刻蝕工藝不只是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工?？涛g較簡(jiǎn)單較常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見(jiàn)，它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來(lái)進(jìn)行刻蝕。濕法刻蝕是一個(gè)純粹的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達(dá)到刻蝕目的。其特點(diǎn)是：濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著普遍應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低。蝕刻使用的是波長(zhǎng)很短的紫外光并配合很大的鏡頭。河南半導(dǎo)體器件加工工廠

半導(dǎo)體電鍍是指在芯片制造過(guò)程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備主要分為前道銅互連電鍍?cè)O(shè)備和后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備。前道銅互連電鍍?cè)O(shè)備針對(duì)55nn、40nm、28nm及20－14nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的前道銅互連鍍銅技術(shù)UltraECPmap，主要作用在晶圓上沉淀一層致密、無(wú)孔洞、無(wú)縫隙和其他缺陷、分布均勻的銅；后道先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備針對(duì)先進(jìn)封裝電鍍需求進(jìn)行差異化開(kāi)發(fā)，適用于大電流高速電鍍應(yīng)用，并采用模塊化設(shè)計(jì)便于維護(hù)和控制，減少設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)時(shí)間，提高設(shè)備使用率。河南半導(dǎo)體器件加工工廠清洗是晶圓加工制造過(guò)程中的重要一環(huán)。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的制作流程是：1.將硅單晶切成大圓片，并加以研磨、拋光。2.拋光后的片子經(jīng)仔細(xì)清洗后，熱生長(zhǎng)一層二氧化硅層。（一次氧化）3.用光刻技術(shù)可除漏、源擴(kuò)散窗口上的二氧化硅。（一次光刻）4.進(jìn)行選擇性的雜質(zhì)擴(kuò)散。5.去處所有二氧化硅，重新生長(zhǎng)一層質(zhì)量良好的柵極二氧化硅層，并進(jìn)行磷處理。（二次氧化+磷處理）6.刻除漏、源引線窗口上的二氧化硅。（二次光刻）7.在真空系統(tǒng)中蒸發(fā)鋁（鋁蒸發(fā)）。8.反刻電極。9.進(jìn)行合金。10.檢出性能良好的管芯，燒焊在管座上，鍵合引線。11.監(jiān)察質(zhì)量（中測(cè)）12.封上管帽，噴漆。13.總測(cè)。14.打印，包裝。

表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種MEMS工藝技術(shù)。它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來(lái)形成各種微結(jié)構(gòu)。表面硅MEMS加工技術(shù)的基本思路是：先在基片上淀積一層稱為分離層的材料，然后在分離層上面淀積一層結(jié)構(gòu)層并加工成所需圖形。在結(jié)構(gòu)加工成型后，通過(guò)選擇腐蝕的方法將分離層腐蝕掉，使結(jié)構(gòu)材料懸空于基片之上，形成各種形狀的二維或三維結(jié)構(gòu)。表面硅MEMS加工工藝成熟，與IC工藝兼容性好，可以在單個(gè)直徑為幾十毫米的單晶硅基片上批量生成數(shù)百個(gè)MEMS裝置。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。

干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí)，它具備兩個(gè)特點(diǎn)：一方面等離子體中的這些氣體化學(xué)活性比常態(tài)下時(shí)要強(qiáng)很多，根據(jù)被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時(shí)，會(huì)將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。因此，干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學(xué)兩種過(guò)程平衡的結(jié)果。晶圓企業(yè)常用的是直拉法。河南半導(dǎo)體器件加工工廠

表面硅MEMS加工工藝成熟，與IC工藝兼容性好。河南半導(dǎo)體器件加工工廠

基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過(guò)程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長(zhǎng)、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過(guò)程是通過(guò)光化學(xué)作用使抗蝕膠發(fā)生光化學(xué)作用，形成微細(xì)圖形的潛像，再通過(guò)顯影過(guò)程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細(xì)圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進(jìn)行鍍膜、刻蝕等可進(jìn)一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。河南半導(dǎo)體器件加工工廠

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身不努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！