CPS納米粒度分析儀測(cè)量金剛石微粉的粒徑，可提供更精確更穩(wěn)定的測(cè)量結(jié)果，有效控制產(chǎn)品的質(zhì)量。應(yīng)用實(shí)例：光催化活性高，高度耐酸堿耐腐蝕。二氧化鈦粒度分布分析，穩(wěn)定性二氧化鈦，二氧化鈦常被用作顏料、防曬霜和增稠劑。因此它有著大量的應(yīng)用，從油漆到食用色素到化妝品和護(hù)膚品，因此二氧化鈦的粒徑測(cè)量十分重要。例如納米二氧化鈦顆粒可以用于防曬乳液，因?yàn)樗鼈兩⑸涞目梢姽獗扔糜谄胀ㄍ苛匣蛘哳伭现械亩趸侇w粒小，同時(shí)還能提供紫外線保護(hù)。馳光機(jī)電科技具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，馳光機(jī)電科技以發(fā)展求壯大，一定會(huì)贏得更好的明天。安徽病毒顆粒分析儀哪家好

顆粒的大小稱作粒度，顆粒的直徑稱做粒徑。通常用粒徑來(lái)表示粒度，粒度測(cè)量?jī)x可以利用顆粒對(duì)激光的散射特性作等效對(duì)比，可快速有效測(cè)量粒徑，采用會(huì)聚光傅立葉變換測(cè)試技術(shù)保證在短焦距獲得大量程，有效提高儀器的分辨能力對(duì)小顆粒有的測(cè)試能力，是工廠、研究所、高等院校等機(jī)構(gòu)進(jìn)行相關(guān)粒度測(cè)試的理想選擇。粒度測(cè)量?jī)x的應(yīng)用現(xiàn)狀與前景展望：基于光散射原理的激光粒度儀已經(jīng)大量應(yīng)用于各領(lǐng)域的粒度檢測(cè)。如：各種非金屬粉體，如重鈣、輕鈣、滑石粉、高嶺土、石墨、硅灰石、水鎂石、重晶石、云母粉、膨潤(rùn)土、硅藻土、黏土等。廣東納米粒度分析儀價(jià)格馳光機(jī)電科技不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。

光子相關(guān)光譜法就根據(jù)特定方向的光子漲落起伏分析其顆粒大小。算法：采用除符合GB/T19627-2005/IS013321：1996標(biāo)準(zhǔn)的累積法外，還有R-R算法，可以算出納米粒子樣品的D50、D10及D90，并給出分布曲線。高靈敏度與信噪比：探測(cè)器采用專業(yè)級(jí)進(jìn)口光電倍增管（PMT），對(duì)光子信號(hào)具有較高的靈敏度和信噪。納米粒度儀分辨能力：中心部件采用CR-70-1-245數(shù)字相關(guān)器，具有識(shí)別5ns的光子脈沖分辨率。運(yùn)算功能：采用高速數(shù)字相關(guān)器CR-70-1-245有245個(gè)通道進(jìn)行數(shù)據(jù)采集與實(shí)時(shí)相關(guān)運(yùn)算。穩(wěn)定的光路系統(tǒng)：采用635nmLD激光光源和光纖技術(shù)搭建而成的光路系統(tǒng)。

而CMP工藝離不開研磨料的發(fā)展，那么對(duì)于磨料的顆粒粒度表征就顯得尤為重要了。CMP就是用化學(xué)腐蝕和機(jī)械力對(duì)加工過(guò)程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平滑處理。將硅片固定在拋光頭的較下面，將拋光墊放置在研磨盤上，拋光時(shí)，旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，由亞微米或納米磨粒和化學(xué)溶液組成的研磨液在硅片表面和拋光墊之間流動(dòng)，然后研磨液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層研磨液液體薄膜。馳光機(jī)電科技創(chuàng)新發(fā)展，努力拼搏。

能夠允許用戶為不同樣品設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量方法SOP，并且可以對(duì)SOP進(jìn)行編輯和保存。EyeTech 是一個(gè)模塊化的系統(tǒng)，可以選配10種不同的測(cè)量池。更換測(cè)量池簡(jiǎn)便快速，儀器便于分析各種顆粒，如液相、乳化液、干粉、纖維、磁粉、加熱的液體和氣溶膠等。這些測(cè)量池模塊都是配合不同的分析方法而開發(fā)的，確保能夠根據(jù)樣品的特性來(lái)測(cè)量。纖維測(cè)量池：ACM-104L，氣溶膠測(cè)量池ACM-106，微流量測(cè)量池ACM-108，載玻片測(cè)量池ACM-110，加熱測(cè)量池ACM-111，自由落體測(cè)量池ACM-112。在每一次分析過(guò)程中，激光光束與顆粒之間發(fā)生了上百萬(wàn)次的交互作用。馳光機(jī)電科技有限公司不懈追求產(chǎn)品質(zhì)量，精益求精不斷升級(jí)。四川納米粒度分析儀價(jià)格

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而化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical mechanical polishing，CMP）是集成電路芯片的一個(gè)關(guān)鍵制程，國(guó)內(nèi)拋光所用關(guān)鍵材料CMP拋光墊，幾乎全部依賴進(jìn)口。CMP典型的拋光漿料都是納米級(jí)發(fā)煙硅石(5Vol%，170-230nm)、高純硅膠(9Vol%，6-80nm)、氧化鈰(6Vol%，200-240nm)或氧化鋁顆粒，它們的粒度或粒度分布必須小心地進(jìn)行控制以免在拋光面上產(chǎn)生刮痕。CMP漿料的分散穩(wěn)定性和保存期也是必須被認(rèn)真考慮的重要環(huán)節(jié)。這種納米漿料的使用濃度一般在(5-30W%)，容易聚集。隨著貯存時(shí)間延長(zhǎng)，它的粒度可能增大從而導(dǎo)致?lián)p害的產(chǎn)生。安徽病毒顆粒分析儀哪家好

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