陶瓷電容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi發(fā)明了陶瓷介質(zhì)電容器。20世紀(jì)30年代末，人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數(shù)加倍，從而制造出更便宜的陶瓷介質(zhì)電容器。1940年左右，人們發(fā)現(xiàn)陶瓷電容器的主要原料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性，隨后陶瓷電容器開(kāi)始用于尺寸小、精度要求高的電子設(shè)備中。陶瓷疊層電容器在1960年左右開(kāi)始作為商品開(kāi)發(fā)。到1970年，隨著混合集成電路、計(jì)算機(jī)和便攜式電子設(shè)備的發(fā)展，它迅速發(fā)展起來(lái)，成為電子設(shè)備中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介質(zhì)電容器的總數(shù)量約占電容器市場(chǎng)的70%。想使電容容量大，有三種方法： ①使用介電常數(shù)高的介質(zhì) ②增大極板間的面積 ③減小極板間的距離。深圳片式陶瓷電容

內(nèi)部電極通過(guò)逐層堆疊，增加電容兩極板的面積，從而增加電容容量。陶瓷介質(zhì)是內(nèi)部填充介質(zhì)，不同介質(zhì)制成的電容器具有不同的特性，如容量大、溫度特性好、頻率特性好等等，這也是陶瓷電容器種類(lèi)繁多的原因。陶瓷電容器基本參數(shù)：電容的單位:電容的基本單位是F(法)，此外還有F(微法)、nF、pF(微微法)。因?yàn)殡娙軫的容量很大，所以我們通?？吹降氖荈、nF、pF的單位，而不是F。它們之間的具體轉(zhuǎn)換如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pF深圳固態(tài)鋁電解電容規(guī)格液態(tài)電解電容采用的介電材料為電解液，而固態(tài)電容采用的是導(dǎo)電性高分子。

鋁電解電容器的擊穿是由于陽(yáng)極氧化鋁介質(zhì)膜破裂，導(dǎo)致電解液與陽(yáng)極直接接觸。氧化鋁膜可能由于各種材料、工藝或環(huán)境條件而局部損壞。在外加電場(chǎng)的作用下，工作電解液提供的氧離子可以在受損部位重新形成氧化膜，從而對(duì)陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行填充和修復(fù)。但如果受損部位有雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填充修復(fù)工作不完善，陽(yáng)極氧化膜上會(huì)留下微孔，甚至可能成為通孔，使鋁電解電容器擊穿。陽(yáng)極氧化膜不夠致密牢固等工藝缺陷，后續(xù)鉚接工藝不好時(shí)，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，這些刺破的部位漏電流很大，局部過(guò)熱導(dǎo)致電容產(chǎn)生熱擊穿。

共燒技術(shù)(陶瓷粉料和金屬電極共燒)，MLCC元件結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，由陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極金屬層和外電極三層金屬層構(gòu)成。MLCC是由多層陶瓷介質(zhì)印刷內(nèi)電極漿料，疊合共燒而成。為此，不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極金屬如何在高溫?zé)珊蟛粫?huì)分層、開(kāi)裂，即陶瓷粉料和金屬電極共燒問(wèn)題。共燒技術(shù)就是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù)，掌握好的共燒技術(shù)可以生產(chǎn)出更薄介質(zhì)(2μm以下)、更高層數(shù)(1000層以上)的MLCC。當(dāng)前日本公司在MLCC燒結(jié)設(shè)備技術(shù)方面早于其它各國(guó)，不僅有各式氮?dú)夥崭G爐(鐘罩爐和隧道爐)，而且在設(shè)備自動(dòng)化、精度方面有明顯的優(yōu)勢(shì)。鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。

當(dāng)負(fù)載頻率上升到電容器中流動(dòng)的交流電流的額定電流值時(shí)，即使負(fù)載電壓沒(méi)有達(dá)到額定交流電壓，也需要降低電容器的負(fù)載交流電壓，以保證流經(jīng)電容器的電流不超過(guò)額定電流值，即左圖曲線(xiàn)開(kāi)始下降；但是，負(fù)載頻率不斷上升，電容器損耗因數(shù)引起的發(fā)熱成為電容器負(fù)載電壓的主要限制因素，即負(fù)載電壓會(huì)隨著頻率的增加而急劇下降，即左中圖中曲線(xiàn)的急劇下降部分與負(fù)載交流電壓相反。當(dāng)電容器加載的交流電流頻率較低時(shí)，即使電流沒(méi)有達(dá)到額定電流，電容器上的交流電壓也已經(jīng)達(dá)到其額定值，即加載交流電流受到電容器額定電壓的限制，加載交流電流隨著頻率的增加而增加。電容的基本單位是：F（法），此外還有μF（微法）、nF、pF（皮法）。常州壓電陶瓷電容批發(fā)

電容作為基本元器件之一，實(shí)際生產(chǎn)的電容都不是理想的，會(huì)有寄生電感，等效串聯(lián)電阻存在。深圳片式陶瓷電容

陶瓷電容器的分類(lèi):陶瓷電容器根據(jù)介質(zhì)的種類(lèi)主要可以分為兩種，即I類(lèi)陶瓷電容器和II類(lèi)陶瓷電容器。Ⅰ類(lèi)陶瓷電容器，原名高頻陶瓷電容器，是指由陶瓷介質(zhì)制成的電容器，具有低介質(zhì)損耗，高絕緣電阻，介電常數(shù)隨溫度線(xiàn)性變化。特別適用于諧振電路和其它損耗低、電容穩(wěn)定的電路，或用于溫度補(bǔ)償。Ⅱ類(lèi)陶瓷電容器過(guò)去稱(chēng)為低頻陶瓷電容器，是指以鐵電陶瓷為電介質(zhì)的電容器，所以又稱(chēng)為鐵電陶瓷電容器。這種電容器比電容大，電容隨溫度非線(xiàn)性變化，損耗大。常用于電子設(shè)備中對(duì)損耗和電容穩(wěn)定性要求不高的旁路、耦合或其他電路。深圳片式陶瓷電容