納米技術(shù)有很多種，基本上可以分成兩類，一類是由下而上的方式或稱為自組裝的方式，另一類是由上而下所謂的微縮方式。前者以各種材料、化工等技術(shù)為主，后者則以半導(dǎo)體技術(shù)為主。以前我們都稱 IC 技術(shù)是「微電子」技術(shù)，那是因?yàn)榫w管的大小是在微米（10-6米）等級(jí)。但是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展得非常快，每隔兩年就會(huì)進(jìn)步一個(gè)世代，尺寸會(huì)縮小成原來的一半，這就是有名的摩爾定律（Moore’s Law）。到了 2001 年，晶體管尺寸甚至已經(jīng)小于 0.1 微米，也就是小于 100 納米。因此是納米電子時(shí)代，未來的 IC 大部分會(huì)由納米技術(shù)做成。但是為了達(dá)到納米的要求，半導(dǎo)體制程的改變須從基本步驟做起。每進(jìn)步一個(gè)世代，制程步驟的要求都會(huì)變得更嚴(yán)格、更復(fù)雜。半導(dǎo)體芯片封裝完成后進(jìn)行成品測(cè)試，通常經(jīng)過入檢、測(cè)試和包裝等工序，較后入庫(kù)出貨。功率器件半導(dǎo)體器件加工工廠

半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn)：曝光顯影：在所有的制程中，很關(guān)鍵的莫過于微影技術(shù)。這個(gè)技術(shù)就像照相的曝光顯影，要把IC工程師設(shè)計(jì)好的藍(lán)圖，忠實(shí)地制作在芯片上，就需要利用曝光顯影的技術(shù)。在現(xiàn)今的納米制程上，不只要求曝光顯影出來的圖形是幾十納米的大小，還要上下層結(jié)構(gòu)在30公分直徑的晶圓上，對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度在幾納米之內(nèi)。這樣的精確程度相當(dāng)于在中國(guó)大陸的面積上，每次都能精確地找到一顆玻璃彈珠。因此這個(gè)設(shè)備與制程在半導(dǎo)體工廠里是很復(fù)雜、也是很昂貴的。功率器件半導(dǎo)體器件加工工廠清洗是晶圓加工制造過程中的重要一環(huán)。

半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展：盡管有種種挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體技術(shù)還是不斷地往前進(jìn)步。分析其主要原因，總括來說有下列幾項(xiàng)。先天上，硅這個(gè)元素和相關(guān)的化合物性質(zhì)非常好，包括物理、化學(xué)及電方面的特性。利用硅及相關(guān)材料組成的所謂金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管，做為開關(guān)組件非常好用。此外，因?yàn)樾阅軆?yōu)異，輕、薄、短、小，加上便宜，所以應(yīng)用范圍很廣，可以用來做各種控制。換言之，市場(chǎng)需求很大，除了各種產(chǎn)業(yè)都有需要外，新興的所謂3C產(chǎn)業(yè)，更是以IC為主角。

半導(dǎo)體器件加工是指將半導(dǎo)體材料加工成具有特定功能的器件的過程。它是半導(dǎo)體工業(yè)中非常重要的一環(huán)，涉及到多個(gè)步驟和工藝。下面將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體器件加工的步驟。 晶圓制備：晶圓是半導(dǎo)體器件加工的基礎(chǔ)。晶圓是將半導(dǎo)體材料切割成圓片狀的材料，通常直徑為4英寸、6英寸或8英寸。晶圓制備包括切割、拋光和清洗等步驟。晶圓清洗：晶圓制備完成后，需要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，以去除表面的雜質(zhì)和污染物。清洗過程通常采用化學(xué)清洗方法，如酸洗、堿洗和溶劑清洗等。半導(dǎo)體器件加工中的工藝參數(shù)對(duì)器件性能有重要影響。

半導(dǎo)體技術(shù)很大的應(yīng)用是集成電路（IC），舉凡計(jì)算機(jī)、手機(jī)、各種電器與信息產(chǎn)品中，一定有 IC 存在，它們被用來發(fā)揮各式各樣的控制功能，有如人體中的大腦與神經(jīng)。如果把計(jì)算機(jī)打開，除了一些線路外，還會(huì)看到好幾個(gè)線路板，每個(gè)板子上都有一些大小與形狀不同的黑色小方塊，周圍是金屬接腳，這就是封裝好的 IC。如果把包覆的黑色封裝除去，可以看到里面有個(gè)灰色的小薄片，這就是 IC。如果再放大來看，這些 IC 里面布滿了密密麻麻的小組件，彼此由金屬導(dǎo)線連接起來。除了少數(shù)是電容或電阻等被動(dòng)組件外，大都是晶體管，這些晶體管由硅或其氧化物、氮化物與其它相關(guān)材料所組成。整顆 IC 的功能決定于這些晶體管的特性與彼此間連結(jié)的方式。微機(jī)電系統(tǒng)是微電路和微機(jī)械按功能要求在芯片上的集成，尺寸通常在毫米或微米級(jí)。功率器件半導(dǎo)體器件加工工廠

微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。功率器件半導(dǎo)體器件加工工廠

半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入納米時(shí)代后，除了水平方向尺寸的微縮造成對(duì)微影技術(shù)的嚴(yán)苛要求外，在垂直方向的要求也同樣地嚴(yán)格。一些薄膜的厚度都是1~2納米，而且在整片上的誤差小于5%。這相當(dāng)于在100個(gè)足球場(chǎng)的面積上要很均勻地鋪上一層約1公分厚的泥土，而且誤差要控制在0.05公分的范圍內(nèi)。蝕刻：另外一項(xiàng)重要的單元制程是蝕刻，這有點(diǎn)像是柏油路面的刨土機(jī)或鉆孔機(jī)，把不要的薄層部分去除或挖一個(gè)深洞。只是在半導(dǎo)體制程中，通常是用化學(xué)反應(yīng)加上高能的電漿，而不是用機(jī)械的方式。在未來的納米蝕刻技術(shù)中，有一項(xiàng)深度對(duì)寬度的比值需求是相當(dāng)于要挖一口100公尺的深井，挖完之后再用三種不同的材料填滿深井，可是每一層材料的厚度只有10層原子或分子左右。這也是技術(shù)上的一大挑戰(zhàn)。功率器件半導(dǎo)體器件加工工廠