RuO2薄膜掠入射XRD-GID引言薄膜材料就是厚度介于一個(gè)納米到幾個(gè)微米之間的單層或者多層材料。由于厚度比較薄,薄膜材通常依附于一定的襯底材料之上。常規(guī)的XRD測(cè)試,X射線的穿透深度一般在幾個(gè)微米到幾十個(gè)微米,這遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于薄膜的厚度,導(dǎo)致薄膜的信號(hào)會(huì)受到襯底的影響(圖1)。另外,如果衍射簡(jiǎn)單較高,那么X射線只能輻射到部分樣品,無(wú)法利用整個(gè)樣品的體積,衍射信號(hào)弱。薄膜掠入射衍射(GID:GrazingIncidenceX-RayDiffraction)很好的解絕了以上問(wèn)題。所謂掠入射是指使X射線以非常小小的入射角(<5°)照射到薄膜上,小的入射角大大減小了在薄膜中的穿透深度,同時(shí)增加衍射顆粒的數(shù)目和x射線在薄膜中的光程。這里有兩點(diǎn)說(shuō)明:GID需要硬件配置;常規(guī)GID只適合多晶薄膜和非晶薄膜,不適合單晶外延膜。D8 DISCOVER 特點(diǎn):UMC樣品臺(tái)可對(duì)重達(dá)5 kg的樣品進(jìn)行掃描、大區(qū)域映射300mm的樣品、高通量篩選支持三個(gè)孔板。薄膜略入射測(cè)試
石墨化度分析引言石墨及其復(fù)合材料具有高溫下不熔融、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能好以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異等特點(diǎn),應(yīng)用于冶金、化工、航空航天等行業(yè)。特別是近年來(lái)鋰電池的快速發(fā)展,進(jìn)一步加大了石墨材料的需求。工業(yè)上常將碳原料經(jīng)過(guò)煅燒破碎、焙燒、高溫石墨化處理來(lái)獲取高性能人造石墨材料。石墨的質(zhì)量對(duì)電池的性能有很大影響,石墨化度是一種從結(jié)構(gòu)上表征石墨質(zhì)量的方法之一。石墨化度碳原子形成密排六方石墨晶體結(jié)構(gòu)的程度,其晶格尺寸愈接近理想石墨的點(diǎn)陣參數(shù),石墨化度就愈高。深圳原位分析XRD衍射儀檢測(cè)在DIFFRAC.EVA中,對(duì)塑料薄膜進(jìn)行WAXS測(cè)量分析。然后塑料纖維的擇優(yōu)取向便顯而易見了。
藥物制劑生產(chǎn)過(guò)程中除需添加各種輔料外,往往還需要經(jīng)過(guò)溶解、研磨、干燥(溫度)、壓片等工藝過(guò)程,在此過(guò)程中API的晶型有可能發(fā)生改變,進(jìn)而可能影響到藥物的療效。國(guó)內(nèi)外FDA規(guī)定多晶型藥物在研制、生產(chǎn)、貯存過(guò)程中必須保證其晶型的一致性,固體制劑中使用的晶型物質(zhì)應(yīng)該與API晶型一致。因此藥物制劑中的晶型分析是非常重要的。由于輔料的存在對(duì)藥物制劑中API的晶型分析增加了干擾,特別是API含量非常少的制劑樣品,檢測(cè)更加困難。XRPD是API晶型分析的有效手段之一,配合高性能的先進(jìn)檢測(cè)器,為制劑中微量API的晶型檢測(cè)提供了有利工具。
汽車和航空航天:配備了UMC樣品臺(tái)的D8D的一大優(yōu)勢(shì)就是可以對(duì)大型機(jī)械零件進(jìn)行殘余應(yīng)力和結(jié)構(gòu)分析以及殘余奧氏體或高溫合金表征。半導(dǎo)體與微電子:從過(guò)程開發(fā)到質(zhì)量控制,D8D可以對(duì)亞毫米至300mm大小的樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。制藥業(yè)篩選:新結(jié)構(gòu)測(cè)定以及多晶篩選是藥物開發(fā)的關(guān)鍵步驟,對(duì)此,D8D具有高通量篩選功能。儲(chǔ)能/電池:使用D8D,您將能在原位循環(huán)條件下測(cè)試電池材料,直接了當(dāng)?shù)墨@取不斷變化的儲(chǔ)能材料的晶體結(jié)構(gòu)和相組方面的信息??稍跀?shù)秒內(nèi),輕松從先焦點(diǎn)切換到點(diǎn)焦點(diǎn),從而擴(kuò)大應(yīng)用范圍,同事縮短重新匹配的時(shí)間。
