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紅外熱像儀基本參數(shù)
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  • 德國
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紅外熱像儀企業(yè)商機(jī)

nGaAs是由兩種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料組成的三元系半導(dǎo)體化合物,它的帶隙隨組分比例的變化而變化?;诖瞬牧现苽涞腎R探測(cè)器,其響應(yīng)截止波長可達(dá)到3μm以上,響應(yīng)范圍完全覆蓋NIR波段,是該波段探測(cè)器團(tuán)體里**重要的成員。在該體系下,其他化合物性能如下圖所示:與其它的常用IR探測(cè)器相比,InGaAs探測(cè)器的興起較晚,在上世紀(jì)80年代才開始走進(jìn)人類的視野。近年來,得益于NIR成像的強(qiáng)勢(shì)崛起,InGaAs的發(fā)展勢(shì)頭也十分迅猛。在實(shí)際生產(chǎn)中,一般將InGaAs材料生長在磷化銦(InP)襯底上,紅外熱像儀兩者的晶格失配度也會(huì)隨InGaAs組分的變化而變化。紅外熱像儀的工作原理是什么?在線式紅外熱像儀維修

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紅外熱像儀QWIP的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)是多量子阱結(jié)構(gòu),雖然該結(jié)構(gòu)可以被許多Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料所實(shí)現(xiàn),但基于GaAs/鋁鎵砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是應(yīng)用***?技術(shù)成熟?性能優(yōu)異的QWIP?對(duì)于通過改變GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相應(yīng)的QWIP連續(xù)覆蓋MIR?LWIR甚至VLWIR波段?GaAs/AlGaAs材料體系在Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料團(tuán)體里能一枝獨(dú)秀的**主要原因是,它與GaAs襯底在所有的A1組分條件下都能實(shí)現(xiàn)非常完美的晶格匹配,這一優(yōu)勢(shì)使該材料體系的生長技術(shù)既成熟又低廉,極大地推動(dòng)了GaAs/AlGaAs QWIP的發(fā)展?一般而言,大家所謂的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP?新型紅外熱像儀哪家便宜制冷型紅外熱像儀由于其精度高誤差小靈敏度高,使得其檢測(cè)結(jié)果更加可靠。

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紅外熱像儀的使用人們經(jīng)常詢問紅外熱像儀在特定情況下的使用情況以及該技術(shù)在特定環(huán)境或應(yīng)用中的有效性。我們來看看問題。為什么紅外熱像儀在夜間表現(xiàn)更好?紅外熱像儀通常在夜間表現(xiàn)更好,但這與周圍環(huán)境的亮度無關(guān)。由于夜間的環(huán)境溫度(重要的是未加熱物體和環(huán)境中心的溫度)比白天低很多,熱成像傳感器可以以更高的對(duì)比度顯示溫暖的區(qū)域。即使在涼爽的日子里,太陽的熱量也會(huì)被建筑物、道路、植被、建筑材料等吸收。白天,各種物體都會(huì)在環(huán)境溫度下吸收熱量。使用熱像儀傳感器進(jìn)行檢測(cè)時(shí),這些物體與其他待檢測(cè)的溫暖物體之間的差異不是很明顯。

紅外熱像儀的工作距離是有限制的。紅外熱像儀的工作距離取決于其焦距和像素分辨率。一般來說,紅外熱像儀的工作距離在幾米到幾十米之間。在工作距離范圍內(nèi),紅外熱像儀可以提供較為準(zhǔn)確的溫度測(cè)量結(jié)果。然而,當(dāng)距離目標(biāo)過遠(yuǎn)或過近時(shí),紅外熱像儀的測(cè)量精度可能會(huì)受到影響。如果距離目標(biāo)過遠(yuǎn),紅外熱像儀可能無法準(zhǔn)確地捕捉到目標(biāo)的細(xì)節(jié)和溫度變化,從而導(dǎo)致測(cè)量誤差增加。此外,目標(biāo)與紅外熱像儀之間的距離過遠(yuǎn)還可能導(dǎo)致環(huán)境因素的影響增加,如大氣散射和輻射能量的衰減。另一方面,如果距離目標(biāo)過近,紅外熱像儀的視場(chǎng)角可能會(huì)變得較小,無法覆蓋目標(biāo)的整個(gè)區(qū)域,從而導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果不準(zhǔn)確。紅外熱像儀是否可以用于安全檢查和故障排查?

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截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測(cè)器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導(dǎo)體化合物,其帶隙也會(huì)隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測(cè)器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測(cè)器在NIR?MIR和LWIR三個(gè)波段都能表現(xiàn)出十分優(yōu)異的性能,所以它問世不久便成為了IR探測(cè)器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測(cè)器的興起,HgCdTe探測(cè)器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測(cè)器的探測(cè)率不如HgCdTe探測(cè)器,但由于InSb的材料生長技術(shù)比HgCdTe成熟,HgCdTe探測(cè)器在該波段已達(dá)不到一家獨(dú)大的地步;對(duì)于LWIR波段,HgCdTe探測(cè)器仍具有很強(qiáng)的統(tǒng)治地位?紅外熱像儀主要應(yīng)用于哪些方面呢?PYROLINE HS320N compact+ 紅外熱像儀批發(fā)

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由于大尺寸HgCdTe FPA探測(cè)器的制作成本居高不下,QWIP FPA探測(cè)器被寄予厚望,因而發(fā)展迅速?在LWIR波段,目前QWIP FPA探測(cè)器的性能足以與**的HgCdTe相媲美?QWIP也存在一些缺點(diǎn):因存在與子帶間躍遷相關(guān)的基本限制,QWIP需要的工作溫度較低(一般低于液氮溫度),QWIP的量子效率普遍很低?一般而言,PC探測(cè)器的響應(yīng)速度比PV慢,但QWIP PC探測(cè)器的響應(yīng)速度與其它PV紅外熱像儀相當(dāng),所以大規(guī)模QWIP FPA探測(cè)器也被研制了出來?與HgCdTe—樣,QWIP FPA探測(cè)器也是第三代IR成像系統(tǒng)的重要成員,這類探測(cè)器在民用與天文等領(lǐng)域都有著大量的使用案例?在線式紅外熱像儀維修

與紅外熱像儀相關(guān)的**
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