ALD是一種薄膜形成方法，其中將多種氣相原料（前體）交替暴露于基板表面以形成膜。與CVD不同，不同類型的前驅物不會同時進入反應室，而是作為單獨的步驟引入（脈沖）和排出（吹掃）。在每個脈沖中，前體分子在基材表面上以自控方式起作用，并且當表面上不存在可吸附位時，反應結束。因此，一個周期中的產品成膜量由前體分子和基板表面分子如何化學鍵合來定義。因此，通過控制循環(huán)次數(shù)，可以在具有任意結構和尺寸的基板上形成高精度且均勻的膜。蒸發(fā)物質的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。?？趤砹险婵斟兡?/p>

真空鍍膜的方法：離子鍍：在機加工刀具方面,鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產效率也提高。在固體潤滑膜方面,Z新研制的多相納米復合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類薄膜具有摩擦系數(shù)低,摩擦噪聲小,抗潮濕氧化能力較高,高低溫性能好,抗粉塵磨損能力較強及磨損壽命較長等特點,被普遍運用于車輛零部件上。與此同時,離子鍍鈦也在航空航天,光學器件等領域應用普遍,收效顯著。廣東省科學院半導體研究所。海口來料真空鍍膜真空鍍膜在所有被鍍材料中，以塑料較為常見。

真空鍍膜：反應性離子鍍：如果采用電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導入反應性氣體，如氮氣、氧氣、乙炔、甲烷等反應性氣體代替氬氣，或在此基礎上混入氬氣。電子束中的高能電子可以達到幾千至幾萬電子伏特的能量，不僅可以使鍍料熔化蒸發(fā)，而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子。二次電子在上方正偏壓作用下加速，與鍍料蒸發(fā)中性粒子發(fā)生碰撞而電離成離子，在工件表面發(fā)生離化反應，從而獲得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特點是沉積率高，工藝溫度低。

ALD允許在原子層水平上精確控制膜厚度。而且，可以相對容易地形成不同材料的多層結構。由于其高反應活性和精度，它在精細和高效的半導體領域（如微電子和納米技術）中非常有用。由于ALD通常在相對較低的溫度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物樣品時是有用的，并且在使用易于熱解的前體時也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以輕松地應用于結構復雜的粉末和形狀。 眾所周知，ALD工藝非常耗時。例如，氧化鋁的膜形成為每個循環(huán)0.11nm，并且每小時的標準膜形成量為100至300nm。由于ALD通常用于制造微電子和納米技術的基材，因此不需要厚膜形成。通常，當需要大約μm的膜厚度時，就膜形成時間而言，ALD工藝是困難的。作為物質限制，前體必須是揮發(fā)性的。另外，成膜靶必須能夠承受前體分子的化學吸附所必需的熱應力。真空鍍膜機、真空鍍膜設備爐門采用懸垂吊掛式平移結構，便于爐外料車與爐內輥軸的對接傳遞，減少占地空間。

真空鍍膜：技術原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積，分為：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍；通常說的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下，使金屬、金屬合金等蒸發(fā)，然后沉積在基體表面上，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料，使蒸發(fā)成氣相，然后沉積在基體表面，歷史上，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。?？趤砹险婵斟兡?/p>

通過加熱蒸發(fā)某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。?？趤砹险婵斟兡?/p>

真空鍍膜：可鍍材料普遍：離子鍍由于是利用高能離子轟擊工件表面，使大量的電能在工件表面轉換成熱能，從而促進了表層組織的擴散作用和化學反應。然而，整個工件，特別是工件心部并未受到高溫的影響。因此這種鍍膜工藝的應用范圍較廣，受到的局限性則較小。通常，各種金屬、合金以及某些合成材料、絕緣材料、熱敏材料和高熔點材料等均可鍍復。即可在金屬工件上鍍非金屬或金屬，也可在非金屬上鍍金屬或非金屬，甚至可鍍塑料、橡膠、石英、陶瓷等。?？趤砹险婵斟兡?/p>