交流磁控濺射和直流濺射的區(qū)別：交流磁控濺射和直流濺射相比交流磁控濺射采用交流電源代替直流電源,解決了靶面的異常放電現(xiàn)象。交流濺射時，靶對真空室壁不是恒定的負電壓，而是周期一定的交流脈沖電壓。設(shè)脈沖電壓的周期為T,在負脈沖T—△T時間間隔內(nèi),靶面處于放電狀態(tài)，這一階段和直流磁控濺射相似；靶面上的絕緣層不斷積累正電荷，絕緣層上的場強逐步增大；當場強增大至一定限度后靶電位驟降為零甚至反向，即靶電位處于正脈沖△T階段。在△T時間內(nèi)，放電等離子體中的負電荷─電子向靶面遷移并中和了絕緣層表面所帶的正電荷，使絕緣層內(nèi)場強恢復(fù)為零，從而消除了靶面異常放電的可能性。磁控濺射的原理：靶材背面加上強磁體，形成磁場。河南高質(zhì)量磁控濺射用處

磁控濺射靶材的分類：根據(jù)材料的成分不同，靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無機非金屬靶材等。其中無機非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據(jù)幾何形狀的不同，靶材可分為長（正）方體形靶材、圓柱體靶材和不規(guī)則形狀靶材；此外，靶材還可以分為實心和空心兩種類型靶材。目前靶材較常用的分類方法是根據(jù)靶材應(yīng)用領(lǐng)域進行劃分，主要包括半導體領(lǐng)域應(yīng)用靶材、記錄介質(zhì)應(yīng)用靶材、顯示薄膜應(yīng)用靶材、光學靶材、超導靶材等。其中半導體領(lǐng)域用靶材、記錄介質(zhì)用靶材和顯示靶材是市場需求規(guī)模較大的三類靶材。河南高質(zhì)量磁控濺射用處對于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實現(xiàn)濺射。

直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點是濺射速率快，造價低，后期維修保養(yǎng)廉價?？墒侵荒転R射金屬靶材，假如靶材是絕緣體，隨著濺射的深化，靶材會聚集很多的電荷，導致濺射無法持續(xù)。因而關(guān)于金屬靶材通常用直流磁控濺射，因為造價廉價，結(jié)構(gòu)簡略，目前在工業(yè)上使用普遍。脈沖磁控濺射是采用脈沖電源或者直流電源與脈沖生成裝置配合，輸出脈沖電流驅(qū)動磁控濺射沉積。一般使用矩形波電壓，既容易獲得又有利于研究濺射放電等離子體的變化過程。工作模式與中頻濺射。

磁控濺射又稱為高速低溫濺射。在磁場約束及增強下的等離子體中的工作氣體離子，在靶陰極電場的加速下，轟擊陰極材料，使材料表面的原子或分子飛離靶面，穿越等離子體區(qū)以后在基片表面淀積、遷移較終形成薄膜。與二極濺射相比較，磁控濺射的沉積速率高，基片升溫低，膜層質(zhì)量好，可重復(fù)性好，便于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。它的發(fā)展引起了薄膜制備工藝的巨大變革。磁控濺射源在結(jié)構(gòu)上必須具備兩個基本條件:(1)建立與電場垂直的磁場;(2)磁場方向與陰極表面平行，并組成環(huán)形磁場。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、附著力強等優(yōu)點。

磁控濺射設(shè)備原子的能量比蒸發(fā)原子的能量大許多倍;入射離子的能量很低時，濺射原子角散布就不完全符合余弦散布規(guī)律。角散布還與入射離子方向有關(guān)。從單晶靶濺射出來的原子趨向于集中在晶體密度大的方向,因為電子的質(zhì)量很小，所以即便運用具有高能量的電子炮擊靶材也不會發(fā)生濺射現(xiàn)象。因為濺射是一個雜亂的物理進程，涉及的因素許多，長期以來關(guān)于濺射機理雖然進行了許多的研究，提出過許多的理論，但都難以完善地解說濺射現(xiàn)象。廣東省科學院半導體研究所。在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學氣相沉積或金屬有機。河南高質(zhì)量磁控濺射用處

磁控濺射就是提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。河南高質(zhì)量磁控濺射用處

非平衡磁控濺射離子轟擊在鍍膜前可以起到清洗工件的氧化層和其他雜質(zhì)，活化工件表面的作用，同時在工件表面上形成偽擴散層，有助于提高膜層與工件表面之間的結(jié)合力。在鍍膜過程中，載能的帶電粒子轟擊作用可達到膜層的改性目的。比如，離子轟擊傾向于從膜層上剝離結(jié)合較松散的和凸出部位的粒子，切斷膜層結(jié)晶態(tài)或凝聚態(tài)的優(yōu)勢生長，從而生更致密，結(jié)合力更強，更均勻的膜層，并可以較低的溫度下鍍出性能優(yōu)良的鍍層。非平衡磁控濺射技術(shù)的運用，使平衡磁控濺射遇到的沉積致密、成分復(fù)雜薄膜的問題得以解決。河南高質(zhì)量磁控濺射用處

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