南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的跨尺度材料熱物性測(cè)試儀是針對(duì)超高導(dǎo)熱材料自主研發(fā)的熱物性測(cè)試儀器，可滿(mǎn)足4英寸量級(jí)尺寸以下的任意形狀、任意厚度的高導(dǎo)熱材料（金剛石、SiC等）熱物性測(cè)試，測(cè)試精度高，主要用于百微米量級(jí)厚度材料的熱導(dǎo)率分析、微納級(jí)薄膜或界面的熱阻分析，可有效解決現(xiàn)有設(shè)備無(wú)法實(shí)現(xiàn)大尺寸、微米級(jí)厚度、及其超高熱導(dǎo)率等材料的熱評(píng)估難題。該設(shè)備數(shù)據(jù)自動(dòng)采集系統(tǒng)和分析軟件具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，采用半自動(dòng)控制，可靠性高，操作便捷。芯谷高頻研究院可以對(duì)外提供光電芯片測(cè)試服務(wù)，包括光電集成芯片在片耦合測(cè)試、集成微波光子芯片測(cè)試等。福建光電芯片工藝技術(shù)服務(wù)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產(chǎn)品具有耐功率、高速等優(yōu)勢(shì)，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達(dá)600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無(wú)線(xiàn)輸能或遠(yuǎn)距離無(wú)線(xiàn)充電，可大幅提高整流功率和效率，實(shí)現(xiàn)裝置的小型化；用于太赫茲系統(tǒng)，可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率，實(shí)現(xiàn)太赫茲源小型化，為6G通信等未來(lái)應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。福建光電芯片工藝技術(shù)服務(wù)芯谷高頻研究院的熱物性測(cè)試儀產(chǎn)品準(zhǔn)確性高，可滿(mǎn)足熱導(dǎo)率分析、熱阻分析等需求，解決了材料的熱評(píng)估難題。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)：采用第三代氮化鎵半導(dǎo)體，具有高頻率一致性和穩(wěn)定性, 且具有集成度高，尺寸小、壽命高等特性；可直接與各類(lèi)射頻CVD設(shè)備直接集成，應(yīng)用于金剛石等材料的生長(zhǎng)；可設(shè)計(jì)與研制不同工作模式的氮化鎵基固態(tài)微波功率源，滿(mǎn)足各類(lèi)射頻CVD設(shè)備對(duì)高可靠、高集成、高微波特性的技術(shù)需求，提升CVD設(shè)備的穩(wěn)定性；主要用于各類(lèi)射頻CVD設(shè)備，為其提供微波功率，可擴(kuò)展應(yīng)用為微波消毒、微波醫(yī)療等領(lǐng)域；本公司可依據(jù)客戶(hù)要求進(jìn)行各類(lèi)微波功率大小和功率頻率的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，相對(duì)傳統(tǒng)微波功率源具有性能高、穩(wěn)定性好的特性。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)集成工藝服務(wù)，如：1）晶圓鍵合：提供6英寸及以下超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類(lèi)晶圓及非標(biāo)準(zhǔn)片鍵合服務(wù)；2）襯底減?。禾峁㏒i、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料襯底減薄服務(wù)；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亞納米級(jí)精細(xì)拋光服務(wù)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的多種異質(zhì)集成技術(shù)服務(wù)包括：超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，都是基于先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，以滿(mǎn)足客戶(hù)的不同需求。芯谷高頻研究院的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品可直接與各類(lèi)射頻CVD設(shè)備直接集成，應(yīng)用于金剛石等材料的生長(zhǎng)。

異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景。在通信領(lǐng)域，該技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高功率、高頻率、高精度的射頻器件集成，提高通信設(shè)備的性能和可靠性。在電子領(lǐng)域，它可以實(shí)現(xiàn)功能強(qiáng)大、體積小巧、低功耗的微型電子器件集成，開(kāi)拓了更多場(chǎng)景和應(yīng)用空間。在能源領(lǐng)域，它可以實(shí)現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換，提高能源利用率和生態(tài)環(huán)保性。在醫(yī)療領(lǐng)域，它可以實(shí)現(xiàn)高靈敏度、高穩(wěn)定性的生物傳感器集成，提高疾病診斷的精確度。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司憑借其較強(qiáng)的異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)研發(fā)實(shí)力和研發(fā)基礎(chǔ)，為客戶(hù)提供高質(zhì)量的異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)。芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產(chǎn)品適用于微系統(tǒng)或微電子領(lǐng)域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術(shù)開(kāi)發(fā)。河南熱源芯片工藝技術(shù)服務(wù)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)可為客戶(hù)提供芯片測(cè)試服務(wù)。福建光電芯片工藝技術(shù)服務(wù)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù)，可進(jìn)行以下先進(jìn)集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓，用于低損耗光學(xué)平臺(tái)；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺(tái)；4)Miro-Cavity-SOI，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺(tái)；5)SionSiC/Diamond，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。福建光電芯片工藝技術(shù)服務(wù)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫(huà)新藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的通信產(chǎn)品中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶(hù)不容易，失去每一個(gè)用戶(hù)很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！