南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司的跨尺度材料熱物性測試儀是針對超高導熱材料自主研發(fā)的熱物性測試儀器，可滿足4英寸量級尺寸以下的任意形狀、任意厚度的高導熱材料（金剛石、SiC等）熱物性測試，測試精度高，主要用于百微米量級厚度材料的熱導率分析、微納級薄膜或界面的熱阻分析，可有效解決現(xiàn)有設備無法實現(xiàn)大尺寸、微米級厚度、及其超高熱導率等材料的熱評估難題。該設備數(shù)據(jù)自動采集系統(tǒng)和分析軟件具有知識產權，采用半自動控制，可靠性高，操作便捷。芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產品，可為客戶定制化開發(fā)各種熱源微結構及功率密度。陜西SBD芯片開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司可提供創(chuàng)新的大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品開發(fā)服務，這些產品具備優(yōu)良的特性，包括耐功率和高速性能，能大幅提高整流功率和效率。公司專注于高頻器件領域的研發(fā)與創(chuàng)新，致力于提供可靠、高效的解決方案，為客戶帶來良好的體驗。研究院的研發(fā)團隊經驗豐富，技術造詣深厚，能夠深入理解客戶的需求，并根據(jù)需求量身定制解決方案，為客戶提供先進的氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品。隨著無線通信和雷達技術的迅猛發(fā)展，大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品在各個領域都得到應用。公司致力于推動這一領域的創(chuàng)新與發(fā)展，以滿足客戶不斷變化的需求。公司提供的產品具備創(chuàng)新性、高性能，能夠用于通信、航空航天、醫(yī)療等領域，為客戶帶來更多商業(yè)價值。公司深知客戶的需求是公司的動力，公司會持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新產品，提供技術咨詢、解決方案和全程技術支持，以滿足客戶的需求。湖北石墨烯芯片工藝定制開發(fā)南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發(fā)服務。

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司可以對外提供光電芯片測試服務，包括光電集成芯片在片耦合測試、集成微波光子芯片測試等。在光電芯片測試方面，公司經驗豐富，設備先進，能夠高效準確地完成多種測試任務。對于光電集成芯片在片耦合性能測試和集成微波光子芯片測試，公司都可以提供專業(yè)的測試服務。公司擁有先進的測試設備和設施，可以滿足多種測試需求。此外，公司擁有一支專業(yè)的研發(fā)團隊，致力于提高測試技術的精度和效率。公司致力于為客戶提供高質量的測試服務，助力光電芯片領域的創(chuàng)新發(fā)展。

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司是國內為數(shù)不多擁有先進太赫茲測試能力的單位之一。公司能夠進行高效準確的測試工作，可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數(shù)測試和器件建模。此外，公司還能夠實現(xiàn)高達500GHz的電路功率測試和噪聲測試。這些能力展示了公司在太赫茲測試領域較強的實力。通過持續(xù)的創(chuàng)新和研發(fā)，公司不斷拓展技術邊界，為客戶提供更加專業(yè)、高質量的服務。作為高頻器件產業(yè)企業(yè)，公司為整個行業(yè)的發(fā)展貢獻著自己的力量。南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司將繼續(xù)致力于太赫茲測試技術的創(chuàng)新和應用，為推動整個行業(yè)的進一步發(fā)展做出更大的貢獻。南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺可提供全流程芯片制造工藝技術服務。

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發(fā)服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設計與加工服務，GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術解決方案。研究院可根據(jù)客戶需求進行定制化開發(fā)，可應用于太赫茲混頻、倍頻、檢波等技術方向。南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司將不斷提高研發(fā)水平，為客戶提供更好的服務。南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發(fā)服務。陜西光電器件及電路器件及電路芯片加工

芯谷高頻研究院可提供6英寸及以下晶圓鍵合服務，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達2um。陜西SBD芯片開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產業(yè)技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發(fā)服務，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產品具有耐功率、高速等優(yōu)勢，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實現(xiàn)裝置的小型化；用于太赫茲系統(tǒng)，可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率，實現(xiàn)太赫茲源小型化，為6G通信等未來應用奠定基礎。陜西SBD芯片開發(fā)

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