無論是筆記本電腦還是手機(jī)，對(duì)電源的要求越來越高，通常在電源網(wǎng)絡(luò)上并聯(lián)大量的MLCC電容，如BUCK、BOOST架構(gòu)的電源，當(dāng)設(shè)計(jì)異?；蛘哓?fù)載工作模式異常時(shí)，就很容易產(chǎn)生“嘯叫”。在筆記本電腦中，當(dāng)電腦處于休眠狀態(tài)，或者啟動(dòng)攝像頭時(shí)，容易產(chǎn)生嘯叫。在手機(jī)中，較典型的一個(gè)案例是GSM所用的PA電源，此電源線上的特點(diǎn)是功率波動(dòng)大、波動(dòng)頻率為典型的217Hz，落入人耳聽覺范圍內(nèi)(20Hz~20Khz)，當(dāng)GSM通話時(shí)，用于聽診器聽此電源線上的電容，很容易聽到“滋滋”嘯叫音。電解電容目前分為鋁電解電容和鉭電解電容兩大類。無錫高頻陶瓷電容廠家

頻率特性：電參量隨電場(chǎng)頻率一起變化的。高頻率工作的電容，其介電常數(shù)比低頻率時(shí)小，因此高頻電流比低頻率時(shí)低。頻率越高，損耗也越大。此外，在高頻率工作時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、導(dǎo)線與極片之間的電阻等，都會(huì)對(duì)電容的性能產(chǎn)生影響。這一切，使電容器的使用頻率受到限制。絕緣電阻：表示漏電流大小。通常，容量較小的電容，絕緣電阻可達(dá)數(shù)百兆歐姆或數(shù)千兆歐姆。電解電容一般是絕緣電阻小。相對(duì)來說，絕緣電阻越大，漏電流越小。南通NPO電容規(guī)格MLCC成為使用數(shù)量較多的電容。

鉭電容器成本高?？纯次覀兊奶詫毦椭?00uF鉭電容和100uF陶瓷電容的價(jià)格差了。鉭電容的價(jià)格是陶瓷電容的10倍左右。如果電容要求小于100uF，大多數(shù)情況下，如果滿足耐壓，我們通常需要陶瓷電容。陶瓷電容器的封裝大于1206大容量或高耐壓時(shí)盡量慎重選擇。片式陶瓷電容器的主要失效形式是斷裂(封裝越大越容易失效):片式陶瓷電容器常見的失效形式是斷裂，這是由片式陶瓷電容器本身介質(zhì)的脆性決定的。由于片式陶瓷電容焊接直接在電路板上，直接承受來自電路板的各種機(jī)械應(yīng)力，而鉛制陶瓷電容可以通過引腳吸收來自電路板的機(jī)械應(yīng)力。因此，對(duì)于片式陶瓷電容器，由于熱膨脹系數(shù)不同或電路板彎曲，

陶瓷電容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi發(fā)明了陶瓷介質(zhì)電容器。20世紀(jì)30年代末，人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數(shù)加倍，從而制造出更便宜的陶瓷介質(zhì)電容器。1940年左右，人們發(fā)現(xiàn)陶瓷電容器的主要原料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性，隨后陶瓷電容器開始用于尺寸小、精度要求高的電子設(shè)備中。陶瓷疊層電容器在1960年左右開始作為商品開發(fā)。到1970年，隨著混合集成電路、計(jì)算機(jī)和便攜式電子設(shè)備的發(fā)展，它迅速發(fā)展起來，成為電子設(shè)備中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介質(zhì)電容器的總數(shù)量約占電容器市場(chǎng)的70%。MLCC電容特點(diǎn)：熱脆性：MLCC內(nèi)部應(yīng)力很復(fù)雜，所以耐溫度沖擊的能力很有限。

施加在電解電容器兩端的電壓不能超過其允許的工作電壓。在設(shè)計(jì)實(shí)際電路時(shí)，應(yīng)根據(jù)具體情況留有一定的余量。在設(shè)計(jì)穩(wěn)壓電源的濾波電容時(shí)，如果在交流電源電壓為220~時(shí)，變壓器二次的整流電壓能達(dá)到22V，一般耐壓為25V的電解電容就能滿足要求。但如果交流電源電壓波動(dòng)較大，有可能上升到250V以上，比較好選擇耐壓30V以上的電解電容。電解電容器不應(yīng)靠近電路中的大功率加熱元件，以防止電解液因受熱而變干。為了過濾正負(fù)極性的信號(hào)，可以使用兩個(gè)極性相同的電解電容器串聯(lián)作為非極性電容器。電容器外殼、輔助引出端子、陽極和陰極以及電路板必須完全隔離。鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。南京電感電容批發(fā)

電容作為基本元器件之一，實(shí)際生產(chǎn)的電容都不是理想的，會(huì)有寄生電感，等效串聯(lián)電阻存在。無錫高頻陶瓷電容廠家

一般來說，它是一個(gè)去耦電容。或者數(shù)字電路通斷時(shí)，對(duì)電源影響很大，造成電源波動(dòng)，需要用電容去耦。通常，容量是芯片開關(guān)頻率的倒數(shù)。如果頻率為1MHz，選擇1/1M，即1uF。你可以拿一個(gè)大一點(diǎn)的。比較好有芯片和去耦電容，電源處應(yīng)該有，用的量還是蠻大的。在一般設(shè)計(jì)中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF進(jìn)行電源去耦。在實(shí)際應(yīng)用中如何選擇它們？根據(jù)不同的功率輸出或后續(xù)電路？通常并聯(lián)兩個(gè)電容就夠了，但在某些電路中并聯(lián)更多的電容可能會(huì)更好。不同電容值的電容器并聯(lián)可以在很寬的頻率范圍內(nèi)保證較低的交流阻抗。在運(yùn)算放大器的電源抑制(PSR)能力下降的頻率范圍內(nèi)，電源旁路尤為重要。電容可以補(bǔ)償放大器PSR的下降。在很寬的頻率范圍內(nèi)，這種低阻路徑可以保證噪聲不進(jìn)入芯片。無錫高頻陶瓷電容廠家

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