天津三相可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)
設(shè)備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。3.電流上升率、電壓上升率的保護(1)電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密度很大,然后以μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面,若可控硅開通時電流上升率di/dt過大,會導(dǎo)致PN結(jié)擊穿,必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯(lián)入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大,由于晶...
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可控硅晶閘管、整流管等器件在使用時普遍有發(fā)熱現(xiàn)象,東臺瑞新針對目前市場上客戶反饋問題總結(jié)出以下處理方案,希望對大家有所幫助。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。;屬選型問題,需改動設(shè)計并更換設(shè)計要求電流的器件;;需要求供應(yīng)廠家更換合格產(chǎn)品;:如銅排的連接,水路,水壓及水的流速,風(fēng)道風(fēng)速,散熱器臺面的平整度,安裝緊固力等等。(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來改變輸出百分比。:銅排接觸面必須平整光亮,...
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但無法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷,可降低陽極電壓,或增大負(fù)載電阻,使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流(IH)(當(dāng)門極斷開時,晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽極電流叫維持電流),電流會突然降到零,之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻,電流不會再增大,說明晶閘管已恢復(fù)阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,可以總結(jié)出:1.門極斷開時。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管導(dǎo)通,稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管...
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要想來探討它們二者之間的區(qū)別,就讓正高的小編帶大家去看一下吧!其實呢,首先因為它們兩個是兩類不同的器件,二極管是一個比較單向的導(dǎo)電的器件,晶閘管有著單向和雙向的區(qū)分,通常情況下的,開通之后,并不能做到自行關(guān)斷,需要外部添加到電壓下降到0或者是反向時才會關(guān)斷。晶閘管的簡稱是晶體閘流管的簡稱,反過來講可以稱作可控硅橫流器,也有很多的人稱為可控硅,其實是屬于PNPN的四層半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu),它是有著三個極:陽級、陰級和門級,它具有著硅整流器件的特性,可以再高電壓或者是大電流的情況下,進行工作,工作的過程是可以被控制的、也可以是被廣泛應(yīng)用的可以用在可控整流、交流調(diào)壓以及無觸點的電子開關(guān)等相關(guān)的電路中。二極管...
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可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細(xì)的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時也有壓接式的??煽毓枘K②從外形方面來講,焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使...
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晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后,門極就對它失去控制作用,通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可,稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通,但無法使其關(guān)斷。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷,可降低陽極電壓,或增大負(fù)載電阻,使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流(IH)(當(dāng)門極斷開時,晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽極電流叫維持電流),電流會突然降到零,之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻,電流不會再增大,說明晶閘管已恢復(fù)阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,可以總結(jié)出:1.門極斷開時。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管...
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首先可控硅是一種新型的半導(dǎo)體器件,其次它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優(yōu)點,目前交流調(diào)壓器多采用可控硅調(diào)壓器。可控硅調(diào)壓器電路圖(一)可控硅交流調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成,其電路原里圖如下圖所示。從圖中可知,二極管D1—D4組成橋式整流電路,雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后,220V交流電通過負(fù)載電阻RL經(jīng)二極管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K兩端形成一個脈動直流電壓,該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時,整流電壓通過R4、W1對電容C充電。當(dāng)充電電壓Uc達(dá)到單結(jié)晶體管T1管的峰...
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可控硅模塊的控制方法我們都知道,可控硅模塊在電子電氣行業(yè)中非常受歡迎,它是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,可控硅模塊的的應(yīng)用范圍十分的廣大??煽毓枘K眾所周知,任何的設(shè)備只有正確操作才能發(fā)揮它應(yīng)有的作用,可控硅模塊在使用的時候一定要進行有效的控制才能發(fā)揮良好的運行性能。下面,就讓正高的小編來給您講講控制可控硅模塊的有效方法。1可控硅模塊控制方法:經(jīng)過輸入模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號,通過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié),實現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導(dǎo)通的過程,電壓或者是電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等...
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為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)?它的作用是什么呢?晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用,您也許聽過晶閘管模塊的作用、優(yōu)勢、應(yīng)用范圍等等,您聽過晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)的作用是什么嗎?接下來正高電氣就來為您介紹為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)?它的作用是什么呢?在實際晶閘管模塊電路中,常在其兩端并聯(lián)rc串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為rc阻容吸收電路。我們知道,晶閘管模塊有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,使晶閘管模塊從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加...
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六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時,其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT,是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電壓,一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電...
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晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時需要注意哪些事項?晶閘管模塊在長期的使用情況下會產(chǎn)生高溫,這時就必須安裝散熱器,有時會因為散熱器安裝與使用方法的不當(dāng),效果就有很大的差異,下面正高電器來講下晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時需要注意哪些事項?用簡易數(shù)字萬用表附帶的點溫計對KK2000A晶閘管管芯陶瓷外殼的溫度進行了測量,對比同一臺設(shè)備,同類器件,不同散熱器在相同工作條件下的溫度,以此來比較散熱器的散熱效果。具體測量的有關(guān)數(shù)據(jù)如下:工作條件中,中頻電源直流電流1800A,進水溫度40°C。用此種方法所測的溫度雖然有一定的誤差,也不能元件的真正殼溫,但通過相對比較能明顯地說明,不同情況的散熱器散熱...
