)整紅外熱像儀所使用的發(fā)射率ε，發(fā)射率是材料及其表面狀況的特性，采用不正確的發(fā)射率會(huì)產(chǎn)生明顯的測(cè)量誤差。有兩種方法可以在靜態(tài)表面上校準(zhǔn)發(fā)射率，***個(gè)方法是使用接觸式高溫計(jì)測(cè)量溫度，然后將紅外高溫計(jì)指向同一點(diǎn)并調(diào)整發(fā)射率，直到溫度讀數(shù)與接觸式溫度計(jì)的讀數(shù)相同；第二個(gè)方法是在被測(cè)表面粘上黑膠布，或者涂上黑漆，然后用測(cè)得的溫度校準(zhǔn)紅外高溫計(jì)。常用特定溫度下水泥窯系統(tǒng)表面發(fā)射率見表1。中低溫紅外熱像儀適用紅外熱像儀的維護(hù)保養(yǎng)需要注意什么？

紅外熱像儀的價(jià)格范圍很大，取決于多個(gè)因素，包括品牌、型號(hào)、性能和功能等。一般來說，紅外熱像儀的價(jià)格可以從幾百美元到數(shù)萬(wàn)美元不等。低端的入門級(jí)紅外熱像儀價(jià)格通常在幾百到一千美元之間，這些設(shè)備功能相對(duì)簡(jiǎn)單，分辨率較低，適合一般家庭用戶或初學(xué)者使用。中端的紅外熱像儀價(jià)格通常在一千到五千美元之間，這些設(shè)備具有較高的分辨率和更多的功能，適合專業(yè)用戶、工程師和科研人員使用。專業(yè)級(jí)紅外熱像儀價(jià)格通常在五千美元以上，甚至可以達(dá)到數(shù)萬(wàn)美元。這些設(shè)備具有高的分辨率、更多的功能和更精確的測(cè)量能力，適用于高精度的工業(yè)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用。

    紅外(Infrared,IR)波是指波長(zhǎng)在，它在大自然的電磁波譜里處在可見光與微波之間。由于IR在電磁波譜中涵蓋的波長(zhǎng)范圍很寬，人們通常按波長(zhǎng)將它分成５個(gè)子波段，分別為：近紅外(near-IR,NIR)、中紅外(mid-IR,MIR)、長(zhǎng)波紅外(long-wavelengthIR,LWIR)、甚長(zhǎng)波紅外(very-long-wavelengthIR,VLWIR)以及遠(yuǎn)紅外(far-IR,FIR)，它們所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)范圍如下表所示：一、IR紅外探測(cè)器分類根據(jù)探測(cè)機(jī)理的不同，IR探測(cè)器可分為兩大類，分別是光子探測(cè)器和熱探測(cè)器，下圖所示：在吸收IR波后，熱探測(cè)材料的溫度、電阻率、電動(dòng)勢(shì)以及自發(fā)極化強(qiáng)度等會(huì)產(chǎn)生明顯的波動(dòng)，根據(jù)這些波動(dòng)可探測(cè)目標(biāo)物體向外輻射IR的能量。熱探測(cè)器的響應(yīng)速度普遍比光子探測(cè)器低，因此在大規(guī)模FPA探測(cè)器的發(fā)展方面不如光子探測(cè)器樂觀，但熱探測(cè)器制造成本低廉、使用便利，這使它們?cè)诿裼檬袌?chǎng)大受歡迎與光子探測(cè)器不同，熱探測(cè)器的響應(yīng)光譜較為平坦，不存在峰值波長(zhǎng)，其探測(cè)率不隨波長(zhǎng)變化而變化，如圖所示。 紅外熱像儀的圖像是否可以進(jìn)行后期處理？

熱電堆又叫溫差電堆，它利用熱電偶串聯(lián)實(shí)現(xiàn)探測(cè)功能，是較為古老的一種IR探測(cè)器。以前，熱電堆都是基于金屬材料制備的，具有響應(yīng)速度慢、探測(cè)率低、成本高等致命劣勢(shì)，不受業(yè)內(nèi)人士的待見。隨著近代半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體材料也被應(yīng)用到了熱電堆的制作中。半導(dǎo)體材料普遍比金屬材料的塞貝克(Seebeck)系數(shù)高，而且半導(dǎo)體的微加工技術(shù)保證了器件的微型化程度，降低其熱容量，因此熱電堆的性能得到了**地優(yōu)化?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的引入，讓紅外熱像儀熱電堆芯片電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。安防監(jiān)控系統(tǒng)整合紅外熱像儀，提高夜間監(jiān)控能力，保障安全。上海市高溫紅外熱像儀

紅外熱像儀到底能測(cè)多遠(yuǎn)、多小的目標(biāo)？低溫紅外熱像儀廠家現(xiàn)貨

nGaAs是由兩種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料組成的三元系半導(dǎo)體化合物，它的帶隙隨組分比例的變化而變化。基于此材料制備的IR探測(cè)器，其響應(yīng)截止波長(zhǎng)可達(dá)到3μm以上，響應(yīng)范圍完全覆蓋NIR波段，是該波段探測(cè)器團(tuán)體里**重要的成員。在該體系下，其他化合物性能如下圖所示：與其它的常用IR探測(cè)器相比，InGaAs探測(cè)器的興起較晚，在上世紀(jì)80年代才開始走進(jìn)人類的視野。近年來，得益于NIR成像的強(qiáng)勢(shì)崛起，InGaAs的發(fā)展勢(shì)頭也十分迅猛。在實(shí)際生產(chǎn)中，一般將InGaAs材料生長(zhǎng)在磷化銦(InP)襯底上，紅外熱像儀兩者的晶格失配度也會(huì)隨InGaAs組分的變化而變化。低溫紅外熱像儀廠家現(xiàn)貨