南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產(chǎn)品具有耐功率、高速等優(yōu)勢(shì)，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達(dá)600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無(wú)線輸能或遠(yuǎn)距離無(wú)線充電，可大幅提高整流功率和效率，實(shí)現(xiàn)裝置的小型化；用于太赫茲系統(tǒng)，可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率，實(shí)現(xiàn)太赫茲源小型化，為6G通信等未來(lái)應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)。云南化合物半導(dǎo)體器件及電路芯片測(cè)試

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)集成工藝服務(wù)，如：1）晶圓鍵合：提供6英寸及以下超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類晶圓及非標(biāo)準(zhǔn)片鍵合服務(wù)；2）襯底減薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料襯底減薄服務(wù)；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亞納米級(jí)精細(xì)拋光服務(wù)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的多種異質(zhì)集成技術(shù)服務(wù)包括：超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，都是基于先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，以滿足客戶的不同需求。江蘇光電芯片測(cè)試芯谷高頻研究院的固態(tài)微波功率源可設(shè)計(jì)不同工作模式的功率源，滿足對(duì)高可靠、高集成、高微波特性的需求。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供GaAs太赫茲SBD管芯技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)，該芯片具有結(jié)電容小、截止頻率高等特點(diǎn)，是截止頻率高的電子元器件；同時(shí)，該系列芯片具有低寄生、高頻響的優(yōu)勢(shì)。針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景，根據(jù)客戶需求，公司可定制化開(kāi)發(fā)具有不同規(guī)格的單管、對(duì)管、等變阻、變?nèi)莨苄?。該芯片可用于太赫茲通信、雷達(dá)、測(cè)試等技術(shù)領(lǐng)域中毫米波、太赫茲各頻段混頻、倍頻、檢波電路。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司將不斷提高該芯片性能水平，為客戶提供更好的服務(wù)。

異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景。在通信領(lǐng)域，該技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高功率、高頻率、高精度的射頻器件集成，提高通信設(shè)備的性能和可靠性。在電子領(lǐng)域，它可以實(shí)現(xiàn)功能強(qiáng)大、體積小巧、低功耗的微型電子器件集成，開(kāi)拓了更多場(chǎng)景和應(yīng)用空間。在能源領(lǐng)域，它可以實(shí)現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換，提高能源利用率和生態(tài)環(huán)保性。在醫(yī)療領(lǐng)域，它可以實(shí)現(xiàn)高靈敏度、高穩(wěn)定性的生物傳感器集成，提高疾病診斷的精確度。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司憑借其較強(qiáng)的異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)研發(fā)實(shí)力和研發(fā)基礎(chǔ)，為客戶提供高質(zhì)量的異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)。芯谷高頻研究院可以對(duì)外提供光電芯片測(cè)試服務(wù)，包括光電集成芯片在片耦合測(cè)試、集成微波光子芯片測(cè)試等。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)，該芯片電路工作頻段達(dá)到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應(yīng)用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設(shè)計(jì)與加工服務(wù)，GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術(shù)解決方案。研究院可根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制化開(kāi)發(fā)，可應(yīng)用于太赫茲混頻、倍頻、檢波等技術(shù)方向。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司將不斷提高研發(fā)水平，為客戶提供更好的服務(wù)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)可以提供微組裝服務(wù)。福建石墨烯器件及電路芯片測(cè)試

芯谷高頻研究院自主研發(fā)的太赫茲固態(tài)器件及單片集成電路，頻率覆蓋包括140GHz、220GHz、300GHz、340GHz等。云南化合物半導(dǎo)體器件及電路芯片測(cè)試

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)的光刻工藝技術(shù)服務(wù)，可以實(shí)現(xiàn)50nm級(jí)別的芯片制造，通過(guò)精密的光掩模和照射技術(shù)，將所需圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓上，為芯片的制造提供關(guān)鍵技術(shù)支持。金屬化工藝技術(shù)服務(wù)，能夠?qū)⒔饘賹?dǎo)線和電極精確地沉積在芯片表面，實(shí)現(xiàn)電路的連接和信號(hào)傳輸，為芯片的性能和穩(wěn)定性打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。高溫處理是芯片制造過(guò)程中不可或缺的環(huán)節(jié)，公司的平臺(tái)提供專業(yè)的高溫處理技術(shù)服務(wù)，可以在適當(dāng)?shù)臏囟群蜁r(shí)間條件下，對(duì)芯片進(jìn)行退火、氧化等處理，以提高其性能。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)致力于為客戶提供芯片制造全流程工藝技術(shù)服務(wù)，研究院的專業(yè)團(tuán)隊(duì)將竭誠(chéng)提供技術(shù)支持和咨詢服務(wù)，為項(xiàng)目成功開(kāi)展提供有力保障。云南化合物半導(dǎo)體器件及電路芯片測(cè)試

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫(huà)藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的通信產(chǎn)品行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來(lái)公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來(lái)，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！