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晶閘管模塊的八個優(yōu)點來源:正高電氣日期:2019年09月07日點擊數(shù):載入中...晶閘管模塊應(yīng)用于溫度調(diào)節(jié)、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、焊接、穩(wěn)壓電源等行業(yè),也可用于交流電機軟起動和直流電機調(diào)速。你知道晶閘管模塊的優(yōu)點嗎?下面晶閘管生產(chǎn)廠家正高電氣來講解一下晶閘管模塊的八大優(yōu)點。主要優(yōu)點如下:(1)采用進口方形晶閘管支撐板,使晶閘管模塊電壓降低、功耗低、效率高、節(jié)能效果好。(2)采用進口插片元件,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。(3)(DCB)陶瓷銅板通過獨特的處理和特殊的焊接工藝,保證晶閘管模塊的焊接層無空洞,具有良好的導(dǎo)熱性能。(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的絕緣和防潮性能。(5)觸發(fā)控制...
[查看詳情]淄博可控硅調(diào)壓模塊
隨著科技與社會的不斷發(fā)展,智能晶閘管模塊越來越被大眾所認(rèn)知,因為它在機器上也發(fā)揮著重要的作用,所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來越多,接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了,但是對于剛接觸它的來講,肯定是很陌生的,所以在使用上肯定就是有點困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保證com端必須為正,各個功能端相對,如果com的功能端相對是負(fù)極,則會出現(xiàn)調(diào)壓的輸出端出現(xiàn)失控的的情況。2.智能晶閘管調(diào)壓模塊它的正極性就是各個功能端的控制,意思就是控制電壓越高,它的強電輸出電路就越高。3.晶閘管模塊屬于受信號所控制的,他是在某一個時刻使用的一種輸入控制方式,當(dāng)2種方...
[查看詳情]淄博可控硅調(diào)壓模塊功能
可控硅晶閘管、整流管等器件在使用時普遍有發(fā)熱現(xiàn)象,東臺瑞新針對目前市場上客戶反饋問題總結(jié)出以下處理方案,希望對大家有所幫助。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。;屬選型問題,需改動設(shè)計并更換設(shè)計要求電流的器件;;需要求供應(yīng)廠家更換合格產(chǎn)品;:如銅排的連接,水路,水壓及水的流速,風(fēng)道風(fēng)速,散熱器臺面的平整度,安裝緊固力等等。(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來改變輸出百分比。:銅排接觸面必須平整光亮,...
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可控硅調(diào)壓器模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。其實是先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅調(diào)壓器模塊的優(yōu)點:體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機械設(shè)計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點??煽毓枵{(diào)壓器模塊的分類:可控硅調(diào)壓器模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及...
[查看詳情]福建大功率可控硅調(diào)壓模塊功能
主要的因素是建筑維護物的保溫狀況、周邊相鄰單元是否供暖和產(chǎn)品的綜合熱效率以及供暖方式等方面.這就是任何產(chǎn)品都不能給出一個準(zhǔn)確的耗能量的原因.我們建議用戶,如果你的房屋沒有保溫處理,好自己做保溫處理,特別是新購買未裝修的新房,一定在裝修時考慮進行保溫處理,平方米的房屋費用只幾千元,比起花幾萬甚至十幾萬來做常規(guī)的裝修是個非常少的開支,但冬天供暖節(jié)能,夏天制冷節(jié)能的效果卻是相差幾倍,年便可節(jié)省下保溫處理的費用,但卻幾十年享受節(jié)能的效果.熱量的傳遞方式分為對流、傳導(dǎo)、輻射三種形式,輻射熱是人體覺得溫馨的傳熱方式,給人以陽光般溫暖的覺得,沒有空氣活動、沒有熱感,人們可根據(jù)本身需要,設(shè)定合適本人的室內(nèi)溫度...
[查看詳情]天津三相可控硅調(diào)壓模塊分類
1.用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路,一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上,如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下,可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值,一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常,觸發(fā)極與陽極之間的電阻值,一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通,必須滿足以下條件:雙向晶閘管導(dǎo)通條件:一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,晶閘管(可控硅)才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外,晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,晶閘管(可控...
