真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn)，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡(jiǎn)化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對(duì)被鍍材料的污染，達(dá)到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達(dá)到極高的溫度，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M(jìn)行快速蒸發(fā)。這對(duì)于保證膜的成分，防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發(fā)鍍的缺點(diǎn)是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高，所以它的應(yīng)用范圍有一定的限制，導(dǎo)致其在工業(yè)中的普遍應(yīng)用有一定的限制。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):具有優(yōu)良的耐折性和良好的韌性，比較少出現(xiàn)小孔和裂口。UV光固化真空鍍膜

ALD允許在原子層水平上精確控制膜厚度。而且，可以相對(duì)容易地形成不同材料的多層結(jié)構(gòu)。由于其高反應(yīng)活性和精度，它在精細(xì)和高效的半導(dǎo)體領(lǐng)域（如微電子和納米技術(shù)）中非常有用。由于ALD通常在相對(duì)較低的溫度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物樣品時(shí)是有用的，并且在使用易于熱解的前體時(shí)也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以輕松地應(yīng)用于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的粉末和形狀。 眾所周知，ALD工藝非常耗時(shí)。例如，氧化鋁的膜形成為每個(gè)循環(huán)0.11nm，并且每小時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)膜形成量為100至300nm。由于ALD通常用于制造微電子和納米技術(shù)的基材，因此不需要厚膜形成。通常，當(dāng)需要大約μm的膜厚度時(shí)，就膜形成時(shí)間而言，ALD工藝是困難的。作為物質(zhì)限制，前體必須是揮發(fā)性的。另外，成膜靶必須能夠承受前體分子的化學(xué)吸附所必需的熱應(yīng)力。馬鞍山小家電真空鍍膜膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間(或決定于裝料量)，并與源和基片的距離有關(guān)。

原子層沉積技術(shù)憑借其獨(dú)特的表面化學(xué)生長(zhǎng)原理、亞納米膜厚的精確控制性以及適合復(fù)雜三維高深寬比表面沉積，自截止生長(zhǎng)等特點(diǎn)，特別適合薄層薄膜材料的制備。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸鹽（ODPA）對(duì)Cu的選擇性吸附，在預(yù)先吸附有ODPA分子的襯底表面進(jìn)行ALD沉積Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉積，從而得到被高k絕緣材料Al2O3所間隔的空間選擇性暴露表面Cu的薄膜材料。此外，電鏡照片表明該沉積方法的區(qū)域選擇性得到了有效保證。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升大、繞射性好、附著性好，膜結(jié)構(gòu)及形貌差，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤(rùn)滑機(jī)械制品。多陰極型。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，有時(shí)需要對(duì)基板加熱；可用于鍍精密機(jī)械制品、電子器件裝飾品。真空鍍膜機(jī)硬化膜沉積技術(shù)目前較成熟的是cvd、pvd。

真空鍍膜的方法很多，計(jì)有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達(dá)到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強(qiáng)約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學(xué)氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合，兼有兩者的工藝特點(diǎn)。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)的一種。三亞真空鍍膜

真空鍍膜是在真空室內(nèi)把材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。UV光固化真空鍍膜

真空鍍膜：電阻加熱蒸發(fā)法：電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過，對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的較高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。UV光固化真空鍍膜