南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù)，可進(jìn)行以下先進(jìn)集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓，用于低損耗光學(xué)平臺(tái)；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺(tái)；4)Miro-Cavity-SOI，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺(tái)；5)SionSiC/Diamond，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)可為客戶提供芯片測(cè)試服務(wù)。黑龍江石墨烯芯片加工

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司作為一家新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，旨在推動(dòng)高頻器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，研究院具有良好的孵化能力。研究院以其較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，為上下游企業(yè)提供支持和協(xié)助。通過技術(shù)研發(fā)和技術(shù)轉(zhuǎn)移，研究院能夠幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)，從而實(shí)現(xiàn)更好的發(fā)展和壯大。無論是從產(chǎn)品設(shè)計(jì)與研發(fā)，還是從生產(chǎn)與制造，乃至于市場(chǎng)與營銷，研究院都可以與企業(yè)保持緊密合作。研究院擁有先進(jìn)的研發(fā)設(shè)備和儀器，擁有專業(yè)的技術(shù)人才，能夠解決各種復(fù)雜的技術(shù)問題。同時(shí)，研究院還積極與高校和科研機(jī)構(gòu)合作，進(jìn)行技術(shù)交流與合作。通過產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的方式，共同探索高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)的前沿，為企業(yè)提供更多的創(chuàng)新動(dòng)力和發(fā)展空間。未來，研究院將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新，為高頻器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力和動(dòng)力，助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，走向更加廣闊的未來。江蘇硅基氮化鎵芯片加工南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)的光刻工藝技術(shù)服務(wù)，可以實(shí)現(xiàn)50nm級(jí)別的芯片制造。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司是國內(nèi)為數(shù)不多擁有先進(jìn)太赫茲測(cè)試能力的單位之一。公司能夠進(jìn)行高效準(zhǔn)確的測(cè)試工作，可以測(cè)試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數(shù)測(cè)試和器件建模。此外，公司還能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)500GHz的電路功率測(cè)試和噪聲測(cè)試。這些能力展示了公司在太赫茲測(cè)試領(lǐng)域較強(qiáng)的實(shí)力。通過持續(xù)的創(chuàng)新和研發(fā)，公司不斷拓展技術(shù)邊界，為客戶提供更加專業(yè)、高質(zhì)量的服務(wù)。作為高頻器件產(chǎn)業(yè)企業(yè)，公司為整個(gè)行業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)著自己的力量。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司將繼續(xù)致力于太赫茲測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用，為推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開發(fā)服務(wù)，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產(chǎn)品具有耐功率、高速等優(yōu)勢(shì)，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達(dá)600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠(yuǎn)距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實(shí)現(xiàn)裝置的小型化；用于太赫茲系統(tǒng)，可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率，實(shí)現(xiàn)太赫茲源小型化，為6G通信等未來應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。芯谷高頻研究院太赫茲測(cè)試能力，可以測(cè)試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數(shù)測(cè)試和器件建模。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供光電芯片技術(shù)開發(fā)及工藝流片服務(wù)，以滿足客戶的需求。公司集聚了一批行業(yè)專業(yè)人才，具備豐富的經(jīng)驗(yàn)和技能。公司通過不斷深耕技術(shù)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)重要成果的轉(zhuǎn)化和應(yīng)用。同時(shí)，公司還積極與國內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)和高校合作，加強(qiáng)技術(shù)交流與合作，不斷提升自身的科研水平和創(chuàng)新能力。公司堅(jiān)持以客戶需求為導(dǎo)向，努力為客戶提供高效、高質(zhì)量的光電芯片解決方案。同時(shí)，公司在光電芯片工藝及測(cè)試方面也不斷創(chuàng)新和優(yōu)化，提高質(zhì)量和效率。憑借公司的創(chuàng)新能力和技術(shù)實(shí)力，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司將在光電芯片領(lǐng)域展現(xiàn)出更加出色的表現(xiàn)，為推動(dòng)我國光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出積極貢獻(xiàn)。南京中電芯谷高頻器件研究院具備先進(jìn)的半導(dǎo)體器件及電路的加工流片能力，具備獨(dú)具創(chuàng)新的技術(shù)和研發(fā)能力。山西SBD器件及電路芯片工藝定制開發(fā)

芯谷高頻研究院高功率密度熱源產(chǎn)品可根據(jù)客戶需求設(shè)計(jì)出色的散熱效能和優(yōu)異的熱管理能力。黑龍江石墨烯芯片加工

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)的光刻工藝技術(shù)服務(wù)，可以實(shí)現(xiàn)50nm級(jí)別的芯片制造，通過精密的光掩模和照射技術(shù)，將所需圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓上，為芯片的制造提供關(guān)鍵技術(shù)支持。金屬化工藝技術(shù)服務(wù)，能夠?qū)⒔饘賹?dǎo)線和電極精確地沉積在芯片表面，實(shí)現(xiàn)電路的連接和信號(hào)傳輸，為芯片的性能和穩(wěn)定性打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。高溫處理是芯片制造過程中不可或缺的環(huán)節(jié)，公司的平臺(tái)提供專業(yè)的高溫處理技術(shù)服務(wù)，可以在適當(dāng)?shù)臏囟群蜁r(shí)間條件下，對(duì)芯片進(jìn)行退火、氧化等處理，以提高其性能。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)致力于為客戶提供芯片制造全流程工藝技術(shù)服務(wù)，研究院的專業(yè)團(tuán)隊(duì)將竭誠提供技術(shù)支持和咨詢服務(wù)，為項(xiàng)目成功開展提供有力保障。黑龍江石墨烯芯片加工