[查看詳情]萊蕪雙向可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)
也可用于控制電熱毯、小功率電暖器等家用電器。電路圖溫度控制器電路如圖。工作原理220V交流電壓經(jīng)Cl降壓、VD,和VD。整流、C2濾波及VS穩(wěn)壓后,一路作為IC(TL431型三端穩(wěn)壓集成電路)的輸入直流電壓;另一路經(jīng)RT、R3和RP分壓后,為IC提供控制電壓。在被測溫度低于RP的設(shè)定溫度時,NTC502型負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器Rr的電阻值較大,IC的控制電壓高于其開啟電壓,IC導(dǎo)通,使LED點亮,VS受觸發(fā)而導(dǎo)通,電熱器EH通電開始加熱。隨著溫度的不斷上升,Rr的電阻值逐漸減小,同時IC的控制電壓也隨之下降。當(dāng)被測溫度高于設(shè)定溫度時,IC截止,使LED熄滅,VS關(guān)斷,EH斷電而停止加熱。隨后溫度...
[查看詳情]黑龍江整流可控硅調(diào)壓模塊品牌
它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種(見圖表-25)。螺旋式的應(yīng)用較多。■可控硅有三個電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26?!鰪膱D表-26中可以看到,可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控...
[查看詳情]淄博三相可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)
鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測...
[查看詳情]重慶單向可控硅調(diào)壓模塊分類
可控硅保護電路如何設(shè)計可控硅的保護電路,大致可以分為兩種情況:一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護電路,檢測設(shè)備的輸出電壓或輸入電流,當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過允許值時,借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài),從而過電壓或過電流的數(shù)值。1.過流保護可控硅設(shè)備產(chǎn)生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內(nèi)部原因,如整流可控硅損壞,觸發(fā)電路或控制系統(tǒng)有故障等;其中整流橋可控硅損壞類較為嚴(yán)重,一般是由于可控硅因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力,它相當(dāng)于整流橋臂發(fā)生長久性短路,使在另外兩橋臂可控...
[查看詳情]江蘇單向可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種(見圖表-25)。螺旋式的應(yīng)用較多。■可控硅有三個電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26?!鰪膱D表-26中可以看到,可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控...
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晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些?晶閘管模塊的存在起到很重要的作用,在一些特殊情況時,就需要將晶閘管模塊進行串聯(lián)或者并聯(lián),從而達(dá)到要求,接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些?當(dāng)晶閘管模塊額定電壓小于要求時,可以串聯(lián)。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等,但因特性差異,使器件電壓分配不均勻。當(dāng)晶閘管模塊靜態(tài)不均壓,串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同,但因靜態(tài)伏安特性的分散性,各器件分壓不等。這是應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊,采用電阻均壓,Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。當(dāng)晶閘管模塊動態(tài)不均壓,由于器件動態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓,這時我們要選擇動態(tài)參數(shù)和特性...
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Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時,可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓...
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晶閘管智能模塊在電機調(diào)速中的應(yīng)用晶閘管智能模塊是新一代電力調(diào)控產(chǎn)品,它將晶閘管智能模塊和移相觸發(fā)電路集成為一體,具有使用方便、穩(wěn)定可靠、節(jié)材節(jié)能等優(yōu)點,能降低用戶系統(tǒng)的開發(fā)及使用成本,主要應(yīng)用于交直流電動機的調(diào)速及穩(wěn)定電源等領(lǐng)域。一、晶閘管智能模塊按主電路形式可分為三相模塊和交流模塊,下面是晶閘管智能模塊的工作特性。1.與單純的晶閘管電路不同,該模塊將相觸發(fā)電路及控制系統(tǒng)與晶閘管智能模塊集成于一體,使其成為一個完整的電力調(diào)控開環(huán)系統(tǒng),外加一定的輔助電路可實現(xiàn)閉環(huán)控制。2.三相模塊主電路交流輸入電壓范圍較寬,且無相序及相數(shù)限制,突破了以往整流電路對觸發(fā)電路要求同步及移相范圍等約束,模塊內(nèi)部能自動...
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可控硅保護電路如何設(shè)計可控硅的保護電路,大致可以分為兩種情況:一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護電路,檢測設(shè)備的輸出電壓或輸入電流,當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過允許值時,借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài),從而過電壓或過電流的數(shù)值。1.過流保護可控硅設(shè)備產(chǎn)生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內(nèi)部原因,如整流可控硅損壞,觸發(fā)電路或控制系統(tǒng)有故障等;其中整流橋可控硅損壞類較為嚴(yán)重,一般是由于可控硅因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力,它相當(dāng)于整流橋臂發(fā)生長久性短路,使在另外兩橋臂可控...
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可控硅模塊的控制方法我們都知道,可控硅模塊在電子電氣行業(yè)中非常受歡迎,它是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,可控硅模塊的的應(yīng)用范圍十分的廣大??煽毓枘K眾所周知,任何的設(shè)備只有正確操作才能發(fā)揮它應(yīng)有的作用,可控硅模塊在使用的時候一定要進行有效的控制才能發(fā)揮良好的運行性能。下面,就讓正高的小編來給您講講控制可控硅模塊的有效方法。1可控硅模塊控制方法:經(jīng)過輸入模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號,通過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié),實現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導(dǎo)通的過程,電壓或者是電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等...
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晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去1...
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會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因??煽毓枘K對過電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾...
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可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流,還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷;實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用??煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)...
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