那么,碳晶體的晶胞參數(shù)可直接用來(lái)表征其石墨化度。XRD法利用石墨的晶格常數(shù)計(jì)算石墨化度G[1]:式中:0.3440為完全非石墨化炭的(002)晶面間距,nm;0.3354為理想石墨晶體的(002)晶面間距,nm。為實(shí)際石墨試樣(002)晶面間距,nm。實(shí)例不同石墨的石墨化度為了準(zhǔn)確的確定值或(002)峰的峰位,需要在樣品中加入內(nèi)標(biāo)以校準(zhǔn)。本文根據(jù)QJ2507-93[2]規(guī)范,用硅作為內(nèi)標(biāo)物,加入待測(cè)石墨樣品中,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻。石墨及其復(fù)合材料具有高溫下不熔融、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能好以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異等特點(diǎn),應(yīng)用于冶金、化工、航空航天等行業(yè)。特別是近年來(lái)鋰電池的快速發(fā)展,進(jìn)一步加大了石墨材料的需求。工業(yè)上常將碳原料經(jīng)過(guò)煅燒破碎、焙燒、高溫石墨化處理來(lái)獲取高性能人造石墨材料。石墨的質(zhì)量對(duì)電池的性能有很大影響,石墨化度是一種從結(jié)構(gòu)上表征石墨質(zhì)量的方法之一。UMC樣品臺(tái)通常用于分析大塊樣品、掃描測(cè)量應(yīng)用和涂層分析,也能測(cè)量多個(gè)小樣品或用于執(zhí)行非環(huán)境實(shí)驗(yàn)。蘇州超晶格檢測(cè)分析
所有樣品臺(tái)都是DIFFRAC.DAVINCI概念的組成部分,因此元件及其電動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置可在安裝時(shí)自動(dòng)完成識(shí)別和配置。薄膜略入射測(cè)試
由于具有出色的適應(yīng)能力,*使用D8ADVANCE,您就可對(duì)所有類型的樣品進(jìn)行測(cè)量:從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。無(wú)論是新手用戶還是專業(yè)用戶,都可簡(jiǎn)單快捷、不出錯(cuò)地對(duì)配置進(jìn)行更改。這都是通過(guò)布魯克獨(dú)特的DAVINCI設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的:配置儀器時(shí),免工具、免準(zhǔn)直,同時(shí)還受到自動(dòng)化的實(shí)時(shí)組件識(shí)別與驗(yàn)證的支持。不僅如此——布魯克***提供基于NIST標(biāo)樣剛玉(SRM1976)的準(zhǔn)直保證。目前,在峰位、強(qiáng)度和分辨率方面,市面上尚無(wú)其他粉末衍射儀的精度超過(guò)D8ADVANCE。薄膜略入射測(cè)試
X射線粉末衍射(XRPD)技術(shù)是重要的材料表征工具之一。粉末衍射圖中的許多信息,直接源于物相的原子排列。在D8ADVANCE和DIFFRAC.SUITE軟件的支持下,您將能簡(jiǎn)單地實(shí)施常見的XRPD方法:鑒別晶相和非晶相,并測(cè)定樣品純度對(duì)多相混合物的晶相和非晶相進(jìn)行定量分析微觀結(jié)構(gòu)分析(微晶尺寸、微應(yīng)變、無(wú)序…)熱處理或加工制造組件產(chǎn)生的大量殘余應(yīng)力織構(gòu)(擇優(yōu)取向)分析指標(biāo)化、從頭晶體結(jié)構(gòu)測(cè)定和晶體結(jié)構(gòu)精修,由于具有出色的適應(yīng)能力,使用D8ADVANCE,您就可對(duì)所有類型的樣品進(jìn)行測(cè)量:從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。在DIFFRAC.LEPTOS中,進(jìn)行晶片分析:分析晶片的層厚度和外延層濃度...